【正文】 在一 側(cè)， PCB 容 易走 線。 布爾邏輯比較簡(jiǎn)單，在此不贅述； 2. 高阻態(tài) 就是輸出既不是高電平，也不是低電平，而是高阻抗的狀態(tài)；在這種狀態(tài)下，可以多個(gè)芯片并聯(lián)輸出；但是，這些芯片中只能有一個(gè)處于非高阻態(tài)狀態(tài)，否則會(huì)將芯片燒毀；高阻態(tài)的概念在 RS232 和 RS422 通訊中還 可以用到。 ④可用在 8086的 譯碼 電路中， 擴(kuò)展內(nèi)存 。 四、 功能模塊設(shè)計(jì)與分析 DS18B20 溫度模塊 DS18B20 是美國(guó) DALLAS 半導(dǎo)體公司推出的 第一片支持“一線總線”接口的溫度傳感器，它具有微型化、低功耗、高性能、抗干擾能力強(qiáng)、易配微處理器等優(yōu)點(diǎn)，可直接將溫度轉(zhuǎn)化成串行數(shù)字信號(hào)處理器處理。該位置位后 ,只要一條 MOVX 和 MOVC 指令才會(huì)激活 ALE。當(dāng)振蕩器工作時(shí)， RST 引腳出現(xiàn)兩個(gè)機(jī)器周期以上的高電平時(shí)間將使單片機(jī)復(fù)位。對(duì)端口寫(xiě)“ 1” ,通過(guò)內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平 ,此時(shí)可作輸入口。作為輸出口用時(shí)，能驅(qū)動(dòng) 8 個(gè) TTL 邏輯門(mén)電路。 （ 7）讀數(shù)據(jù)線的狀態(tài)得到 1 個(gè)狀態(tài)位，并進(jìn)行數(shù)據(jù)處理。 （ 6） 重復(fù)上（ 1）到（ 6）的操作直到所有的字節(jié)全部發(fā)送完為止。據(jù)該狀態(tài)可以來(lái)確定它的存在，但是應(yīng)注意不能無(wú)限的進(jìn)行等待，不然會(huì)使程序進(jìn)入死循環(huán)，所以要進(jìn)行超時(shí)控制）。所有時(shí)序都是將主機(jī)作為主設(shè)備，單總線器件作為從設(shè)備。 例如 +125℃的數(shù)字輸出為 07D0H， +℃的數(shù)字輸出為 0191H， ℃的數(shù)字輸出為 FF6FH， 55℃的數(shù)字輸出為 FC90H。計(jì)數(shù)器 1 和溫度寄存器被預(yù)置在－ 55℃所對(duì)應(yīng)的一個(gè)基數(shù)值。其溫度測(cè)量范圍為 55 0C～ 125 0C，精確到 0C。溫度信號(hào)由溫度芯片 DS18B20 采集，并以數(shù)字信號(hào)的方式傳送給單片機(jī)。 通過(guò)本次課程設(shè)計(jì)，更加深對(duì) 51單片機(jī)的了解，進(jìn)一步加深我們對(duì) 51單片機(jī)解決實(shí)際問(wèn)題的工作 能力。 DS18B20 測(cè)溫原理如圖 3 所示。光刻 ROM 的作用是使每一個(gè) DS18B20 都各不相同，這樣就可以實(shí)現(xiàn)一根總線上掛接多個(gè)DS18B20 的目的。 由于 DS18B20 是在一根 I/O線上讀寫(xiě)數(shù)據(jù)，因此，對(duì)讀寫(xiě)的數(shù)據(jù)位有著嚴(yán)格的時(shí)序要求。 （ 4） 延時(shí) 750 微秒（該時(shí)間的時(shí)間范圍可以從 480 到 960 微秒）。 （ 3） 按從低位到高位的順序發(fā)送字節(jié)（一次只發(fā)送一位）。 （ 4）延時(shí) 3 微秒。此外， AT89S51 可降 第 8 頁(yè) 至 0Hz 的靜態(tài)邏輯操作 ,并支持兩種軟件可選的節(jié)電工作模式 ,空閑模式， CPU暫停工作，而 RAM、定時(shí) /計(jì)數(shù)器、串行通信口、外中斷系統(tǒng)可繼續(xù)工作。對(duì)端口寫(xiě)“ 1” ,通過(guò)內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平 ,此時(shí)可作輸入口 。對(duì) P3 口寫(xiě)“ 1”時(shí) ,它們被內(nèi)部的上拉電阻拉高并可作為輸入端口。值得注意的是 :每當(dāng)訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)將跳過(guò)一個(gè) ALE脈沖。欲使 CPU 僅訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器（地址為 0000HFFFFH），EA端必須保持低電平 (接地 )。 