光刻工藝原理8-文庫(kù)吧在線文庫(kù)
【正文】 投影掩膜版的視場(chǎng)到硅片表面 )快門再聚焦和對(duì)準(zhǔn)過(guò)程中閉合 ,而在曝光過(guò)程中打開對(duì)準(zhǔn)激光曝光光線波長(zhǎng)越短能爆出的特征尺寸就越小。 準(zhǔn)分子激光161。它們以薄層的形式被淀積在硅片上。 有機(jī)抗反射涂層通過(guò)吸收光減少反射。 目的：提高光刻膠的粘附性并減少駐波。 負(fù)膠通過(guò)紫外曝光發(fā)生交聯(lián)或變硬。 顯影液量161。低速排風(fēng)會(huì)導(dǎo)致顯影模塊中霧狀顯影液的剩余，剩余的顯影液會(huì)落在硅片上與光刻膠發(fā)生反應(yīng)。顯影檢查的返工流程1. 氣相成底膜HMDS2. 旋轉(zhuǎn)涂膠光刻膠3. 軟烘 4. 對(duì)準(zhǔn)和曝光UV光掩膜版5. 曝光后烘焙6. 顯影7. 堅(jiān)膜烘焙8. 顯影后檢查O2等離子體去膠清洗不合格硅片合格硅片離子注入 刻蝕返工堅(jiān)膜 烘焙161。 高溫下變軟的光刻膠流動(dòng)光刻膠刻蝕的定義：用化學(xué)或物理的方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過(guò)程。它是亞微米尺寸下刻蝕器件的最主要方法。刻蝕出窗口，而具有高深寬比的窗口刻蝕具有一定的挑戰(zhàn)性的挑戰(zhàn)性161。傷和昂貴的設(shè)備。 單晶硅刻蝕主要用于制作溝槽，如器件隔離溝槽或高密度的DRAM IC中的垂直電容制作。刻蝕檢查161。 均勻性161?？涛g速率用下式來(lái)計(jì)算： 刻蝕速率＝ ΔT/t ( 197。即刻蝕只在垂直于硅片表面的方向進(jìn)行，只有很少的橫向刻蝕。一個(gè)高選擇比的刻蝕工藝不刻蝕下一層材料（刻蝕到恰當(dāng)?shù)纳疃葧r(shí)停止）并且保護(hù)的光刻膠也未被刻蝕。在一些情況下，刻蝕殘留物可以在去除光刻膠的過(guò)程中或用濕法化學(xué)腐蝕去掉。顆粒沾污的控制可通過(guò)優(yōu)化刻蝕設(shè)備，合適的操作和關(guān)機(jī)，對(duì)被刻蝕的膜層選用合適的化學(xué)氣體。 1故人江海別，幾度隔山川。 一月 214:07 下午 一月 2116:07January 28, 2023161。 16:07:4716:07:4716:071/28/2023 4:07:47 PM161。 28 一月 20234:07:47 下午 16:07:47一月 21161。 楊柳散和風(fēng)，青山澹吾慮。 1知人者智，自知者明。 2023/1/28 16:07:4716:07:4728 January 2023161。 28 一月 20234:07:47 下午 16:07:47一月 21161。 1越是沒(méi)有本領(lǐng)的就越加自命不凡。 1少年十五二十時(shí)，步行奪得胡馬騎。 16:07:4716:07:4716:07Thursday, January 28, 2023161。 4:07:47 下午 4:07 下午 16:07:47一月 21161。 1他鄉(xiāng)生白發(fā)，舊國(guó)見青山。 雨中黃葉樹，燈下白頭人。 等離子體誘導(dǎo)損傷：包含帶能離子，電子和激發(fā)分子的等離子體可引起對(duì)硅片上的敏感器件引起等離子體誘導(dǎo)損傷。保持硅片的均勻性是保證制造性能一致的關(guān)鍵。它通常是由于橫向鉆蝕引起的?？涛g速率刻蝕速率?T刻蝕開始 刻蝕結(jié)束t =刻蝕時(shí)間?T =刻蝕掉的厚度刻蝕剖面刻蝕剖面的定義：指的是被刻蝕圖形的側(cè)壁形狀。 顆粒沾污和缺陷刻蝕速率：指在刻蝕過(guò)程中去掉硅片表面材料的速度，通常用197。 刻蝕速率161。 金屬的刻蝕要求主要有以下幾點(diǎn)：1. 高刻蝕速率；2. 對(duì)下面層的高選擇比，對(duì)掩蔽層和層間介質(zhì)層；3. 高的均勻性，且 CD控制很好，沒(méi)有微負(fù)載效應(yīng)；4. 沒(méi)有等離子體誘導(dǎo)充電帶來(lái)的器件損傷；5. 殘留物污染少；6. 快速去膠；7. 