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數(shù)字式溫度計(jì)課程設(shè)計(jì)論文(完整版)

2025-02-23 15:57上一頁面

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【正文】 /讀狀態(tài) Delay(100)。}/*DS18B20的復(fù)位脈沖 主機(jī)通過拉低單總線至少480us以產(chǎn)生復(fù)位脈沖 然后主機(jī)釋放單總線并進(jìn)入接收模式 此時(shí)單總線電平被拉高 DS18B20檢測到上升沿后 延時(shí)15~60us,拉低總線60~240us產(chǎn)生應(yīng)答脈沖 */ uchar Init_DS18B20(){ uchar status。//待顯示的各溫度數(shù)位bit DS18B20_IS_OK = 1。 //段碼位3sbit SEG4=P2^6。 (7)屏蔽與接地:銅膜線的公共地線應(yīng)該盡可能放在電路板的邊緣部分。 再放置特殊元件,例如發(fā)熱元件、變壓器、集成電路等。使用Design/Create Netlist 菜單建立網(wǎng)絡(luò)表,畫電路板圖。本電路方案結(jié)構(gòu)簡單,技術(shù)成熟,具有功能擴(kuò)展空間特點(diǎn)。 圖1 AT89C52引腳圖 2)DS18B20是美國DALLAS半導(dǎo)體公司近年推出的一種改進(jìn)型智能溫度傳感器,與傳統(tǒng)的熱敏電阻相比,它能夠直接讀出被測溫度,并可根據(jù)實(shí)際要求通過簡單的編程實(shí)現(xiàn)912位的數(shù)字值讀數(shù)方式,無需外加測量電路及A/D轉(zhuǎn)換器,簡化了電路。 1)主控模塊AT89C52是一個(gè)低電壓,高性能CMOS 8位單片機(jī),片內(nèi)含4K的可反復(fù)擦寫的FLASH只讀存儲(chǔ)器和128 BYTES的隨機(jī)存取數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,40個(gè)引腳,32個(gè)外部雙向輸入/輸出(I/O)端口,同時(shí)內(nèi)含2個(gè)外中斷口,2個(gè)16位可編程定時(shí)計(jì)數(shù)器,2個(gè)全雙工串行通信口。2 方案選擇(小組所有成員共同完成)圖3 方案設(shè)計(jì)框圖系統(tǒng)電路由電源電路、溫度信號(hào)產(chǎn)生電路、單片機(jī)控制電路和液晶顯示電路等四部分組成。⒊電路原理圖繪制及仿真(Mutilsim)(譚海燕)1)元件型號(hào)圖4 元件清單2)電路原理圖及仿真結(jié)果圖 5 電路原理圖圖6 仿真結(jié)果⒋PCB圖(protel)繪制(鄭冰倩) 1)PCB設(shè)計(jì)步驟 (1)繪制電路原理圖 首先將所有元件都從庫中取出來,放置在圖紙上,并且調(diào)整好位置。(2) 盡可能按照原理圖的元件安排對元件進(jìn)行布局,信號(hào)從左邊進(jìn)入、從右邊輸出,從上邊輸入、從下邊輸出。(6)元件布置要合理分區(qū)。初始化子程序:(1) 程序includeincludedefine uint unsigned intdefine uchar unsigned charsbit SEG1=P2^0。 //溫度小數(shù)位對照表uchar CurrentT = 0。j120。 //延時(shí)480us以上 DQ1 = 1。//DS18B20置高電平 _nop_()。//延時(shí) if(DQ1) dat |= 0X80。 //啟動(dòng)溫度轉(zhuǎn)換 Init_DS18B20()。 uchar t = 150。} Display_Digit[0] = df_Table[Temp_Value[0]amp。 //個(gè)}void DIS_SEG(void){ i
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