【正文】 對(duì)應(yīng)的標(biāo)記位在初始化的過(guò)程中會(huì)被讀出來(lái) ,不同廠商的壞塊標(biāo)記也不都相同 ,為了考慮兼容性 ,我們的驅(qū)動(dòng)必須考慮常用的所有情況 ,如果是壞塊就會(huì)記錄下來(lái) ,以后的使用中不再使用這個(gè)壞塊 。 MP0_3CON = 0x22222222。= ~(11)。 nand_send_addr(0x00)。 nand_deselect_chip()。 // Column Address A8~A11 NFADDR = (col 8) amp。 i10。 0xff。 i10。 0xff。 for(i=0。ch = nand_read()。 // 列地址，即頁(yè)內(nèi)地址 unsigned long col = nand_addr % NAND_PAGE_SIZE。 nand_addr++。 for(。 nand_send_cmd(NAND_CMD_WRITE_PAGE_2st)。 3） 驅(qū)動(dòng)之后， NAND FLASH 可以進(jìn)行擦除讀寫了，但由于嵌入式 NAND FLASH 存儲(chǔ)系統(tǒng)是個(gè)復(fù)雜度很高的 系統(tǒng) ,目前的 NAND FLASH 存儲(chǔ)系統(tǒng)隨機(jī)寫的性能還不是很好 ,而且是基于塊的緩存 ,在隨機(jī)寫的情況下 ,NAND FLASH 各塊的擦寫次數(shù)會(huì)迅速增加 ,而且 ,現(xiàn)在已經(jīng)實(shí)現(xiàn)的 NAND FLASH存儲(chǔ)系統(tǒng)對(duì)于 DMA的支持不是很好 ,占用 CPU會(huì)比較多 ,要留有優(yōu)化的余地 ,這一點(diǎn)是需要花精力去好好研究的地方。 // 3. 復(fù)位 nand_reset()。 = nand_read()。 // 2. 擦除：第一個(gè)周期發(fā)命令 0x60，第二個(gè)周期發(fā)塊地址，第三個(gè)周期發(fā)命令 0xd0 nand_send_cmd(NAND_CMD_BLOCK_ERASE_1st)。 i++)。 NFSTAT = (NFSTAT)|(14)。 1 ) { // 取消片選信號(hào) nand_deselect_chip()。 nand_send_addr(nand_addr)。amp。 printf(copy nand to sdram fail\r\n)。 // 列地址，即頁(yè)內(nèi)地址 unsigned long col = nand_addr % NAND_PAGE_SIZE。 nand_addr++。 return 1。在我畢業(yè)論文設(shè)計(jì)期間，各位老師無(wú)論是在生活還是專業(yè)知識(shí)上都給我提供了很大的幫助。 在論文的寫作過(guò)程中也學(xué)到了做任何事情要保持一顆好的心態(tài)，做事情要一絲不茍，任何問(wèn)題和偏差都不能輕易忽視，靜下心來(lái)通過(guò)正確的途徑去解決，在做事情的過(guò)程中要有 耐心和堅(jiān)持不懈的精神，遇到困難，只要堅(jiān)持下去總會(huì)有回報(bào)。 return 0。 nand_send_cmd(NAND_CMD_WRITE_PAGE_2st)。 // 寫一頁(yè)數(shù)據(jù)，每次拷 1byte，共拷 2048 次 (2k)，直到長(zhǎng)度為 length的數(shù)據(jù)拷貝完畢 for(。 } else { nand_deselect_chip()。 i++,length) { *sdram_addr = nand_read()。 nand_send_cmd(NAND_CMD_READ_2st)。 中國(guó)傳媒大學(xué)南廣學(xué)院本科畢業(yè)論文 21 return 1。 for(i=0。 0xff。 i10。 = nand_read()。 // 1. 發(fā)片選 nand_select_chip()。清華大學(xué)出版社。 } 根據(jù)下圖 10， NAND Flash 的寫操作共 7個(gè)步驟： 第一步 發(fā)片選； 第二步 發(fā)寫令 1 NAND_CMD_write_1st(0x00)； 第三步 發(fā)地址，調(diào)用函數(shù) nand_send_cmd()，發(fā) 5 個(gè)地址周期； 第四步 發(fā)寫命令 2 NAND_CMD_write_2st(0xD0)； 第五步 等待 NAND Flash 就緒； 第六步 從頁(yè)內(nèi)偏移地址開(kāi)始寫，寫到頁(yè)結(jié)尾即結(jié)束，每次寫 1byte； 中國(guó)傳媒大學(xué)南廣學(xué)院本科畢業(yè)論文 15 第七步 寫狀態(tài)，判斷是否寫成功。amp。 } 圖 9 NAND FLASH讀操作 中國(guó)傳媒大學(xué)南廣學(xué)院本科畢業(yè)論文 14 根據(jù)上圖 9， NAND Flash 的讀操作共 7個(gè)步驟： 第一步 發(fā)片選； 第二步 發(fā)讀命令 1 NAND_CMD_READ_1st(0x00)； 第三步 發(fā)地址，調(diào)用函數(shù) nand_send_cmd()，發(fā) 5 個(gè)地址周期； 第四步 發(fā)讀命令 2 NAND_CMD_READ_2st(0xD0)； 第五步 等待 NAND Flash 就緒； 第六步 從頁(yè)內(nèi)偏移地址開(kāi)始讀，讀到頁(yè)結(jié)尾即結(jié)束，每次讀 1byte； 第七步 讀狀態(tài)，判斷是否讀成功。 // 讀一頁(yè)數(shù)據(jù)，每次拷 1byte，共拷 2048 次 (2k)，直到長(zhǎng)度為 length 的數(shù)據(jù)拷貝完畢 for(。 Flash 讀函數(shù) copy_nand_to_sdram(),從 NAND Flash 中讀數(shù)據(jù)到 DRAM，核心代碼如下： { // 1. 發(fā)出片選信號(hào) nand_select_chip()。 i++)。 i10。 // Row Address A12~A19 NFADDR = row amp。 i10。 // Row Address A20~A27 NFADDR = (row 8) amp。 for(i=0。 // 行地址，即頁(yè)地址 row = addr / NAND_PAGE_SIZE。 = nand_read()。實(shí)質(zhì)就是 NFCMMD = cmd。 } 共 3 個(gè)步驟： 第一步 配置 NAND FLASH,主要是設(shè)置 NFCONF 和 NFCONT 兩個(gè)寄存器。在我們的設(shè)計(jì)中 ,我們預(yù)留 Flash 芯片容量， 10%的容量大小的塊來(lái)作為壞塊替換預(yù)留塊。 燒寫有兩種方式：第一種方式下載到 DRAM，第二種方式下載到 NAND FLASH， 方式一 下載到 DRAM，其設(shè)置方式如圖 5： 圖 5 平臺(tái)工具 先選中上方的 ” Download and run“，設(shè)置好下載地址，并且需要將地址發(fā)送給cpu“ RAMAddress(Download/Loading)”，選擇要運(yùn)行的裸機(jī)程序， 再點(diǎn)擊“下載運(yùn)行”就可以了。表 1是 K9F2G08U0A 具備的指令和功能： 表 1 K9F2G08U0A 的指令和功能圖 Function 1st Cycle 2nd Cycle Acceptable Command during Busy Read for Copy Back 00h Read ID 90h Reset FFh Page Program BDh O TwoPlane Page Program B0h11h CopyBack Program B5h TwoPlane CopyBack Program B5h11h Block Erase 60h TwoPlane Block Erase 60h50h Random Data input B5h Random Data Output 05h Read Status 70h O Read EDC Status 7Bh O Read 00h 中國(guó)傳媒大學(xué)南廣學(xué)院本科畢業(yè)論文 6 三、 cortexa8 裸機(jī)開(kāi)發(fā)方法 （ 一 ） 初步認(rèn)識(shí) IROM 和 IRAM S5pv210里有一個(gè) 64k 的 IROM 和 96k 的 IRAM,系統(tǒng)啟動(dòng)主要依賴于他們 。 WP:寫保護(hù)。如圖 2所示： 圖 2 NAND FLASH 引腳圖 中國(guó)傳媒大學(xué)南廣學(xué)院本科畢業(yè)論文 5 I/O~I/O7:數(shù)據(jù)輸入 /輸出口， I/O 口是用來(lái)輸入指令、地址和數(shù)據(jù)、并在讀周期時(shí)輸出數(shù)據(jù)的。 NOR 的傳輸效率很高，但寫入和讀出速度較低。沒(méi)有單獨(dú)的數(shù)據(jù)總線和地址總線 ,都通過(guò)控制引腳分時(shí)復(fù)用 FO 端中國(guó)傳媒大學(xué)南廣學(xué)院本科畢業(yè)論文 3 口，芯片尺寸小 ,引腳少 ,是位成本最低的固態(tài)存儲(chǔ)器，出廠時(shí)存在壞塊 區(qū) ,但不影響有效塊的使用 ,使用的時(shí)候需要用一定的方法來(lái)避免對(duì)壞塊的操作。 （二） FLASH存儲(chǔ)技術(shù)分類 NOR 技術(shù) NOR 技術(shù) (亦稱為 Linear 技術(shù) )閃存存儲(chǔ)器是最早出現(xiàn)的閃速存儲(chǔ)器 。 FLASH 特點(diǎn)具體如下： ,在沒(méi)有電源的條件下也能長(zhǎng)久地保存芯片內(nèi)存放的數(shù)據(jù)。 通過(guò)開(kāi)發(fā)板上實(shí)現(xiàn)讀取 NAND Flash 的 ID 數(shù)據(jù)、讀取 NAND Flash 中數(shù)據(jù)內(nèi)容、擦出塊中的數(shù)據(jù)、在空的空間寫入指定的數(shù)據(jù)，通過(guò)串口在 windows 中的超級(jí)終端顯示讀出的數(shù)據(jù)，以及寫后再讀出操作的數(shù)據(jù)，以證實(shí)確認(rèn)對(duì) NAND Flash 進(jìn)行了讀寫擦除等操作的執(zhí)行。然后研究了 NAND Flash 的基本理論，對(duì)閃存的概述，對(duì) NAND Flash 和 NOR Flash 進(jìn)行了對(duì)比，并介紹了 NAND Flash 的使用。特別是隨著嵌入式技術(shù)在各種消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的廣泛應(yīng)用，嵌入式系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和管理已經(jīng)成為一個(gè)重要的研究課題。 關(guān)鍵詞 ： 嵌入式系統(tǒng)； NAND Flash；驅(qū)動(dòng)；讀寫擦除 II ABSTRACT With the development of information technology and the popularity of digital products, embedded systems have bee the hotspot of research and application of puter technology. Especially with the the embedded technology widely used in various consumer electronics products, embedded systems, data storage and management has bee an important research topic. NAND Flash memory as a class of nonvolatile memory with low power consumption and fast read and write! Large capacity and low cost! Good shock resistance and is widely used in various embedded systems. NOR Flash and NAND Flash is currently on the market are two main nonvolatile flash memory technology, Nand technology early in the design for the purposes of data storage