不會(huì)腐蝕金屬；8. 鋁和金屬的復(fù)合層：通常用氯基氣體來(lái)刻蝕鋁。2. 結(jié)下來(lái)的是刻至終點(diǎn)的主刻蝕。 金屬刻蝕：主要是在金屬層上去掉鋁合金復(fù)合層，制作出互金屬刻蝕：主要是在金屬層上去掉鋁合金復(fù)合層，制作出互連線。161。 刻蝕161。充分加熱后，光刻膠變軟并發(fā)生流動(dòng)。 顯影后檢查出現(xiàn)有問(wèn)題的硅片有兩種處理方法：161。161。 顯影溫度 :顯影液最適宜的溫度是 15到 25 ℃ ，其溫度確定后，誤差必須控制在 177。 質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn) : 線條分辨率 均勻性 顆粒和缺陷真空吸盤與轉(zhuǎn)動(dòng)電機(jī)連接的轉(zhuǎn)桿至真空泵顯影液噴頭顯影：用化學(xué)顯影液溶解由曝光造成的光刻膠的可溶解區(qū)域就是光刻膠顯影，其主要目的是把掩膜版圖形準(zhǔn)確復(fù)制到光刻膠中。無(wú)間距誤差掩膜壽命半永久；成品率高；掩膜版制作容易；分辨率高；對(duì)準(zhǔn)精度高；缺點(diǎn) 掩膜版壽命低 ,晶片易損壞； 成品率低；分辨率低；線寬偏差大；分辨率比接近式稍差 。161。在光刻膠下面最終要被刻蝕形成圖案的底層薄膜，如果這個(gè)底層膜是反光的那么光線將從這個(gè)膜層反射并有可能損害臨近的光刻膠，這個(gè)損害能夠?qū)€寬控制產(chǎn)生不利的影響。光學(xué)曝光曝光光源161。161。 ,而很難區(qū)分曝光和未曝光的光刻膠 。 改善粘附性161。161。 好的對(duì)比度光刻膠膜敏感度：是硅片表面光刻膠中產(chǎn)生一個(gè)良好圖形所需的一定波長(zhǎng)光的最小能量值 ,提供給光刻膠的光能量值通常稱為曝光量。對(duì)比度代表著只適于在掩膜板透光區(qū)規(guī)定范圍內(nèi)曝光的光刻膠的能力。隨著特征尺寸減小，要將特征圖形彼此分開更困難影響曝光分辨率的主要因素161。161。 正性光刻膠和負(fù)性光刻膠，基于光刻膠材料是如何響應(yīng)曝光光源的。涂膠設(shè)備ZYXq光刻膠噴嘴背面 EBR真空真空吸盤旋轉(zhuǎn)電機(jī)硅片抽氣泄漏光刻膠液流不銹鋼碗氣流 氣流噴嘴位置可四個(gè)方向調(diào)整光刻膠161。粘度越高轉(zhuǎn)速越低，光刻膠就越厚。2 旋轉(zhuǎn)鋪開 :快速加速硅片的旋轉(zhuǎn)到一高的轉(zhuǎn)速 (rpm)使光刻膠伸展到整個(gè)硅片表面 。 硅片成底膜處理的一個(gè)重要方面在于成底膜后要盡快涂膠 ,使潮氣問(wèn)題最小化 .161。161。 低缺陷密度 如果在器件上產(chǎn)生一個(gè)缺陷，即使缺陷很小，也可能使芯片失效。161。即使用光敏光刻膠材料和可控制的曝光在硅片表面形成三維圖形。光刻的本質(zhì)就是把臨時(shí)電路結(jié)構(gòu)復(fù)制到以后要進(jìn)行刻蝕和離子注入的硅片上。 分辨率：指將硅片上特征圖形區(qū)分開來(lái)的能力。161。光刻工藝161。在各個(gè)工藝步驟間的保存和傳送硅片時(shí)不可避免地要引入沾污，所以清洗步驟非常必要。 加速到約 3000 至 5000 rpm161。 硅片上光刻膠的厚度和均勻性是非常重要的質(zhì)量參數(shù)。當(dāng)干燥時(shí)，光刻膠剝落并產(chǎn)生顆粒。 。光刻膠的成分添加劑 : 控制光刻膠材料特殊方面的化學(xué)物質(zhì)溶劑 : 使光刻膠具有流動(dòng)性感光劑 : 光刻膠材料的光敏成分樹脂 : 作為粘合劑的聚合物的混合物 ,給予光刻膠機(jī)械和 化學(xué)性質(zhì)負(fù)性光刻膠交聯(lián)被曝光的區(qū)域發(fā)生交聯(lián) ,并變成阻止顯影的化學(xué)物質(zhì)未曝光的區(qū)域保留可容于顯影液的化學(xué)物質(zhì) .曝光前負(fù)性光刻膠 曝光后負(fù)性光刻膠 顯影后負(fù)性光刻膠UV氧化硅光刻膠襯底交聯(lián)
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