【正文】 闊。但這種交流調(diào)壓電路控制方便，體積小、投資省計(jì)制造簡單。交流調(diào)壓電路的輸出仍是同頻率的交流電，原則上可應(yīng)用于一切需要調(diào)壓的交流負(fù)載，也可通過變壓器再調(diào)壓。當(dāng)MOS管分別由脈寬調(diào)制信號控制其通斷時，則負(fù)載電阻Rl上的電壓波形如圖59b所示（輸出端不帶濾波環(huán)節(jié)時），顯然，負(fù)載上的電壓有效值隨脈寬信號的占空比而變，當(dāng)輸出環(huán)節(jié)由濾波環(huán)節(jié)時的負(fù)載端電壓波形如圖59C所示。第六章思考題1當(dāng)主電路接純電阻負(fù)載（即將電感短路）時，可見負(fù)載電壓波形存在死區(qū)，其產(chǎn)生的原因是什么？答：PWM的上下橋臂的三極管是不能同時導(dǎo)通的。下面就介紹相應(yīng)的諧波抑制對策：波形疊加法，LC無源濾波器，增加整流相數(shù)法，靜止無功補(bǔ)償法，有源電力濾波器補(bǔ)償法。學(xué)會看電路圖，我們找到很多的資料是電路分析的，就得自己看資料學(xué)習(xí)。單端反激式變換器中變壓器的磁通也只在單方向變化，開關(guān)管導(dǎo)通時電源將能量轉(zhuǎn)為磁能存儲在變壓器的電感中，當(dāng)開關(guān)管阻斷時再將磁能轉(zhuǎn)變成電能傳送給負(fù)載。第五篇：電力電子實(shí)習(xí)報(bào)告2.任務(wù)提出與方案論證現(xiàn)在, 人們越來越注意用電安全和打造節(jié)約型社會, 因此, 那種大小可調(diào)的直流電源越 來越受到人們的重視。(4觸發(fā)脈沖與主電路電源必須同步。R1或 C2太小,放電快,觸發(fā)脈沖的寬度小,不能使晶閘管觸發(fā)。把逆變電路中的 SPWM 控制技術(shù)用于整流電路, 就構(gòu)成了 PWM 整流電路。四個區(qū)形成 JJJ3三個 PN 結(jié)。而若要使晶閘管關(guān)斷,必須去掉陽極所加的正向電壓,或者給陽極施加反壓, 或者設(shè)法使流過晶閘管的電流降低到接近于零的某一數(shù)值以下, 晶閘管才能關(guān)斷。即產(chǎn) 生集電極電流 Ic2,它構(gòu)成晶體管 V1的基極電流,放大成集電極電流 Ic1,又進(jìn)一步增大 V2的基極電流, 如此形成強(qiáng)烈的正反饋, 最后 V1和 V2進(jìn)入完全飽和狀態(tài), 即晶閘管導(dǎo)通。圖 31 單相橋式半控整流電路 晶閘管的結(jié)構(gòu)與工作原理(1晶閘管的結(jié)構(gòu)晶閘管內(nèi)部是 PNPN 四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),分別命名為 PNPN2四個區(qū)。 方案的確定經(jīng)過全方位的對比, 使電路的設(shè)計(jì)更加合理化, 切合技術(shù)指標(biāo)的標(biāo)準(zhǔn), 覺得 使用方案二比較好。一般(RV1+RS 是幾千歐到幾十千歐。(2觸發(fā)脈沖應(yīng)具有一定的寬度和幅度,觸發(fā)脈沖消失前,陽極電流應(yīng)能上 升至擎住電流,保證晶閘管可靠開通。采用性能良好的緩沖電路，可使MOSFET或IGBT工作在較理想的開關(guān)狀態(tài)，縮短開關(guān)時間，減小開關(guān)損耗，對裝置的運(yùn)行效率、可靠性、安全性都有重要意義。第四篇：電力變換技術(shù)復(fù)習(xí)要點(diǎn)一、基本概念A(yù)C/DC變換電路有哪幾種電路形式？（1）二極管整流電路：單相半波、單相全波、單相橋式、三相半波、三相橋式；（2）晶閘管整流電路：單相半波、單相全波、單相橋式半控、單相橋式全控、三相半波、三相橋式半控、三相橋式全控；DC/DC變換器有哪幾種電路形式？（1）單管不隔離DCDC變換器（Buck、Boost、BuckBoost、Cuk、Sepic、Zeta）（2）隔離型Buck變換器單端正激式DCDC變換器（3）隔離型BuckBoost變換器單端反激式變換器單端反接式變換電路和單端正接式變換電路各有什么特點(diǎn)？（1）單端正激變換器是在Buck變換器中插入隔離變壓器，實(shí)現(xiàn)電源側(cè)與負(fù)載側(cè)的電氣隔離，也使正激變換器的輸出電壓可高于電源電壓或低于電源電壓，還可實(shí)現(xiàn)多路輸出。，講理論轉(zhuǎn)換為實(shí)際的操作時競賽的必備條件。諧波電流對電網(wǎng)危害甚大，必須加以抑制。將電位器RP左旋到底，用雙蹤示波器觀察并記錄下列各點(diǎn)波形：（1）控制電路112與地間波形，應(yīng)仔細(xì)測量該波形是否對稱互補(bǔ)；（2）控制電路的115與地端間波形；（3）主電路的4與5及6與5端間波形；將主電路的3與4短接，將UPW的電位器RP右旋到大致中間的位置，測試并記錄負(fù)載與MOS管兩端電壓波形將主電路的3與4不短接，將UPW的電位器RP右旋到大致中間位置，測試并記錄負(fù)載與MOS管兩端電壓波形實(shí)驗(yàn)中，將電位器RP從左至右旋轉(zhuǎn)45個位置，分別觀察并記錄SG3525的輸出端2端脈沖的占空比、負(fù)載端電壓大小與波形分別觀察并記錄RP左旋與右旋到底時的負(fù)載端波形，從而判斷出占空比D大小對負(fù)載端諧波大小的影響。本實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)以調(diào)光為例，進(jìn)行斬波調(diào)壓研究。