干法腐蝕工藝培訓講義全(完整版)
【正文】 YMER 的產(chǎn)生；Ar 為惰性氣體，可以運載離子，增強離子轟擊，幫助控制 POLYMER，調(diào)整 PROFILE；He 為背面冷卻氣體。三、POLY ETCH主要設備有 P5KPOLY，T1611主要腐蝕氣體為 CL2，HBR，HCL 等。現(xiàn)在我們常用的是光譜法。A1000 去膠設備為一種等離子體下游式去膠，其去膠方式可以更小的減少對硅片的等離子損傷。4． 過腐蝕例：AL 過腐蝕造成 AL 條細，斷條等。處理方法：調(diào)整 He 流量至正常值。不奮斗就是每天都很容易，可一年一年越來越難。.. . . ..學習好幫手9． 去膠不凈/殘膠原因分析：去膠時間不夠或方法不當。.. . . ..學習好幫手5． 殘留物（同 4）一般指腐蝕以后圓片表面留有殘留的膜，沒有被刻蝕干凈。2．AL 的后腐蝕原因分析：AL 腐蝕后去膠時間間隔太長，造成空氣中的水氣與光刻膠中殘留的 CL 離子反應生成 HCL，繼續(xù)腐蝕 AL。.. . . ..學習好幫手.. . . ..學習好幫手第六章 干法去膠當 SiO2 或 Al 等待刻蝕材料腐蝕完畢后， 起刻蝕掩蔽作用的光刻膠必須去除干凈，以給下一步工序留下一個清潔的表面。用觀察腐蝕過程中腐蝕層干涉顏色的變化來確定終點，其方法雖然簡單，但它要求操作者能夠識別不同復合層的圖形顏色，而且需要有充分的暴露面積以供腐蝕過程中用肉眼觀察，因而不適應大生產(chǎn)。終點控制模式。所以一般在腐蝕后立即通入含碳氟化物，以置換 CL 離子。第三章 常用材料的等離子體腐蝕原理與工藝1．POLYSI，SI3N4，SIO2 的等離子腐蝕 通常使用含 F 的腐蝕性氣體，如 CF4 CF4 CF3+F* CF3 CF2+F* CF2 CF+F* Si+4F* SiF4 SiO2+4F* SiF4 +O2 Si3N4+12F* 3SiF4 +2N2 CFx（x≤3）與 SiO2，SiN4 的反應速率比與 Si 的反應速率快。[RIE(2)]2． 反應離子腐蝕裝置中兩個極板的面積不等；硅片放在射頻電源電極陰極上；反應壓力更低。氣體中總存在微量的自由電子，在外電場的作用下，電子加速運動。選擇比反應腐蝕過程中主要被腐蝕膜對另一種膜的影響（光刻膠，襯底等） .. . . ..學習好幫手6. ISOTROPY各向同性 腐蝕速率在縱向和橫向上相同。7．ANISOTROPY各向異性 腐蝕速率在縱向和橫向上不一樣。當電子獲得足夠的能量后與氣體分子發(fā)生碰撞，使氣體分子電離發(fā)出二次電子，二次電子進一步與氣體分子發(fā)生碰撞電離，產(chǎn)生更多的電子和離子。平行平板等離子腐蝕裝置的壓力為13~133Pa； 反應離子腐蝕的壓力為 ~13Pa，因此，到達陰極的正離子具有更大的能量與更強的指向陰極的方向性，因而能獲得各向異性腐蝕。在 CF4中加入少量 H2 可以使 CFx：F* 的濃度比增加，從而使 SiO2：Si 及Si3N4：Si 的腐蝕速率比增大。對于 AL 腐蝕以后的去膠工藝時間間隔要求也很嚴，一般要求不超過2 小時?？涛g和去膠在同一腔體，可以有效的消除 AL 的后腐蝕。采用終點控制可以較精確的控制腐蝕時間，屏蔽因為腐蝕速率的差異造
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