比如 ：A2A1A0=110時(shí)，則 Y6輸出端輸出低 電平信號(hào) 。 ④可用在 8086的 譯碼 電路中， 擴(kuò)展內(nèi)存 。 在單片機(jī)按照 RAM 方式進(jìn)行并行數(shù)據(jù)的擴(kuò)展時(shí)，使用 movx dptr, A 這條指令時(shí) ，這些時(shí)序是由單片機(jī)來(lái)實(shí)現(xiàn)的。 六、 實(shí)驗(yàn)儀器及元器件清單 第 12 頁(yè) DS18B20,AT89S52,海翔 HXV2 開(kāi)發(fā)板， KILL 開(kāi)發(fā)環(huán)境， win7 電腦。 uchar flag_get,count,num,minute,second。 //寫(xiě)一個(gè)字節(jié) void delay(unsigned int i)。 TR0=1。 if(flag_get==1) //定時(shí)讀取當(dāng)前溫度正負(fù) { temp=ReadTemperature()。0x0F。 if (num==50) {num=0。}//數(shù)碼管掃描 if(count==2) {P2=1。 } if(count==6) 第 15 頁(yè) { P2=5。 //單片機(jī)將 DQ 拉低 delay(80)。i0。 for (i=8。 } delay(5)。 Init_DS18B20()。 } 。 //跳過(guò)讀序號(hào)列號(hào)的操作 WriteOneChar(0xBE)。 unsigned int b=0。 i) { DQ = 0。 // 給脈沖信號(hào) dat=1。 //拉高總線 delay(10)。 count=0。} if(count==3) { P2=2。//標(biāo)志位有效 second++。//小數(shù)近似處理 flag_get=0。0x8000) { str[0]=0x40。 count=0。 TMOD|=0x01。 //7 段數(shù)碼管段碼表共陽(yáng) 0__9 uchar str[6]。通過(guò)這次課程設(shè)計(jì)使我懂得了理論與實(shí)際相結(jié)合是很重要的，只有理論知識(shí)是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的，只有把所學(xué)的理論知識(shí)與實(shí)踐相結(jié)合起來(lái)，從理論中得出結(jié)論，才能真正為社會(huì)服務(wù)，從而提高自己的實(shí)際動(dòng)手能力和獨(dú)立思考的能力。將數(shù)據(jù)輸出到并行數(shù)據(jù)端口 clr LE setb LE clr LE 。 每個(gè)芯片的數(shù)據(jù)手冊(cè)（ datasheet）中都有真值表。 ③若將選通端中的一個(gè)作為數(shù)據(jù)輸入端時(shí)， 74LS138還可作 數(shù)據(jù)分配器 。 如 EA 端保持高電平 (接 VCC 端 )， CPU 則執(zhí)行內(nèi)部程序存儲(chǔ)器中的指令。 如有必要 ,可通過(guò)對(duì)特殊功能寄存器 (SFR)區(qū)中的 8EH 單元的 D0位置位 ,可禁止 ALE操作。 RST：復(fù)位輸入。 P2口 :P2口是一個(gè)帶有內(nèi)部上拉電阻的 8位雙向 I/O口 , P2口的輸出緩沖級(jí)可驅(qū)動(dòng) (吸收或輸出電流 )4個(gè) TTL 邏輯門(mén)電路。同時(shí)該芯片還具有 PDIP、TQFP 和 PLCC 等三種封裝形式，以適應(yīng)不同產(chǎn)品的需求 AT89C51 引腳 P0 口： P0 口為一個(gè) 8 位漏級(jí)開(kāi)路雙向 I/O 口，也即地址 /數(shù)據(jù) 總線復(fù)用口。 （ 6）延時(shí) 5 微秒。 （ 5） 將數(shù)據(jù)線拉到高電平。 第 7 頁(yè) （ 6） 延時(shí)等待（如果初始化成功則在 15到 60毫秒時(shí)間之內(nèi)產(chǎn)生一個(gè)由 DS18B20所返回的低電平“ 0”。該協(xié)議定義了幾種信號(hào)的時(shí)序：初始化時(shí)序、讀時(shí)序、寫(xiě)時(shí)序。 表 1: DS18B20溫度值格式表 這是 12位轉(zhuǎn)化后得到的 12 位數(shù)據(jù)，存儲(chǔ)在 18B20 的兩個(gè) 8 比特的 RAM 中，二進(jìn)制中的前面 5 位是符號(hào)位，如果測(cè)得的溫度大于 0，這 5 位為 0，只要將測(cè)到的數(shù)值乘于 即可得到實(shí)際溫度；如果溫度小于 0，這 5 位為