【正文】 epitaxy and Heterepitaxy（均相外延和異相外延） Applications of epitaxial layers (外延層的應(yīng)用 ) Discrete and power devices（分立器件和功率器件） Integrated circuits（集成電路） Epitaxy for MOS Devices（ MOS 器件用外延） Epitaxy as the plement to Ion implantation （外延作為離子注入的補(bǔ)充） Techniques for silicon epitaxy （硅外延技術(shù)） Chemical vapor deposition（化學(xué)汽相沉積）（ CVD） Molecular beam epitaxy（分子束外 延）（ MBE） description（分子束外延工藝描述） equipment (分子束外延設(shè)備 ) Liquid phase epitaxy（液相外延）（ LPE） Solid phase regrowth（固相再生長） Regrowth of Amorphous layers（非晶層的再生長） Recrystallization of thin films（薄層單晶再生長） Surface preparation for silicon eptaxial growth （硅外延生長的表面處理） Surface cleaning and Oxide removal （表面清潔和氧化除雜） Surface precleans（表面予清洗） Drying the wafers（干燥硅片） Insitu gas phase cleans（就地汽相清洗） 24 Removal of the surface oxide（表面氧化除雜） Removal of adsorbed water vapor（水汽吸附除雜） Oxide removal（氧化除雜） Carbon on the surface（表面的碳） Insitu etching（就地腐蝕） Growth of silicon epitaxy by CVD（ CVD 硅外延生長） Growth chemistries（生長的化學(xué)過程） Disproportionation（歧化反應(yīng)） Pyrolytic deposition(高溫分解 ) Reduction of chlorosilanes （氯硅烷減薄） Growth kiics and mechanisms（生長動力學(xué)和生長機(jī)制） Kiics of growth from silane（用硅烷的生長動力學(xué)） Kiics of growth from dichlorosilane（用 SiH2Cl2 的生長動力學(xué)） Kiics of growth from trichlorosilane and silicon tetrachloride（用 SiHCl3和 SiCl4的生長動力學(xué)） Nucleation(成核現(xiàn)象 ) Homogeneous nucleation(同相的成核現(xiàn)象 ) Heterogeneous nucleation（異相的成核現(xiàn)象） Dopant incorporation（混合摻雜法） Intentional dopant incorporation(有意的混合摻雜 ) Measurements of dopant incorporation（混合摻雜的測 25 量） Effect of temperature（溫度的影響） Effect of growth rate（生長速率的影響） Effect of pressure（壓力的影響） Unintentionally added dopants (autodoping) （無意增加的摻 雜）（自動摻雜） Sources of autodoping（自動摻雜的來源） Lateral autodoping（側(cè)向自動摻雜） Suppression of autodoping（自動摻雜的抑制） Surface morphology and epitaxial defects（表面形態(tài)和外延缺陷） Substrate orientation effects（底層晶向的影響） Spikes and epitaxial defects（疣狀物和外延缺陷） Growth spikes（生長型疣狀物） Epitaxial stacking faults（外延堆垜缺陷） Hillocks and pyramids in epitaxal layers （外延層上的小丘和錐角） Dislocations and slip（位錯和滑移） Micropreciptates(Spits)（微沉淀）（ S坑） Pattern shift and distortion（位移和扭曲模型） Patterned diffusions(buried layers)(模型的擴(kuò)散 )（埋層） Patterned distortion and patterned shift（模型扭曲和模型位移） Patterned shift definitions（模型滑移的定義） 26 Role of crystallography of surface（表面結(jié)晶學(xué)的作用） Summary of shift and distortion effects（滑移和扭曲作用小結(jié)） Equipment for epitaxy by CVD （ CVD 外延設(shè)備） Classification of mercial reactors by flow Geometry （采用幾何流程的商用反應(yīng)爐的分類） Horizontal reactors（水平反應(yīng)爐） Vertical flow reactors（垂直流反應(yīng)爐） Cylinder reactor Geometry（圓柱型反應(yīng)爐） Other reactor types（其它反應(yīng)類型） Heating