【摘要】誠信聲明本人聲明:我所呈交的本科畢業(yè)設(shè)計論文是本人在導師指導下進行的研究工作及取得的研究成果。盡我所知,除了文中特別加以標注和致謝中所羅列的內(nèi)容以外,論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果。與我一同工作的同志對本研究所做的任何貢獻均已在論文中作了明確的說明并表示了謝意。本人完全意識到本聲明的法律結(jié)果由本人承擔。申請學位論文與資
2025-07-11 09:34
【摘要】河南理工大學萬方科技學院畢業(yè)論文摘要碳化硅陶瓷具有高溫強度高、抗氧化性強、耐磨損性好、熱膨脹系數(shù)小、硬度高、抗熱震和耐化學腐蝕等優(yōu)良特性,因此,在很多領(lǐng)域得到廣泛應用。然而,SiC是一種共價鍵性很強的化合物,其自擴散系數(shù)極小,可燒結(jié)性很差。在傳統(tǒng)的粉末冶金SiC燒結(jié)工藝條件下,如果不加入適當?shù)奶砑?/span>
2025-06-28 10:56
【摘要】河南理工大學萬方科技學院畢業(yè)論文I摘要碳化硅陶瓷具有高溫強度高、抗氧化性強、耐磨損性好、熱膨脹系數(shù)小、硬度高、抗熱震和耐化學腐蝕等優(yōu)良特性,因此,在很多領(lǐng)域得到廣泛應用。然而,SiC是一種共價鍵性很強的化合物,其自擴散系數(shù)極小,可燒結(jié)性很差。在傳統(tǒng)的粉末冶金
2025-08-23 16:38
【摘要】齊齊哈爾大學畢業(yè)設(shè)計(論文)CO2+H2反應過程中催化劑的研究第1章緒論課題背景目前,使地球變暖的主要原因之一即排放于大氣中的各種工業(yè)廢氣中的二氧化碳氣體?!?0的濃度增長。近年來,由于未能有效治理導致溫室效應的廢氣排放量增加,全球氣候加速惡化,世界許多地區(qū)出現(xiàn)嚴重的暴風雨,水災和旱災。據(jù)初步統(tǒng)計,世界范圍內(nèi)的天災已在2001年對世界造成至少89
2025-06-22 18:55
2025-08-10 17:27
【摘要】齊齊哈爾大學畢業(yè)設(shè)計(論文)CO2+H2反應過程中催化劑的研究1第1章緒論課題背景目前,使地球變暖的主要原因之一即排放于大氣中的各種工業(yè)廢氣中的二氧化碳氣體。預計大氣中的二氧化碳含量每年以×106?的濃度增長。近年來,由于未能有效治理導致溫室效應的廢氣排放量增加,全球氣候加速惡化,世界許多地區(qū)出
2025-08-18 18:05
【摘要】LED節(jié)能燈驅(qū)動電路的設(shè)計目錄摘要 1Abstract 2第1章緒言 3課題背景 3課題研究的目的和意義 3LED驅(qū)動電路的發(fā)展概況及發(fā)展趨勢 4第2章LED的基礎(chǔ)知識 5LED的基本概念及特點 5LED的基本概念 5LED的特點 5LED的發(fā)光原理及主要參數(shù) 7
2025-07-27 09:11
【摘要】內(nèi)蒙古科技大學本科生畢業(yè)論文題目:不同沉淀劑水熱合成Ni(OH)2及其表征學生姓名:學號:202166115322專業(yè):化學工程與工藝班
2024-12-04 09:54
【摘要】太原工業(yè)學院畢業(yè)論文I畢業(yè)論文熱塑性淀粉基納米復合材料的制備及其性能研究摘要:淀粉是一種十分重要的天然高分子,具有來源廣泛、價格低廉和可生物降解等優(yōu)點,是制備生物可降解材料的理想原料。天然淀粉以淀粉粒的形式存在,具有很高的結(jié)晶度(20-45%)。淀粉分子之間氫鍵作用強,限制了分子鏈的運動,因此淀粉不具備熱塑性加工的性能。通過添加分子的增塑劑,在熱和剪切的作用下可
2025-06-28 16:06
【摘要】太原工業(yè)學院畢業(yè)論文I畢業(yè)論文熱塑性淀粉基納米復合材料的制備及其性能研究摘要:淀粉是一種十分重要的天然高分子,具有來源廣泛、價格低廉和可生物降解等優(yōu)點,是制備生物可降解材料的理想原料。天然淀粉以淀粉粒的形式存在,具有很高的結(jié)晶度(20-45%)。淀粉分子之間氫鍵作用強,限制了分子鏈的運動,因此淀粉不具備熱塑性加工的性能。通過添加分子
2025-08-21 16:53
【摘要】SiC陶瓷的高壓燒結(jié)工藝及性能材料專業(yè)本科畢業(yè)論文河I摘要碳化硅陶瓷具有高溫強度高、抗氧化性強、耐磨損性好、熱膨脹系數(shù)小、硬度高、抗熱震和耐化學腐蝕等優(yōu)良特性,因此,在很多領(lǐng)域得到廣泛應用。然而,SiC是一種共價鍵性很強的化合物,其自擴散系數(shù)極小,可燒結(jié)性很差。在傳統(tǒng)的粉末冶金SiC燒結(jié)工藝條件下,如果不加入適當?shù)奶砑觿?
2025-08-23 16:39
【摘要】磁控濺射法制備Cu膜摘要沉積速率高、基材溫升低的磁控濺射工藝,已經(jīng)成為半導體集成電路金屬化工藝的主流。本文重點對在硅晶圓上濺射金屬銅薄膜的實際鍍膜過程中的淀積速率進行了理論和實驗研究。結(jié)果表明淀積速率隨工作氣壓的增大先增大后減??;隨著溫度增大而減小,但均勻性增強;當入射離子的能量超過濺射閾值時,淀積速率隨著濺射功率的增加先增加后下降;同時還討論了濺射功率、淀積時間對膜厚和膜質(zhì)
2025-06-27 16:07