【正文】 直到 正反饋 效應(yīng)不能維持。 下一頁 返回 上一頁 退出 章目錄 12/61 正向特性 反向特性 URRM UDRM IG2 IG1 IG0 UBR IF UBO 正向轉(zhuǎn)折電壓 IH O U I IG0 IG1 IG2 + _ + _ 反向轉(zhuǎn)折電壓 正向平均電流 維持電流 ?U (3) 伏安特性 曲線)( UfI ?下一頁 返回 上一頁 退出 章目錄 13/61 (4) 主要參數(shù) ① 正向重復(fù)峰值電壓 UDRM 晶閘管 控制極開路且正向阻斷情況下 ,可以重復(fù)加在 晶閘管 兩端的正向峰值電壓。 ② 反向重復(fù)峰值電壓 URRM 晶閘管 控制極開路時 ,可以重復(fù)加在 晶閘管 兩端的反向峰值電壓。 ③ 正向平均電流 IF 在環(huán)境溫度為 40℃ 及 標(biāo)準(zhǔn)散熱條件下 , 晶閘管處于 全導(dǎo)通時 可以連續(xù)通過的工頻正弦半波電流的平均值。 ④ 維持電流 IH 在規(guī)定的環(huán)境溫度和控制極斷路時，晶閘管維持導(dǎo)通狀態(tài)所必須的最小電流。 下一頁 返回 上一頁 退出 章目錄 16/61 2. 雙向晶閘管 特點： 相當(dāng)于兩個晶閘管反向并聯(lián)，兩者共用一個控制極。 UA2UA1時 控制極 相對于 A1加正脈沖， uGA1 0， 晶閘管 正向?qū)ǎ娏鲝?A2流向 A1。 (2)工作原理 (1) 結(jié)構(gòu) GA1PNPNA2NN N符號符號控制極控制極第二電極第二電極TA2GA1 第一電極第一電極下一頁 返回 上一頁 退出 章目錄 17/61 iG iA 3. 可關(guān)斷晶閘管 符號 K G A GTO 特點： 控制極加正觸發(fā)信號，晶閘管導(dǎo)通； 控制極加負(fù)觸發(fā)信號，晶閘管關(guān)斷。 這種場效晶體管的漏極電流較大，可達(dá)幾百安；耐壓較高，漏 ?源極電壓可達(dá)數(shù)千伏；效率較高、速度較快。 下一頁 返回 上一頁 退出 章目錄 20/61 可控整流電路 可控整流電路 1. 單相半波可控整流電路 (1) 電阻性負(fù)載 u 0 時： 若 uG = 0，晶閘管不導(dǎo)通， uuu ?? T,0O0, TO ?? uuuu 0 時 : 晶閘管 承受反向電壓不導(dǎo)通 uO = 0, uT = u 控制極加觸發(fā)信號，晶閘管 承受正向電壓 導(dǎo)通 ? uuOR L+–+u T+ ––TiiO故稱可控整流。 :1t? 加觸發(fā)信號， 晶閘管承受正向電壓 導(dǎo)通 0T,O ?? uuu晶閘管不導(dǎo)通,~ 00 G1 ?ut?u 0時 : uuu ?? T,0O? tGuO? 2 ?? tuO下一頁 返回 上一頁 退出 章目錄 22/61 ?? tuO? tGuO? tOuO? t1? t22 ?? tTuO 接電阻負(fù)載時 單相半波可控整流電路電壓、電流波形 ? ? 控制角 導(dǎo)通角 下一頁 返回 上一頁 退出 章目錄 23/61 ??πdπ21OαtuU ???π)d(s i n2π21αttU ??2c o LLOOαRURUI ????2c os ??? U整流輸出電壓及電流的平均值 由公式可知： 改變控制角 ?，可改變輸出電壓 UO。 在電感性負(fù)載中 ,當(dāng)晶閘管剛觸發(fā)導(dǎo)通時，電感元件上產(chǎn)生阻礙電流變化的感應(yīng)電動勢 , 電流不能躍變，將由零逐漸上升。 電感性負(fù)載 (加 續(xù)流二極管 ) D iO u 0時： D正向?qū)?,晶閘管 承受反向電壓關(guān)斷 ,電感元件 L釋放能量形成的電流經(jīng) D 構(gòu)成回路 (續(xù)流 ),負(fù)載電壓 uO波形與電阻性負(fù)載相同。 T1控制極加觸發(fā)電壓 , 則 T1和 D2導(dǎo) 通 , 電流的通路為 T T2 ? 晶閘管 D D2? 二極管 a RL D2 T1 b 電壓 u 為正半周 時： 此時， T2和 D1均承受反向電壓而截止。 T2控制極加觸發(fā)電壓 , 則 T2和 D1導(dǎo) 通， 電流的通路為 電壓 u 為負(fù)半周 時： b RL D1 T2 a 此時， T1和 D2均承受反向電壓而截止。 現(xiàn)采用 單相半控橋式整流電路 ， 試求交流電壓的有效值 ， 并選擇整流元件 。 下一頁 返回 上一頁 退出 章目錄 33/61 ????? UUUA3A2621 ODT ???? III 為保證晶閘管在出現(xiàn)瞬時過電壓時不致?lián)p壞，通常根據(jù)下式選取晶閘管的 UDRM和 URRM 。 UDRM≥ (2 ~ 3)UFM = (2 ~ 3) ? 310V = (620 ~ 930) V URRM≥ (2 ~ 3)URM = (2 ~ 3) ? 310V = (620 ~ 930) V 下一頁 返回 上一頁 退出 章目錄 34/61 晶閘管的保護(hù) 晶閘管承受過電壓、過電流的能力很差，這是它的主要缺點。例如一只 100A的 晶閘管 過電流為 400A 時，僅允許持續(xù) s，否則將因過熱而損壞； 晶閘管耐受過電壓的能力極差， 電壓超過其反向擊穿電壓時，即使時間極短，也容易損壞。 下一頁 返回 上一頁 退出 章目錄 35/61 ~1. 晶閘管的過電流保護(hù) (1) 快速熔斷器保護(hù) 電路中加快速熔斷器。 與晶閘 管串聯(lián) 接在輸入端 接在輸出端 快速熔斷器接入方式有三種，如下圖所示。 在交流側(cè)設(shè)置電流檢測電路，利用過電流信號控制觸發(fā)電路。 下一頁 返回 上一頁 退出 章目錄 37/61 ~~RRLLCCRRCCRRCRCR(2) 硒碓保護(hù) 2. 晶閘管的過電壓保護(hù) (1) 阻容保護(hù)