techniques（加熱技術(shù)） Resistance heating（電阻加熱） heating（感應(yīng)加熱） Radiant heating（輻射加熱 0 Combined mode heating(組合方式加熱 ) Operating pressure of reactors（反應(yīng)爐的操作壓力） Trends for the future in silicon epitaxy（未來硅外延的發(fā)展趨勢） Reference 參考文獻(xiàn) 6. Silicon materials properties（硅材料的特性） W. Murray Bullis Introduction（序） Crystallographic properties（晶格特性） 27 Silicon crystal structure（硅晶體結(jié)構(gòu)） Crystal habit（晶體習(xí)性） Crystal orientation（晶向） Crystal defects（晶體缺陷） Point defects（點(diǎn)缺陷） Extended defects（擴(kuò)展缺陷） Electrical properties（電特性） Bands and bonds in pure silicon crystal （純硅晶體的能帶和禁帶） Dopant impurities（摻雜） Statistics（統(tǒng)計學(xué)數(shù)據(jù)） Fermi function（費(fèi)米 能級） Densityofstates function（能態(tài)密度） Intrinsic carrier density（本征載流子濃度） Qualitative description of the energy structure of silicon （硅的能級的定性描述） Actual band structure of silicon（硅的實際能帶結(jié)構(gòu)） Electronic conduction（導(dǎo)電性） Electrical characterization（電特性描述） Conduction at high electric fields（高電場下的導(dǎo)電性） Conduction in a magic of silicon（場下硅的導(dǎo)電性） Deeplevel impurities（深能級雜質(zhì)） 28 Rectification（整流作用） Thermoelectric effects（熱電效應(yīng)） Optical properties（光學(xué)特性） Index of refraction and reflectivity（折射率和反射率） Antireflection coatings（減反射層） Relationships between wavelength, wavenumber, and photon energy（波長、波數(shù)和光能間的關(guān)系） Absorption（吸收） Photoconductivity（光導(dǎo)率） Lattice absorption（晶格吸收） Impurity absorption（雜質(zhì)吸收） Optical methods for detecting dopant impurities （光學(xué)法檢測雜質(zhì)） Emissivity（發(fā)射率） Thermal and mechanical properties（熱特性和機(jī)械特性） Elastic constants（彈性系數(shù)） Young’s Modulus（楊氏模數(shù)） Modulus of pression（擠壓模數(shù)） Shear Modulus（剪切模數(shù)） Poisson’s ratio（泊松比率）（指棒材沿軸向拉伸時橫向收縮應(yīng)變與縱向拉伸應(yīng)變之比） Other relationships（其它相關(guān)數(shù)據(jù)） 29 Piezoresistivity(壓電電阻效應(yīng) ) Mechanical strength and plastic deformation （機(jī)械強(qiáng)度和可塑形變） Plastic deformation（可塑形變） Warp（彎曲） Fracture (破裂 ) Thermal expansion （熱擴(kuò)散） Thermal conductivity（熱傳導(dǎo)） Hardness（硬度） Other physical and thermodynamic properties （其它物理及熱力學(xué)特性） references（參考文獻(xiàn)） Oxygen、 Carbon and Nitrogen in Silicon（硅中的氧、碳和氮） Willian C. O’Mara Introduction（序言） Propertities of dissolved oxygen in silicon（硅中溶解氧的特性） Solubility（溶解度） Difusivity（擴(kuò)散系數(shù)） Segregation coefficient（偏析系數(shù)） Phase diagram（相圖） Oxygen cluster and precipitate formation （氧群和沉淀物的形成） 30 Precipitate nucleation（沉淀物的成核現(xiàn)象） Precipitation from solution（由溶解引起的沉淀） Influence of thermal history on precipitate （沉淀物上的熱歷史的影響） Ingot cooling history（晶錠的冷卻歷程） Microscopic growth fluctuations （顯微觀測晶體生長波動） Retardation of nucleation（成核的延遲現(xiàn)象） Influence of substrat