多晶硅車間工藝培訓(xùn)(存儲版)
【正文】 爐內(nèi)熾熱硅芯向爐筒內(nèi)壁輻射的熱量，維持爐筒內(nèi)壁的溫度。 在取樣測量器各項(xiàng)質(zhì)量指標(biāo)合格后包裝。部分充有氫氟酸的洗滌液體從循環(huán)液體中分離出來供給污水 處理廠。 三、硅芯拉制 在三氯氫硅的氫還原過程中，硅芯是沉積多晶硅的裁體，硅芯拉制和測試中，難避免其表面的沾污，為了得到高純的多晶硅，必須用物理和化學(xué)的方法除去硅芯表面的油污、氧化物及金屬雜質(zhì)等。 （ 8）生長界面形狀（固液界面）：固液界面形狀對單晶 均勻性、完整性有重要影響，正常情況下，固液界面的宏觀形狀應(yīng)該與熱場所確定的熔體等溫面相吻合。 b. 懸浮區(qū)熔法：主要用于提純和生長硅單晶。清洗開始之前，圓頂固定在廢水槽上。 殘液處理在精餾塔中排出的、主要含有四氯化硅和聚氯硅烷化合物的釜地殘液以及裝置停車 放凈的氯硅烷殘液液體送到本工序加以處理。 隨著半導(dǎo)體事業(yè)的發(fā)展，特別是近年來大規(guī)模集成電路的出現(xiàn)，一般純水還存在著較大的顆粒和一定的懸浮物，而不能 滿足工藝的需要，因此對水的要求更高了。2℃ TOC 10ppb 細(xì) 菌總數(shù) 3 個(gè) /ml 顆粒度（直徑） 150 個(gè) /ml 。若先除去了非導(dǎo)電雜質(zhì)則水的質(zhì)量將由導(dǎo)電雜質(zhì)的多少來確定。 五、廢氣及殘液處理 廢氣及殘液處理工序、含氯化氫工藝廢氣凈化提純工序排放的廢氣、還原爐開停車、事故排放廢氣、氯硅烷及氯化氫儲存工序儲罐安全泄放氣、吸附廢氣全部用管道送入廢氣淋洗塔洗滌。腐蝕好后硅芯放入烘箱內(nèi)烘干水分，烘干后的硅芯就可送入硅芯爐內(nèi)拉制，出爐后檢測硅芯最后質(zhì)量，根據(jù)檢測數(shù)據(jù)對硅芯進(jìn)行選配，再進(jìn)行腐蝕就可作為沉積硅的裁體了。 （ 10）液體覆蓋直拉技術(shù)：是對直拉法的一個(gè)重大改進(jìn)，用此法可以制備多種含有揮發(fā)性組元的化合物半導(dǎo)體單晶。所生長的晶體的直徑越大（坩鍋越大），對流就越強(qiáng)烈，會造成熔體中溫度波動和晶體局部回熔，從而導(dǎo)致晶體中的雜質(zhì)分布不均勻等。一部分洗滌液體從氧化氮洗滌器分離出來用循環(huán)泵供給亞硝酸鹽解毒裝置，廢水中的亞硝酸鹽成分用氨基黃酸氧化成硝酸鹽成分。洗滌液體循環(huán)利用。其反應(yīng)為： S i + 4 H N O 3 + 6 H F H 2 S i F 6 + 4 H 2 O + 4 N O 2 （在硅芯腐蝕時(shí)，控制好的硅芯送檢后，根據(jù)檢測數(shù)據(jù)，按型號、電阻率均勻度進(jìn)行選配成對，每根硅芯選好后截取一定長度稱重、登記） 多 晶 硅 棒破 碎分 級H F 腐 蝕超 純 水 清 洗酸 洗 槽超 聲 槽超 聲 波氮 氣 切 水 槽氮 氣真 空 脫 水 槽 抽 真 空H F 和 H N O3混 酸 腐 蝕包 裝 在還原爐內(nèi)制得的多晶硅棒被從爐內(nèi)取下，切斷、破碎成塊狀的多晶硅。另一路（側(cè)路氫）用于氫化爐視鏡冷卻。 應(yīng)注意保證進(jìn)入還原爐內(nèi)氫氣的純度，使氧含量和水份降至規(guī)定值以下，開爐前一定要對設(shè)備進(jìn)行認(rèn)真的檢查，防止有漏水、漏 料 現(xiàn)象。 二、 多晶硅產(chǎn)品質(zhì)量的要求 項(xiàng) 目 多 晶 硅 等 級 一級品 二級品 三級品 N 型電阻率（ Ω隨著反應(yīng)周期延長，沉積硅棒越來越粗，載體表面越來越大，則沉積速率不斷增大 ，反應(yīng)氣體對沉積面碰撞機(jī)會也越多，因而產(chǎn)量就越高。 因此，選擇合適得配比，使之即有利于提高硅得轉(zhuǎn)化率，又有利于抑制 B、P 的析出。 因此，在生產(chǎn)中采用 1080℃ ~1100℃左右進(jìn)行三氯氫硅氫還原反應(yīng)。 還原爐爐筒夾套通入熱水，以移除爐內(nèi)熾熱硅芯向爐筒內(nèi)壁輻射的熱量，維持爐筒內(nèi)壁的溫度。還原氫化工序工藝講義 第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備 一、三氯氫硅還原的工序劃分 單元號 工序名稱 T1100/T1101 三氯氫硅 (TCS)蒸發(fā) T1200/T1201 四氯化硅 (STC)蒸發(fā) T100/T101 還原 T200/T201 氫化 T300 硅芯拉制 T400 硅芯腐蝕 T500 破碎、分級 T600 超純水制取 T700 實(shí)驗(yàn)室 (分析檢測中心 ) T800/801 鐘罩清洗 T900 冷卻水 循環(huán)系統(tǒng) T1000 HF 洗滌 二 、主要原輔材料及質(zhì)量要求 物質(zhì) 純度 原料 三氯氫硅 TCS≥99%（ B≤。經(jīng)過約 150 小時(shí)反應(yīng)沉積過程，制得直徑為 120～ 150mm，長 20
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