電學半導體簡答題-文庫吧在線文庫
【正文】 是否仍然正確? 電場強度不大的條件下；不正確？、載流子濃度及遷移率？ 從霍爾電壓的正負可以判別半導體的導電類型；測出RH可求載流子濃度；測出電導率可求出霍爾遷移率。如果對半導體施加外界作用，破壞了熱平衡條件，這就迫使它處于與熱平衡狀態(tài)相偏離的狀態(tài)，稱為非平衡狀態(tài)。一般來說，所有的雜質或缺陷能級都有某種程度的陷阱效應，而且陷阱效應是否成立還與一定的外界條件有關。3. 平衡p–n結既然存在有電勢差，為什么p–n結又不能作為固體電池呢？pn結的內(nèi)電勢是為了抵消結兩邊載流子因濃度差而產(chǎn)生的擴散運動而產(chǎn)生的–n結處的空間電荷層寬度的數(shù)量級是多少？這種空間電荷層是由什么組成的？–n結整流方程，并說明方程中每一項的物理意義？對于較大的正向偏置和反向偏置，這個方程分別說明什么樣的物理過程？J=JS[exp（qV/k0T)1] 正向偏壓,反向偏壓越大，勢壘厚度就越大，則勢壘電容越小。③通過耗盡層的電子和空穴電流為常量耗盡層中沒有載流子的產(chǎn)生 及復合作用。所以，當半導體重摻雜時，它與金屬的接觸可以形成接近理想的歐姆接觸。 （2）擴散理論：對于n型阻擋層，當勢壘寬度比電子平均自由程大得多時，電子通過勢壘區(qū)將發(fā)生多次碰撞，這樣的阻擋層稱為厚阻擋層。當表面態(tài)密度不是很高時，金屬功函數(shù)對勢壘高度產(chǎn)生不同程度的影響。E0與費米能級之差稱為半導體的功函數(shù)。以N型半導體為例（1）熱電子發(fā)射理論：當n型阻擋層很薄，以至于電子平均自由程遠大于勢壘寬度時，電子在勢壘區(qū)的碰撞可以忽略，因此，這時起決定作用的是勢壘高度。指金屬與半導體的接觸，其接觸面的電阻遠小于半導體本身的電阻，實現(xiàn)的主要措施是在半導體表面層進行高參雜或引入大量的復合中心。無，少數(shù)載流子越過PN結形成很小的反向電流，此時PN結截止。處于反偏的PN結，無光照時，反向電阻很大，反向電流很?。挥泄庹諘r，光子能量足夠大產(chǎn)生空穴對，在PN結電場作用下，形成光電流，電流方向與反向電流一致，光照越大電流越大。3. 什么是丹倍效應?什么是光磁效應?丹倍效應：非平衡載流子擴散速度的差異而引導起的光照方向產(chǎn)生電場和電位差。1. 為什么在非平衡條件下，能用
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