電力電子技術(shù)ppt課件(完整版)
【正文】 1. 不控器件 器件的導(dǎo)通和關(guān)斷無可控功能。它的出現(xiàn)使半導(dǎo)體器件由弱電領(lǐng)域擴(kuò)展到強(qiáng)電領(lǐng)域。 ② 晶閘管控制電路 (控制極與陰極之間 ) 加正向電壓或正向脈沖 (正向觸發(fā)電壓 )。 一般 URRM 比反向轉(zhuǎn)折電壓 |UBR|低 100V 。 UA2UA1時(shí) 控制極相對(duì)于 A1加負(fù)脈沖， uGA1 0， 晶閘管反向?qū)ǎ娏鲝?A1流向 A2。 下一頁 返回 上一頁 退出 章目錄 24/61 (2) 電感性負(fù)載與續(xù)流二極管 當(dāng)電壓 u 過零后 ,由于電感反電動(dòng)勢(shì)的存在，晶 閘管在一段時(shí)間內(nèi)仍維持導(dǎo)通，失去單向?qū)щ娮饔谩? iiO+–+–T1T2RLuOD1D2aa??uu+–bb下一頁 返回 上一頁 退出 章目錄 30/61 (3) 工作波形 ? tOu?? tuO? tT1uO? tGuO2 ?下一頁 返回 上一頁 退出 章目錄 31/61 (4) 輸出電壓及電流的平均值 ??πdπ1OαtuU ???π)d(s i n2π1OαttUU ??2c o LLOOαRURUI ????2c o αU ???下一頁 返回 上一頁 退出 章目錄 32/61 例 1： 有一 純 電阻負(fù)載 ， 需要可調(diào)的直流電源：電壓 UO = 0 ~ 180 V， 電流 IO = 0 ~ 6 A。若正向電壓超過轉(zhuǎn)折電壓，則晶閘管誤導(dǎo)通，導(dǎo)通后的電流較大，使器件受損。 其實(shí)質(zhì)就是將造成過電壓的能量變成電場(chǎng)能量?jī)?chǔ)存到電容中 , 然后釋放到電阻中消耗掉。對(duì)于分壓比 ? 不同的管子，或者外加電壓 UBB的數(shù)值不同時(shí)， 峰值電壓 UP 也就不同。 當(dāng) uC ≥ UP時(shí) ,單結(jié)晶體管導(dǎo)通 , 電容 C放電 ,R1上得到一脈沖電壓。 控制角 ? 變化的范圍稱為移相范圍。 交流電壓過零變負(fù)后，電容通過 D和 R1迅速放電。 ? ttOuOUDT2T4導(dǎo)通導(dǎo)通T1T3導(dǎo)通導(dǎo)通 導(dǎo)通導(dǎo)通導(dǎo)通導(dǎo)通T1 D 1T4 T 3T2D4 D 3D2+ uOiiO++UDC下一頁 返回 上一頁 退出 章目錄 56/61 T11D11T44T55T33D44D55D33+++UDCT66D66 T22D22U 11 V11W1+ + u2+ + uu11+ + uu33 電壓型三相橋式逆變電路 三相負(fù)載 逆變電路 晶閘管 T1~T6每隔 60? 依次觸發(fā)導(dǎo)通，每管導(dǎo)通180?，每一個(gè) 60? 區(qū)間有三個(gè)晶閘管導(dǎo)通。 晶 閘 管 導(dǎo) 通 次 序 T5 T6 T1 T6 T1 T2 T1 T2 T3 T2 T3 T4 T3 T4 T5 T4 T5 T6 0~60176。 區(qū)間 D31 31 Uuu ??D2 32 Uu ??D32 31 Uuu ???D1 32 Uu ?負(fù)載相電壓 負(fù)載相電壓 T 1 T 5T 6U 1 W 1V 1u 2u 1 u3+UDT 1T 6 T 2U 1W 1V 1u 2u 1u 3+UD下一頁 返回 上一頁 退出 章目錄 58/61 3. 負(fù)載相電壓與線電壓 波形 相電壓 線電壓 相電壓之間和線電壓之間均相差 120176。 下一頁 返回 上一頁 退出 章目錄 57/61 晶閘管在一個(gè)周期內(nèi)導(dǎo)通次序 導(dǎo)通區(qū)間 0~60176。 變頻 電路的輸入與輸出均為交流，電路的輸出電壓 uO的幅值和頻率 f0可單獨(dú)或同時(shí)調(diào)節(jié)。 R1~AVR2R4R3RPDDZ C+_待待充充電電瓶瓶T1待待充充電電瓶瓶下一頁 返回 上一頁 退出 章目錄 51/61 工作原理 當(dāng)待充電電瓶接入電路后，觸發(fā)電路獲得所需電源電壓開始工作。 下一頁 返回 上一頁 退出 章目錄 44/61 注意： R 值不能選的太小，否則單結(jié)晶體管不能關(guān)斷，電路亦不能振蕩 。谷點(diǎn)電壓在 2 ~ 5V之間。 ? ? 分壓比 (~ ) UP ? 峰點(diǎn)電壓 UD ? PN結(jié)正向?qū)▔航? 等效電路 測(cè)量單結(jié)晶體管的實(shí)驗(yàn)電路 由圖可求得 B2B1B1BBB1 RRRUU??BBBBBB1 UURR ???RE B22B11UBBEUE+_RP+_下一頁 返回 上一頁 退出 章目錄 40/61 ooIIEUE(3) 單結(jié)晶體管的伏安特性 Ip IV UP 峰點(diǎn)電壓 UV 谷點(diǎn)電壓 負(fù)阻區(qū) 截止區(qū) 飽和區(qū) UE?UP后，大量空穴注入基區(qū)，致使 IE增加 ,UE 反而下降，出現(xiàn) 負(fù)阻區(qū)。當(dāng)電路發(fā)生過電流故障時(shí) ,它能在晶閘管過熱損壞之前熔斷，切斷電流通路，以保證晶閘管的安全。 解 ： 設(shè) 晶閘管 導(dǎo)通角 ? 為 180?(控制角 ? = 0? )時(shí)
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