通用vlsippt課件(完整版)
【正文】 元的讀出和放大n DRAM的讀放過程n 靈敏的讀出放大器設(shè)計(jì)n 讀出放大器的基本結(jié)構(gòu)n 虛擬單元（啞單元）的作用n 讀放過程的時(shí)序波形圖167。421 六管 SRAM單元n 雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器結(jié)構(gòu)n 負(fù)載形式n 多晶硅電阻n 耗盡型 NMOS管（ E/D MOS）n 增強(qiáng)型 PMOS管（ CMOS）167。413 EPROMn EPROM的存貯單元n 浮柵 MOS管結(jié)構(gòu)n 雙多晶硅柵：懸浮柵、控制柵n 漏源間加足夠高電壓， PN結(jié)擊穿產(chǎn)生熱電子n 高能量熱電子穿過 SiO2層到達(dá)浮柵n 電子積累產(chǎn)生屏蔽，使閾值電壓升高n 擦除時(shí)用紫外光輻照 20min，消除電子積累167。411 掩膜 ROMn 存貯單元存取時(shí)間n 位線上的電容n 零偏壓時(shí)漏區(qū)的結(jié)電容n 柵漏氧化層覆蓋電容167。第四章 通用 VLSI電路的 設(shè)計(jì)與分析167。411 掩膜 ROMn 存貯單元存取時(shí)間n 字（行）延遲時(shí)間n 位（列）延遲時(shí)間167。413 EPROMn EPROM的特點(diǎn)n 優(yōu)勢(shì)n 采用單管單元，面積小，集成度高n 劣勢(shì)n 編程時(shí)需要高電壓電源n 擦除時(shí)需要紫外光，使用不便n 主要用作信息的讀取167。421 六管 SRAM單元n E/D MOS六管單元n 字選 /列選信號(hào)n X=“1”，選中某字n Y=“1”，選中某列n 讀 /寫操作n 讀出， X=“1”， Y=“1”n 寫入 “1”， B=“1”， B=“0”n 寫入 “0”， B=“0”， B=“1”n 六管單元版圖167。44 門陣列（ Gate Array）和 可編程邏輯器件（ PLD）167。442 可編程邏輯器件（ PLD）n PROM結(jié)構(gòu)167。167。442 可編程邏輯器件（ PLD）n 輸入 /輸出模塊 IOBn PLD的設(shè)計(jì)過程167。442 可編程邏輯器件（ PLD）n PAL和 GAL 基本陣列167。441 門陣列n 門陣列的結(jié)構(gòu)n 六管單元結(jié)構(gòu)n 六管單元線路n 六管單元版圖結(jié)構(gòu)n 四管單元結(jié)構(gòu)n 門陣列組成的與非門n 門陣列組成的或非門167。43 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存貯器（ DRAM）167。414 EEPRO
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