【正文】 的影響1）改變Rb ：Q點將沿直流負載線上下移動。（2）飽和失真*產(chǎn)生原因Q點設(shè)置過高*失真現(xiàn)象NPN管削底，PNP管削頂。* 輸入電阻高，輸出電阻低。 216。 甲乙類單電源互補對稱功率放大器OTL電容 C2 上靜態(tài)電壓為VCC/2，并且取代了OCL功放中的負電源VCC。Re對溫度漂移及各種共模信號有強烈的抑制作用，被稱為“共模反饋電阻”。直流通路中存在反饋則為直流反饋，交流通路中存 在反饋則為交流反饋，交、直流通路中都存在反饋 則為交、直流反饋。反饋信號反饋到非輸入端）：（1）假定某輸入信號在某瞬時的極性為正（用+表示），并設(shè)信號 的頻率在中頻段。(2)正反饋網(wǎng)絡(luò)與放大電路共同滿足振蕩條件。第四章 多級放大電路和集成運算放大電路多級放大電路的幾種耦合方式和優(yōu)缺點；（基本概念）多級阻容耦合放大電路的分析方法（如果共集電路作為輸出級和輸入級，解算輸入電阻和輸出電阻會比較難）；差動放大電路的組成和抑制溫漂的原理；雙入雙出差動放大電路靜態(tài)和動態(tài)電路分析（半電路法），共模抑制比的概念。第十章 直流電源直流穩(wěn)壓電源原理框圖及波形圖，各組成部分和功能兩種不同的整流電路（半波整流和橋式整流）的工作原理、參數(shù)的計算和二 極管的選擇；線性串聯(lián)型穩(wěn)壓電路的工作原理及計算；集成穩(wěn)壓電路 78的輸出和應(yīng)用（重點是電壓擴展應(yīng)用）。要求：教案作為教學(xué)實施文件，應(yīng)在充分備課的基礎(chǔ)上對教學(xué)目的、主要內(nèi)容、重點、難點、學(xué)時分配及教學(xué)方式方法做出具體設(shè)計。要求學(xué)生掌握長尾式差動放大電路的分析方法和作用。要求學(xué)生了解振蕩電路的振蕩條件和振蕩的頻率特性。要求學(xué)生了解功率放大電路的特點，能夠預(yù)見功率放大電路中常見的問題。要求學(xué)生掌握放大電路的分析方法。教案也是具體授課的計劃，是實施教學(xué)過程的演義方案。第八章 集成運算放大電路信號的線性應(yīng)用集成運放的應(yīng)用分類：線性應(yīng)用和非線性應(yīng)用；集成運放應(yīng)用電路的分析方法；（線性應(yīng)用和非線性應(yīng)用）；基本運算電路：比例，加減、積分運算電路。第四篇：模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)B總結(jié)第一章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)和二極管（以概念為主）半導(dǎo)體的基本概念；二極管的基本特性：單向?qū)щ娦浴⒎蔡匦?、反向擊穿特性；穩(wěn)壓管的伏安特性；二極管和穩(wěn)壓管的主要參數(shù)；第二章 雙極型晶體三極管和基本放大電路（重點）雙極型晶體管工作在放大狀態(tài)的外部條件；（內(nèi)部載流子的運動不要求）雙極型晶體管輸入輸出特性曲線（三個不同的工作區(qū)及特點）放大的概念，放大電路工作在放大狀態(tài)需要滿足的條件；放大電路的分析方法：先直流后交流，先靜態(tài)后動態(tài)，區(qū)分直流通路和交流通路；靜態(tài)工作點的位置對輸出波形的影響；晶體管的低頻等效小信號模型及微變等效電路；（不要求推導(dǎo)）三種基本放大電路（共射、共集、共基）的特點（交流參數(shù)）和求解，包括 靜態(tài)工作點和動態(tài)參數(shù)的求解（共集電路相對比較難）。 、輸出電阻*串聯(lián)負反饋使輸入電阻增加1+AF倍 *并聯(lián)負反饋使輸入電阻減小1+AF倍 *電壓負反饋使輸出電阻減小1+AF倍 *電流負反饋使輸出電阻增加1+AF倍 附加相移將負反饋轉(zhuǎn)化為正反饋。反饋信號反饋到輸入端）串聯(lián)反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電壓的形式相疊加。二．反饋的形式和判斷。，為各級提供合適的靜態(tài)電流。動態(tài)指標按乙類狀態(tài)估算。ICQ≈0，導(dǎo)通角為180o，效率高，失真大。 （1）靜態(tài)工作點的近似估算（2）Q點在放大區(qū)的條件欲使Q點不進入飽和區(qū)，應(yīng)滿足RB＞βRc。（1）截止失真*產(chǎn)生原因Q點設(shè)置過低*失真現(xiàn)象NPN管削頂，PNP管削底。*畫法電容視為開路。*輸入特性曲線同二極管。