材料物理fppt課件(完整版)
【正文】 E 2022 Fall 01z8109Bi 磁性材料的自發(fā)磁化和技術(shù)磁化 鐵磁性與順磁性為什么不一樣 ？ 外斯假說(shuō)：鐵磁體內(nèi)部存在很強(qiáng)的 “ 分子場(chǎng) ”在 “ 分子場(chǎng) ” 的作用下 ， 原子磁矩趨于同向平行排列 ， 即自發(fā)磁化至飽和稱為 自發(fā)磁化 。 由量子力學(xué)得到 22 c osexEA ???? A：交換積分常數(shù) θ ：相鄰原子磁矩夾角 MSE 2022 Fall 01z8109Bi 交換積分常數(shù) A 0 ： 相鄰原子磁矩排列相同，從而實(shí)現(xiàn)自發(fā)磁化； A＝ 0 ： 相鄰原子磁矩排列紊亂，為順磁； A 0： 相鄰原子磁矩反向排列。 22 c osexEA ????MSE 2022 Fall 01z8109Bi 反鐵磁性與亞鐵磁性 交換積分常數(shù) A＜ 0 時(shí)，原子磁矩取反向平行排列能量最低。 為什么許多鐵磁體對(duì)外不顯示磁性 ？ 鐵磁體自發(fā)磁化分成若干個(gè)小區(qū)域 ， 這種自發(fā)磁化至飽和的小區(qū)域稱為 磁疇 ， 由于各個(gè)磁疇的磁化方向各不相同 。 MSE 2022 Fall 01z8109Bi 磁疇壁的特征 磁疇壁是一個(gè)磁矩方向轉(zhuǎn)換過(guò)渡區(qū)，有一定厚度。 ?原子磁矩的逐漸轉(zhuǎn)向 ， 使原子磁矩偏離易磁化方向 ， 使磁晶各向異性能增加 。 MSE 2022 Fall 01z8109Bi 磁疇數(shù)目 細(xì)分磁疇后，疇壁增多，導(dǎo)致疇壁能增加。 磁化過(guò)程有時(shí)存在一種形式，有時(shí)存在兩種形式。 下降過(guò)程 ， 兩者不同 。 玻莫合金 MSE 2022 Fall 01z8109Bi 合金元素含量的影響 (續(xù) 2) 盡量減少有害的間隙雜質(zhì) 在固溶體型磁合金中，間隙固溶體要比替換固溶體的磁性差。 開(kāi)路永磁體的退磁曲線上各點(diǎn) Bd 隨 Hd 的變化。 ?當(dāng)磁帶緊貼磁頭的表面勻速通過(guò)時(shí)，磁介質(zhì)被空氣隙的磁場(chǎng)所磁化。 （ ） （ ） 12cksKHHM??12()csH D D M??? 磁晶各向異性 ? 形狀各向異性 ?形狀各向異性大的磁粉所制成的磁記錄介質(zhì)的矯頑力與單疇之間的相互作用場(chǎng)有關(guān)。 最理想的磁記錄介質(zhì) 金屬薄膜 MSE 2022 Fall 01z8109Bi 垂直記錄薄膜 需要垂直于膜面方向的各向異性場(chǎng) HK必須大于退磁場(chǎng) 。 MSE 2022 Fall 01z8109Bi 感應(yīng)式磁頭材料種類 ? 磁性合金 ? 鐵氧體 ? 非晶態(tài)磁性合金 ? 納米晶磁性合金 ? 高飽和磁化強(qiáng)度材料 MSE 2022 Fall 01z8109Bi 磁阻磁頭 (MRH) 在外電磁場(chǎng)的影響下，它的電阻率將下降。 該磁場(chǎng)引起磁電阻元件的電阻變化為 R，通過(guò)該磁電阻的恒電流是 i，那么，外磁場(chǎng)垂直分量在磁電阻元件引起的電壓變化為 iR。 sK MH ?4?sK MKH /2 1?12 12sKQM???又有 MSE 2022 Fall 01z8109Bi 典型硬盤(pán)膜結(jié)構(gòu) MSE 2022 Fall 01z8109Bi 磁電阻材料 磁性材料的電阻率隨磁化狀態(tài)而改變的現(xiàn)象。 必須兼顧考慮剩磁和退磁場(chǎng)對(duì)記錄系統(tǒng)的綜合影響。 MSE 2022 Fall 01z8109Bi 記錄波長(zhǎng) 記錄信號(hào)的電流在一個(gè)變化周期內(nèi)，使記錄磁頭的磁場(chǎng)方向改變一次并在介質(zhì)上產(chǎn)生方向相反的兩個(gè)剩余磁化區(qū)，加上過(guò)渡區(qū)構(gòu)成了一個(gè)記錄周期，稱為 記錄波長(zhǎng)。 磁能積的概念 MSE 2022 Fall 01z8109Bi 磁能積 BH 就是磁能積，代表磁鐵的能量， BH
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