ltps制程與技術(shù)發(fā)展-文庫(kù)吧在線文庫(kù)
【正文】 ? 為了 PolySi薄膜之源極和汲極層的低電阻化，及使關(guān)閉 (Off)電壓值提高，導(dǎo)入高濃度不純物的工程 ? 方法： ? 先利用離子植入裝置、雷射摻雜裝置和電漿摻雜裝置 ? 再將不純物的原子導(dǎo)入，再利用熱或雷射能量將不純物原子予以活性化。C或更低的溫度下經(jīng)由雷射退火的製程，形成多結(jié)晶狀態(tài)的矽薄膜。 液晶胞製程 (6) 6. 貼合附著工程： ? 封合部分的形成和間隔物的散布等處理後之 Array下基板及 CF上基板，就其相互間預(yù)先設(shè)定之對(duì)應(yīng)電極進(jìn)行對(duì)位處理 (利用光學(xué)式精密對(duì)位 ) ? 將其相互進(jìn)行一邊加壓一邊加熱，或照射紫外線使其貼合緊密並達(dá)到硬化處理 液晶胞製程 (7) 7. 分割切斷工程：貼合硬化後的每片基板進(jìn)行多片式的分割和切斷處理，使其成為每一單片的面板半成品。 陣列電路製程 (4) ? 與 αSi TFT製程相比較，大部分的步驟是相類似的 ? PolySi TFT的特徵，有 –低溫雷射退火的結(jié)晶化技術(shù) (Laser Annealing Crystallization) –低溫?fù)诫s汲極技術(shù) (Lightly Doping Drain，LDD) –氫化處理技術(shù) (Hydrogen eration) 陣列電路製程 (5) ? 氫化處理的目的在於 –使矽原子的未結(jié)合鍵或未飽和鍵，能與氫原子結(jié)合而使其呈飽和狀態(tài) –可獲得高的載體移動(dòng)度 –使電子訊號(hào)的傳送速度變快 –動(dòng)態(tài)畫質(zhì)顯示清晰明亮。 資料來(lái)源：工研院電子所 資料來(lái)源：工研院電子所 PolySi/αSi特性比較 ? αSi TFT LCD的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單化和畫面高精細(xì)化。 資料來(lái)源：工研院電子所 標(biāo)準(zhǔn)化製作過(guò)程 (11) ： ? 配線和電極材料的選用，以鉬 (Mo)、鉭(Ta)、鉻 (Cr)和鋁 (Al)等金屬導(dǎo)電膜為主 ? 製程以濺鍍法為主流 資料來(lái)源：工研院電子所 資料來(lái)源：工研院電子所 標(biāo)準(zhǔn)化製作過(guò)程 (12) ： ? 為提升 PolySi TFT之 IV特性關(guān)係 ? 將 TFT通道區(qū)域的 PolySi層之未飽和鍵與氫鍵結(jié)合後呈飽和狀態(tài)，促使電場(chǎng)效應(yīng)移動(dòng)度的提升 ? 一般使用 ? 氫退火爐裝置 ? 電漿氫裝置：所得之活性化氫原子最有效 標(biāo)準(zhǔn)化製作過(guò)程
環(huán)評(píng)公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1