若 V陽 該式與伏安特性曲線 的交點叫靜態(tài)工作點Q。*轉(zhuǎn)型通過改變摻雜濃度，一種雜質(zhì)半導(dǎo)體可以改型為另外一種雜質(zhì)半導(dǎo)體。、熱敏和摻雜特性。若表示為幅值和相位的條件則為：第八章信號的運算與處理分析依據(jù)“虛斷”和“虛短”R2=R1//RfR2=R1//RfR4=R1//R2//R3//RfR1//R2//R3//R4=Rf//R5R1//R2//Rf=R3//R4//R5第九章信號發(fā)生電路(人為的直接引入正反饋)自激振蕩的平衡條件:即幅值平衡條件：相位平衡條件：:幅值條件：相位條件:、分類正弦波振蕩器的組成(1)放大電路建立和維持振蕩。Rs越小反饋效果越好。、直流或交直流。當T↑→iCiC2↑→iEiE2↑→uE↑→uBEuBE2↓→iBiB2↓→iCiC2↓。動態(tài)指標按乙類狀態(tài)估算，只是用VCC/2代替。任意狀態(tài)：Uom≈Uim216。第三章場效應(yīng)管及其基本放大電路（JFET）（可變電阻區(qū)、放大區(qū)、截止區(qū)、擊穿區(qū)）轉(zhuǎn)移特性曲線UP截止電壓（MOSFET）分為增強型（EMOS）和耗盡型（DMOS）兩種。*消除方法增大Rb、減小Rc、增大VCC。2）改變Rc：Q點在IBQ所在的那條輸出特性曲線上移動。溫度升高，輸入特性曲線向左移動。若V陽*三種模型216。*單向?qū)щ娦哉驅(qū)ǎ聪蚪刂?。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。* 正弦波振蕩器的分類(1)RC振蕩器振蕩頻率較低,1M以下。（4）根據(jù)Xi 與X f 的極性，確定凈輸入信號的大小。具有穩(wěn)定輸出電流的作用。3．當ＡＦ＜０時，Ａｆ升高，這種反饋稱為正反饋。β 2第六章 集成運算放大電路，以減小零漂。216。 1．中頻段(fL≤f≤fH)波特圖幅頻曲線是20lgAusm=常數(shù)，相頻曲線是φ=180o。 (表明場效應(yīng)管是電壓控制器件)EMOS 的跨導(dǎo)gm * 靜態(tài)分析動態(tài)分析若帶有Cs，則 * 靜態(tài)分析* 動態(tài)分析若源極帶有Cs，則* 靜態(tài)分析或* 動態(tài)分析第四章 多級放大電路；能有效地傳輸交流信號；體積小，成本低。*當（UCEQ－UCES）＝（VCC’ － UCEQ），放大器將有最大的不失真輸出電壓。*交流負載線連接Q點和V CC’點 V CC’= UCEQ+ICQR L’的直線。比， *概念直流電流通的回路。 * 共發(fā)射極電流放大系數(shù)(表明三極管是電流控制器件式子稱為穿透電流。，分析二極管兩端電位的高低: 若 V陽 V陰(正偏)，二極管導(dǎo)通(短路)。*體電阻通常把雜質(zhì)半導(dǎo)體自身的電阻稱為體電阻。第一篇：模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)_知識點總結(jié)模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)資料總結(jié)第一章 半導(dǎo)體二極管(如硅Si、鍺Ge)。*載流子的濃度多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫度有關(guān)。*。，且摻雜濃度最低；發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高，與基區(qū)接觸面積較?。患妳^(qū)摻雜濃度較高，與基區(qū)接觸面積較大。、不失真、能傳輸。*作用分析信號被放大的過程。*當（UCEQ－UCES）＜（VCC’ － UCEQ）時，受飽和失真限制，UOPP=2UOMAX=2（UCEQ－UCES）。轉(zhuǎn)移特性曲線上iD=0處的值是夾斷電壓UP，此曲線表示式與結(jié)型場效應(yīng)管一致。*零點漂移當溫度變化或電源電壓改變時，靜態(tài)工作點也隨之變化，致使uo偏離初始值“零點”而作隨機變動。 理想狀態(tài)：Uom≈VCC Pc1m=% 在兩管交替時出現(xiàn)波形失真——交越失真(本質(zhì)上是截止失真)。=β12．當ＡＦ＝０時，表明反饋效果為零。（輸出短路時反饋消失）電流反饋：反饋量取樣于輸出電流。（3）確定反饋信號的極性。(4)穩(wěn)幅環(huán)節(jié)使波形幅值穩(wěn)定，且波形的形狀良好。*PN結(jié)的單向?qū)щ娦哉珜?dǎo)通，反偏截止。直流等效電路法*總的解題手段將二極管斷開，分析二極管兩