1-二硫化鉬納米結(jié)構(gòu)(完整版)
【正文】 。隨著粒徑的變小，比表面積增大，吸附力增強(qiáng)，反應(yīng)活性提高，隨之使其在潤(rùn)滑添加劑、催化、光電、各種復(fù)合材料等方面的性能有很大的提高。MoS2的晶體結(jié)構(gòu)有三種：1T 形、2H 形、3R 形，1TMoS2和 3RMoS2屬于亞穩(wěn)態(tài)，常態(tài)下存在的是 2HMoS2，天然的 2HMoS2晶體是典型的層狀結(jié)構(gòu)[1]。在理想的自由狀態(tài)下，單層石墨烯并非完美的平面結(jié)構(gòu)，表面不完全平整，在薄膜邊緣處出現(xiàn)明顯的波紋狀褶皺，而在薄膜內(nèi)部褶皺并不顯，多層石墨烯邊緣處的起伏幅度要比單層石墨烯稍小。石墨烯不僅有特殊的二維平面結(jié)構(gòu)，還有著優(yōu)良的力學(xué)、熱學(xué)、電學(xué)、光學(xué)性質(zhì)。目前，人們已利用石墨烯開(kāi)發(fā)出一系列新型光電器件，并顯示出優(yōu)異的性能和良好的應(yīng)用前景。近年來(lái)所觀測(cè)到的顯著的量子霍爾效應(yīng)和分?jǐn)?shù)量子霍爾效應(yīng)，證實(shí)了石墨烯是未來(lái)納米光電器件領(lǐng)域極有前景的材料。 二硫化鉬的晶體結(jié)構(gòu)(a)側(cè)視圖(b)和俯視圖(c) 二硫化鉬的性質(zhì)二硫化鉬是一種典型的二維層狀材料，層狀二硫化鉬是輝鉬礦的主要成分，是一種灰黑色的固體粉末，無(wú)特殊氣味，熔點(diǎn)為1185 ℃，1600 ℃開(kāi)始分解，產(chǎn)物為硫和金屬鉬。b) 光電性能：二硫化鉬特殊的三明治夾層結(jié)構(gòu)和能帶結(jié)構(gòu)，決定了其特殊的光電性質(zhì)，如光吸收、熒光發(fā)射、高的電子遷移率等。鋰離子插層法是目前剝離效率最高的方法，它適用范圍廣,多用于二次電池和發(fā)光二極管；缺點(diǎn)是耗時(shí)、制備條件嚴(yán)格，且去除鋰離子極易導(dǎo)致類石墨烯二硫化鉬的聚集。三層二硫化鉬的 E12g和A1g間的位移差為23cm1 (如圖3d所示)。cm3,具有抗磁性和半導(dǎo)體性質(zhì)。s1. Iwasa等53先采用微機(jī)械力法剝離得到類石墨烯二硫化鉬,之后轉(zhuǎn)移二硫化鉬到透明的氧化鋁基底上,再利用電子束刻蝕法制作Ti/Au電極,并選用離子液體作為柵極從而最終形成電雙層雙極性場(chǎng)效應(yīng)晶體管。,Im等87報(bào)道了摻雜聚(偏二氟乙烯三氟乙烯)(P(VDFTrFE))的類石墨烯二硫化鉬(13層)作為場(chǎng)效應(yīng)晶體管的導(dǎo)電通道,陰極Al作為場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極,結(jié)果器件的開(kāi)/關(guān)電流比達(dá)到105,電 子遷移率達(dá)到220cm2最近,Zhang等90又用鋰離子插層法制備出的類石墨烯二硫化鉬作為活性通道、還原氧化石墨烯(rGO)作為源、漏極,制成柔性薄膜晶體管陣列來(lái)檢測(cè)毒性氣體NO2的濃度:該器件結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、柔性可旋涂,而且可重復(fù)性好、氣體敏感度高。3V時(shí)亮度達(dá)到1000cd由于目前基于硅半導(dǎo)體微納電子器件的制作已接近理論極限,而類石墨烯二硫化鉬卻由于自身優(yōu)勢(shì)極有可能在未來(lái)取代硅半導(dǎo)體材料,因此這一領(lǐng)域的研究方興未艾。C退火后器件能在空氣中穩(wěn)定7h。他們發(fā)現(xiàn)二硫化鉬薄膜的最優(yōu)厚度是4nm,1065106(體積分?jǐn)?shù))。s1。這種晶體管的開(kāi)/關(guān)電流比達(dá)到200,其中空穴載流子遷移率高達(dá)86cm2二硫化鉬具有優(yōu)異的
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