斬波控制方式時，晶閘管要帶有強(qiáng)迫關(guān)斷電路或采用IGBT等 可自關(guān)斷器件，在每個電壓周波中，開關(guān)元件多次通斷，使電壓斬波成多個脈沖，改變導(dǎo) 通比即可實(shí)現(xiàn)調(diào)壓。采用晶閘管相控整流電路，高電壓小電流可控直流電源就需要很多晶閘管串聯(lián)；同樣，低電壓大電流直流電源需要很多晶閘管并聯(lián)，這都是十分不經(jīng)濟(jì)的。.3主電路原理及設(shè)計(jì)...........................................第二章：實(shí)驗(yàn)內(nèi)容........................................2第三章：實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)組成及工作原理..........................3第四章：實(shí)驗(yàn)設(shè)備和儀器..................................4第五章：實(shí)驗(yàn)方法........................................4第六章：思考及心得體會..................................6第一章引言一簡述電力電子技術(shù)是研究采用電力電子器件實(shí)現(xiàn)對電能的換和控制的科學(xué)，是20世紀(jì)50年代誕生，70年代迅速發(fā)展起來的一門多學(xué)科互相滲透的綜合性技術(shù)學(xué)科。第六章 心得體會本次設(shè)計(jì)中我查閱了相關(guān)書籍、資料，首先對直流斬波電路有了大致的掌握，直流變換電路主要以全控型電力電子器件作為開關(guān)器件，通過控制主電路的接通與斷開，將恒定的直流斬成斷續(xù)的方波，經(jīng)濾波后變?yōu)殡妷嚎烧{(diào)的直流輸出電壓。電流連續(xù)時流過Mosfet的電流：保持其他參數(shù)不變，只改變電感的值，分別取電感為10H，1H，可得到如下波形：L=L=1HL=波形分析：在保持其他參數(shù)，只改變電感值的情況下，如果電感太大，會使電感在Mosfet導(dǎo)通期間儲存的能量與關(guān)斷期間所釋放的能量相等的關(guān)系不能快速的建立起來，所以電感太大，需要更長的時間才能是輸出穩(wěn)定；但如果電感太小，在上電瞬間，會使電感上儲存的能量過大，不能及時釋放，使得輸出過高，出現(xiàn)超調(diào)。（2）Mosfet按默認(rèn)參數(shù)設(shè)置。（5）電感參數(shù)L=1000H。當(dāng)Mosfet導(dǎo)通時，Ud通過電感L向負(fù)載傳遞能量。（3）t=t2時刻，再次驅(qū)動V導(dǎo)通，重復(fù)上述過程。但當(dāng)vDS較?。╲DS0，VP漏極電流iD沿溝道產(chǎn)生的電壓降使溝道內(nèi)各點(diǎn)與柵極間的電壓不再相等，靠近源極一端的電壓最大，這里溝道最厚，而漏極一端電壓最小，其值為VGD=vGS－vDS，因而這里溝道最薄。vGS越大，作用于半導(dǎo)體表面的電場就越強(qiáng)，吸引到P襯底表面的電子就越多，導(dǎo)電溝道越厚，溝道電阻越小。當(dāng)柵——源電壓vGS=0時，即使加上漏——源電壓vDS，而且不論vDS的極性如何，總有一個PN結(jié)處于反偏狀態(tài)，漏——源極間沒有導(dǎo)電溝道，所以這時漏極電流iD≈0。然后在半導(dǎo)體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個鋁電極,作為柵極g。構(gòu)架在Simulink基礎(chǔ)之上的其他產(chǎn)品擴(kuò)展了Simulink多領(lǐng)域建模功能，也提供了用于設(shè)計(jì)、執(zhí)行、驗(yàn)證和確認(rèn)任務(wù)的相應(yīng)工具。 Simulink簡介Simulink是MATLAB最重要的組件之一，它提供一個動態(tài)系統(tǒng)建模、仿真和綜合分析的集成環(huán)境。一般來說，它們都是由特定領(lǐng)域的專家開發(fā)的，用戶可以直接使用工具箱學(xué)習(xí)、應(yīng)用和評估不同的方法而不需要自己編寫代碼。函數(shù)所能解決的問題其大致包括矩陣運(yùn)算和線性方程組的求解、微分方程及偏微分方程的組的求解、符號運(yùn)算、傅立葉變換和數(shù)據(jù)的統(tǒng)計(jì)分析、工程中的優(yōu)化問題、稀疏矩陣運(yùn)算、復(fù)數(shù)的各種運(yùn)算、三角函數(shù)和其他初等數(shù)學(xué)運(yùn)算、多維數(shù)組操作以及建模動態(tài)仿真等。使之更利于非計(jì)算機(jī)專業(yè)的科技人員使用。這些工具方便用戶使用MATLAB的函數(shù)和文件，其中許多工具采用的是圖形用戶界面。關(guān)鍵詞：DCDC變換器 Mosfet開關(guān)器件 MATLAB計(jì)算機(jī)仿真目 錄第一章MATLAB仿真軟件...................................................................1 MATLAB簡介.................................................................................1 Simulink簡介.....................................................................