磁控濺射鍍膜技術(shù)ppt課件(完整版)
【正文】 ，壓力及氣體組分、抽氣速率等 3反應(yīng)濺射與反應(yīng)濺射滯回曲線(xiàn) ? 大部分化合物薄膜特別是介質(zhì)膜均由金屬靶通反應(yīng)氣體，用反應(yīng)濺射方法制備 ? 在靶電源為恒功率模式下，隨反應(yīng)氣體（如氧）流量變化（增加或減?。?，靶電壓變化呈非線(xiàn)性，類(lèi)似磁滯回曲線(xiàn) 硅靶通氧反應(yīng)濺射制備二氧化硅：靶電壓隨氧氣流量變化曲線(xiàn)有滯回現(xiàn)象（反應(yīng)濺射的固有特性） 0 20 40 60400450500550600650氧化態(tài)金屬態(tài)電壓(v)氧流量 (SCCM) 三種狀態(tài)（金屬態(tài) 過(guò)度態(tài) 氧化態(tài)）的特點(diǎn)及濺射速率變化 按不同采樣方法控制方式可分為 : ? 質(zhì)譜法 檢測(cè)反應(yīng)氣體的分壓強(qiáng)來(lái)控制反應(yīng) + ? 氣體流量。 （ 2）濺射產(chǎn)額 y與材料種類(lèi)、表面狀態(tài)、溫度有關(guān)。 E）所謂“雙跑道靶”是將靶面加寬（例如由 140mm加 大到 220mm）磁場(chǎng)作相應(yīng)改變，放電時(shí)形成兩個(gè)放電區(qū)，這與雙靶并聯(lián)無(wú)本質(zhì)差別，放電不穩(wěn)定，影響電源壽命 ,降低膜層質(zhì)量 ,基片上膜層不均勻區(qū)加大。 Penning放電、 Penning規(guī)、 Penning離子源相繼出現(xiàn) ? 1963年美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室采用 10米的連續(xù)濺射鍍膜裝置鍍制集成電路的鉭膜，首次實(shí)現(xiàn)濺射鍍膜產(chǎn)業(yè)化。 濺射鍍膜技術(shù)是真空鍍膜技術(shù)中應(yīng)用最廣的正在不斷發(fā)展的技術(shù)之一 發(fā)展概況（ 1） ? 1842年 Grove發(fā)現(xiàn)陰極濺射現(xiàn)象 ? 1877年將二極濺射技術(shù)用于鍍制反射鏡。 ? 1999年豪威公司與清華大學(xué)合作在國(guó)際上首次研制成功中頻雙靶反應(yīng)濺射制備二氧化硅膜與氧化銦錫膜在線(xiàn)聯(lián)鍍裝置投入生產(chǎn)。 （ 1）材料的濺射產(chǎn)額 y與轟擊靶材表面的正離子種類(lèi)、能量、入射角有關(guān)。這有利于以磁控濺射為基礎(chǔ)實(shí)現(xiàn)離子鍍，有可能使磁控濺射離子鍍與陰極電弧蒸發(fā)離子鍍處于競(jìng)爭(zhēng)地位 。 請(qǐng)批評(píng)指正，謝謝！ 結(jié)束語(yǔ) 。二者在放大 50， 000倍的條件下得到的表面情況存在明顯區(qū)別。濺射氣體通常選氬氣。 cm )電壓 V/NV B湯森放電正常輝光弧光異常輝光P=133Pa(Ne)VA) 伏安特性曲線(xiàn)，分幾段： ? 電壓很小時(shí)，只有很小電流通過(guò)： ? 加大電壓進(jìn)入湯生放電區(qū)； ? “雪崩”，進(jìn)入“正常輝光放電區(qū)” ? 離子轟擊區(qū)覆蓋整個(gè)陰極表面，再增加功率進(jìn)入“非正常輝光放電區(qū)”，濺射工藝的工作點(diǎn)選在此區(qū)： ? 繼續(xù)增加功率，達(dá)到新的擊穿，進(jìn)入低電壓大電流的“弧光放電區(qū)” B) 靶的 放電的伏安特性曲線(xiàn)與哪些
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