電力電子技術(shù)ppt課件-展示頁
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【正文】 返回 上一頁 退出 章目錄 19/61 3. 絕緣柵雙極型晶體管 IGBT 這種晶體管綜合了功率晶體管和功率場效晶體管的優(yōu)點(diǎn)，具有較高的電壓與電流和工作頻率，其關(guān)斷時(shí)間可縮短到 40 ns。 GTO全控示意圖 K GAiiGiiAREA下一頁 返回 上一頁 退出 章目錄 18/61 功率晶體管、功率場效晶體管和絕緣柵雙極型 晶體管 1. 功率晶體管 GTR 2. 功率場效晶體管 VDMOS 這種晶體管主要作為功率開關(guān)使用。 UA2UA1時(shí) 控制極相對(duì)于 A1加負(fù)脈沖， uGA1 0， 晶閘管反向?qū)?，電流?A1流向 A2。 晶閘管雙向觸發(fā)導(dǎo)通。 下一頁 返回 上一頁 退出 章目錄 15/61 晶閘管型號(hào)及其含義 導(dǎo)通時(shí)平均電壓組別 共九級(jí) , 用字母 A~I表示 ~ 額定電壓 ,用其百位數(shù)或千位數(shù)表示， 取 UDRM或 URRM較小者 額定正向平均電流 (IF) (晶閘管類型 ) P? 普通晶閘管 K? 快速晶閘管 S? 雙向晶閘管 晶閘管 K P 普通型 如 KP5?7表示 額定正向平均電流為 5A, 額定電壓為 700V。 下一頁 返回 上一頁 退出 章目錄 14/61 t ? 2? iO π)(ds i nπ21 mπ0mFIttII ?? ? ??IF 如果正弦半波電流的最大值為 Im, 則 普通晶閘管 IF為 1~1000A。 一般 URRM 比反向轉(zhuǎn)折電壓 |UBR|低 100V 。 一般 UDRM 比正向轉(zhuǎn)折電壓 UBO低 100V 。 ② 將陽極電源斷開或者在晶閘管的 陽極和陰極間加反向電壓。 依靠正反饋 ,晶閘管仍可維持導(dǎo)通狀態(tài)。 ② 晶閘管控制電路 (控制極與陰極之間 ) 加正向電壓或正向脈沖 (正向觸發(fā)電壓 )。 形成正反饋過程 G2B ii ?1BG22C iii ?? ?2C11C iβi ?2BG21 ii ?? ??EA 0、 EG 0 EART1T2EGA2BiG2iβGiG21iββK下一頁 返回 上一頁 退出 章目錄 10/61 EART1T2EGA2BiG2iβGiG21iββK 晶閘管導(dǎo)通后，去掉 EG， 依靠正反饋 ,仍可維持導(dǎo)通狀態(tài)。 晶閘管的結(jié)構(gòu)及符號(hào) 三 個(gè) PN 結(jié) 1. 普通晶閘管 K GA(b) 符號(hào) 下一頁 返回 上一頁 退出 章目錄 7/61 晶閘管相當(dāng)于 PNP型和 NPN型兩個(gè)晶體管的組合。 優(yōu)點(diǎn)： 體積小、重量輕、效率高、動(dòng)作迅速、維修簡單、操作方便、壽命長、 容量大 (正向平均電流達(dá)千安、正向耐壓達(dá)數(shù)千伏 )。它的出現(xiàn)使半導(dǎo)體器件由弱電領(lǐng)域擴(kuò)展到強(qiáng)電領(lǐng)域。 電力電子器件的分類 下一頁 返回 上一頁 退出 章目錄 4/61 電力電子器件的符號(hào) K GATK ADK GAG T OGSDV D M O SBECG T RGECIG B T 電力電子器件的主要性能指標(biāo)： 電壓、電流、工作頻率。 3. 全控器件 器件的導(dǎo)通和關(guān)斷均具可控的功能。 2. 半控器件 器件的導(dǎo)通可控 ,但關(guān)斷不可控。下一頁 返回 上一頁 退出 章目錄 2/61 第 19章 電力電子技術(shù) 電力電子器件 可控整流電路 逆變電路 交流調(diào)壓電路 直流斬波電路 (略 ) 下一頁 返回 上一頁 退出 章目錄 3/61 電力電子器件 1. 不控器件 器件的導(dǎo)通和關(guān)斷無可控功能。如整流二極管 (D)。如普通晶閘管 (T)。如可關(guān)斷晶閘管 (GTO) 、功率晶體管 (GTR) 、功率場效晶體管(VDMOS)及絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)等。 下一頁 返回 上一頁 退出 章目錄 5/61 晶閘管 晶閘管 (Silicon Controlled Rectifier)是在晶體管基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種大功率半導(dǎo)體器件。 晶閘管也像半導(dǎo)體二極管那樣具有單向?qū)щ娦?,但它的導(dǎo)通時(shí)間是可控的，主要用于整流、逆變、調(diào)壓及開關(guān)等方面。 下一頁 返回 上一頁 退出 章目錄 6/61 陽極 A P1P2N1N2G 控制極 K 陰極 (a) 結(jié)構(gòu) (1) 基本結(jié)構(gòu) G 四 層 半 導(dǎo) 體 晶閘管是具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu) , 其 結(jié)構(gòu)及符號(hào)如圖所示。 +KAT2T1_P2N1N2IGIAP1N1P2IKGP1P2N1N2KGAPPNNNPAGK下一頁 返回 上一頁 退出 章目錄 8/61 (1) 基本結(jié)構(gòu) 1. 普通晶閘管 晶閘管的結(jié)構(gòu)和外形 下一頁 返回 上一頁 退出 章目錄 9/61 (2) 工作原理 在極短時(shí)間內(nèi)使兩個(gè)晶體管均飽和導(dǎo)通 ,此過程稱觸發(fā)導(dǎo)通。 EA 0、 EG 0 G2B ii ?1BG22C iii ?? ?2C11C iβi ?2BG21 ii ?? ??形成正反饋過程 G (2) 工作原理 下一頁 返回 上一頁 退出 章目錄 11/61 晶閘管導(dǎo)通的條件： ① 晶閘管陽極電路 (陽極與陰極之間 ) 施加正向電壓。 晶閘管導(dǎo)通后 , 控制極便失去作用。 晶閘管關(guān)斷的條件： ① 必須使晶閘管陽極電流減小 ,
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