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正文內(nèi)容

sem電子顯微鏡與電子探針-文庫(kù)吧在線文庫(kù)

  

【正文】 二次電子象 50V 背散射電子象 △ 閃爍體 610kV 吸引、加速電子 撞擊閃爍體發(fā)光 △ 光導(dǎo)管 △ 光子倍增器 二次電子象與背散射電子象的比較 二次電子象 背散射象 主要利用 形貌襯度 成分襯度 收集極 +250- 500V - 50V 分辨率 高 較差 無(wú)陰影 有陰影 信號(hào)大,信噪比好 五、主要部件 電子光學(xué)系統(tǒng) 掃描系統(tǒng) 信號(hào)檢測(cè)系統(tǒng) 圖象顯示系統(tǒng) 電源系統(tǒng)和真空系統(tǒng) 電子光學(xué)系統(tǒng) : 初級(jí)束要求:束斑盡可能小 電流盡可能大 取折衷 (一 )電子源 (二 )電子槍 (一 ) 電子源 1. 熱發(fā)射源 當(dāng)溫度超過(guò)一定值時(shí),有較多的電子具有克服表面勢(shì)壘 (功函數(shù) φ ) 的動(dòng)能而逃離金屬射出。 射出表面, E~Ep △ 特征能量損失 △ 多次散射后射出-形成本底 △ 在樣品中停止,變?yōu)槲针娏? △ 從樣品透射 (TEM) △ 二次電子:外層價(jià)電子激發(fā) (SEM) △ 俄歇電子:內(nèi)層電子激發(fā) (AES) △ 特征 X射線:內(nèi)層電子激發(fā) (EPMA) △ 連續(xù) X射線:軔致輻射 (本底) 對(duì)于半導(dǎo)體材料: △ 陰極熒光 △ 電子束感生電流 2
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