第02章晶體結(jié)構(gòu)(完整版)
【正文】 距也不相同。 表示方法： 用花括號 {hkl}表示 。 一、晶向與晶向指數(shù) 第二節(jié) 立方晶系晶向與晶面指數(shù) 晶向族： 原子排列情況相同，但空間位向不同的一組晶向 的集合 。 三、晶系 第一節(jié) 晶體基礎(chǔ)知識 點(diǎn)陣常數(shù) 平行六面體的三個(gè)棱長 a、 b、 c和及其夾角 α 、 β 、 γ ，可決定平行六面體尺寸和形狀，這六個(gè)量亦稱為點(diǎn)陣常數(shù)。 1. 非晶體 原子排列： 粒子 (原子、離子或分子 )無規(guī)則的堆積。 二、晶格與晶胞 第一節(jié) 晶體基礎(chǔ)知識 晶胞 構(gòu)成晶格的最基本單元。 晶向指數(shù) ：表示晶向方位符號。 晶面指數(shù) ：表示晶面方位的符號。 晶面間距 ：指相鄰兩個(gè)平行晶面之間的距離。稱這種由多個(gè)小晶體組成的晶體結(jié)構(gòu)稱之為“ 多晶體 ” 。 晶體缺陷的類型： ?點(diǎn)缺陷 ?線缺陷 ?面缺陷 點(diǎn)缺陷 第四節(jié) 材料的實(shí)際晶體結(jié)構(gòu) 點(diǎn)缺陷： 在三維空間各方向上尺寸都很小，在原子尺寸大小的晶體缺陷。 3) 形成其他晶體缺陷 過飽和的空位可集中形成內(nèi)部的空洞，集中一片的塌陷形成位錯(cuò)。 面缺陷 第四節(jié) 材料的實(shí)際晶體結(jié)構(gòu) 面缺陷： 在三維空間的兩個(gè)方向上的尺寸很大 (晶粒數(shù)量級 )，另外一個(gè)方向上的尺寸很小 (原子尺寸大小 )的晶體缺陷。會使強(qiáng)度提高，塑性下降、 線缺陷 第四節(jié) 材料的實(shí)際晶體結(jié)構(gòu) 線缺陷： 在三維空間的一個(gè)方向上的尺寸很大 (晶粒數(shù)量級 )，另外兩個(gè)方向上的尺寸很小 (原子尺寸大小 )的晶體缺陷。 2) 間隙原子 在晶格非結(jié)點(diǎn)位置，往往是晶格的間隙，出現(xiàn)了多余的原子。 晶界： 晶粒與晶粒之間的分界面叫 “ 晶粒間界 ” ，或簡稱 “ 晶界 ” 。 ? 同一晶面族的原子排列方式相同，它們的晶面間的間距也相同。 二、晶面與晶面指數(shù) 第二節(jié) 立方晶系晶向與晶面指數(shù) 晶面族： 原子排列情況相同，但空間位向不同的一組晶 面的集合 。 (若平移晶向或
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