3晶體理論簡(jiǎn)述-文庫(kù)吧在線文庫(kù)
【正文】 (h k l)是簡(jiǎn)單的互質(zhì)整數(shù)比，在晶體中有些晶面具有共同的特點(diǎn)，其上原子排列和分布規(guī)律是完全相同的，晶面間距也相同，唯一不同的是晶面在空間的位向，這樣的一組等同晶面稱為一個(gè)晶面族，用符號(hào) {hkl}表示?；蛘哒f(shuō)多晶體是由許多取向不同而隨機(jī)排布的小晶體組成。 晶胞的兩個(gè)要素： (1)晶胞的大小與形狀： (2) 晶胞的內(nèi)容： 粒子的種類，數(shù)目及它在晶胞中的相對(duì)位置。 1. 晶體結(jié)構(gòu)的特征與晶格理論 一、 晶體結(jié)構(gòu)特征和類型 非晶體： 內(nèi)部微粒在空間作無(wú)規(guī)則排列構(gòu)成的固體。而微粒所占有的位置稱為 晶格結(jié)點(diǎn)。 5H 2 O 按帶心型式分類，將七大晶系分為 14種型式。晶體中不同的晶面和不同的晶向上原子的排列方式和密度不同，構(gòu)成了晶體的各向異性。 在立方晶系中，具有相同指數(shù)的晶向和晶面必定是相垂直的，即 [hkl] 垂直于（ hkl）。 （１）點(diǎn)缺陷： 晶格結(jié)點(diǎn)粒子發(fā)生局部錯(cuò)亂的現(xiàn)象。 按照兩側(cè)晶體間的幾何關(guān)系，面缺陷可分為： 平移界面 (堆垛層錯(cuò) ) 孿晶界面 位錯(cuò)界面 (晶粒邊界 ) （４） 體 缺 陷 體 缺 陷： 由點(diǎn)缺陷或面缺陷造成在完整的晶格中可能存在著空洞或夾雜有包裹物等 ,使晶體內(nèi)部的空間晶格結(jié)構(gòu)整體上出現(xiàn)了一定形式的缺陷。 從微觀角度來(lái)看，晶體生長(zhǎng)過(guò)程可以看作一個(gè) “ 基元 ” 過(guò)程，所謂 “ 基元 ” 是指結(jié)晶過(guò)程中最基本的結(jié)構(gòu)單元，也叫成核。 一旦晶核形成后，就形成了固－液界面，在界面上就要進(jìn)行生長(zhǎng)，即組成晶體的原子、離子要按照晶體結(jié)構(gòu)的排列方式堆積起來(lái)形成晶體。 ? (3) 基元在界面的運(yùn)動(dòng)：基元由于熱力學(xué)的驅(qū)動(dòng)，在界面上遷移運(yùn)動(dòng)。 （ 3）非化學(xué)計(jì)量缺陷 定義 :指組成上偏離化學(xué)中的定比定律所形成的缺陷。
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