傳導(dǎo)干擾整改方案(存儲(chǔ)版)
【正文】 可能會(huì)改善某一段的輻射，但是卻會(huì)導(dǎo)致另外頻度變差，所以需要不斷的試，才能找到最好的組合。下圖為差模干擾引起的傳導(dǎo)FALL數(shù)據(jù)，該測(cè)試數(shù)據(jù)前端超標(biāo)，為差模干擾引起：下圖為開關(guān)電源EMI原理部分：圖中CX2001為安規(guī)薄膜電容（當(dāng)電容被擊穿或損壞時(shí)，表現(xiàn)為開路）其跨在L線與N線之間，當(dāng)LN之間的電流，流經(jīng)負(fù)載時(shí)，會(huì)將高頻雜波帶到回路當(dāng)中。可采用如下方法：（1）調(diào)整X電容的容量；（2）增加兩個(gè)差模電感；（3）調(diào)整共模電感的參數(shù)；（4）雖然是低頻，也可能是共模，需根據(jù)實(shí)際問(wèn)題而定：低頻超標(biāo)問(wèn)題，只差模濾波方法可效果不佳，低頻無(wú)共模干擾問(wèn)題的前提是，共模電感、高頻變壓器設(shè)對(duì)此類共模抑制能力較強(qiáng)，如果它們?cè)O(shè)計(jì)欠佳，也會(huì)出現(xiàn)此類問(wèn)題。如在NTC電阻上分別套上兩個(gè)磁珠。測(cè)試輻射時(shí)，最好能在初次級(jí)之間的Y電容套上磁珠。仔細(xì)觀察發(fā)現(xiàn)采用OZ芯片的推挽拓?fù)渲?，?qū)動(dòng)腳直接接到MOS的G極，割斷后，加入47R的電阻，測(cè)試值在QP值以下達(dá)4dB余量。后換成較大號(hào)的磁環(huán)，電感量不變，其圈數(shù)為8Ts，效果更好，在25MHZ~30MHZ時(shí)，比上一磁環(huán)低2dB左右。另外漏極節(jié)點(diǎn)上的電壓變化很大，同時(shí)dv/dt很快。1次級(jí)二極管的篏位RC電路，雖然di/dt比較小，但也盡量減少其環(huán)路面積，此環(huán)路對(duì)控制高頻的EMI很關(guān)鍵?？傊€不能從干擾源（快速變化的信號(hào)）正面，下面旁邊經(jīng)過(guò)，否則經(jīng)過(guò)一系列的阻抗變換，放大，在線上就會(huì)使輻射值增大，造成怎么整改電源都沒有效果的結(jié)果。為了降低此環(huán)路的速度，在篏位電容上串入一個(gè)20R～50R的電阻，以減緩電容的充放電速度。1若電源板中由多個(gè)不同的電源部分組合而成，建議降低每一部分MOS管的驅(qū)動(dòng)速度，在不影響溫升的前提下，慢速的驅(qū)動(dòng)比采用其它方法降低輻射都要好。當(dāng)把三芯線換成兩芯線時(shí)，其從10M~30MHZ傳導(dǎo)曲線基本平直在30dB上下，因此懷疑是地線上有較大的干擾，先用一個(gè)錳鋅鐵氧芯磁環(huán)用導(dǎo)線繞上三圈串入地線中，傳導(dǎo)曲線并無(wú)很明顯改善。在QP值以下達(dá)4dB的余量。如果采用兩級(jí)共模濾波，秕一級(jí)電感量適當(dāng)取大些。若輻射在40MHZ80MHZ之間有些余量不夠，可適當(dāng)?shù)卦黾覯OS管DS之間的電容值，以達(dá)到降低輻射量的效果。電源的入口處加47u電容，看效果。第三篇：開關(guān)電源EMC 傳導(dǎo)整改總結(jié)三合一主板的傳導(dǎo)整改記錄要理解傳導(dǎo)干擾測(cè)試，首先要清楚一個(gè)概念：差模干擾與共模干擾差模干擾：存在于LN線之間，電流從L進(jìn)入，流過(guò)整流二極管正極，再流經(jīng)負(fù)載，通過(guò)熱地，到整流二極管，再回到N，在這條通路上，有高速開關(guān)的大功率器件，有反向恢復(fù)時(shí)間極短的二極管，這些器件產(chǎn)生的高頻干擾，都會(huì)從整條回路流過(guò)，從而被接收機(jī)檢測(cè)到，導(dǎo)致傳導(dǎo)超標(biāo)。.........輻 射 方 面 emi 對(duì) 策輻射在30～300mhz頻段內(nèi)出現(xiàn)寬帶噪聲超標(biāo)通過(guò)在電源線上增加去耦磁環(huán)（可開合）進(jìn)行驗(yàn)證，如果有改善則說(shuō)明和電源線有關(guān)系，采用以下整改方法：如果設(shè)備有一體化濾波器，檢查濾波器的接地是否良好，接地線是否盡可能短；金屬外殼的濾波器的接地最好直接通過(guò)其外殼和地之間的大面積搭接。 layout；； 濾波器且調(diào)整合理的參數(shù)； 之間加bead core； 。對(duì)于2530mhz不過(guò)可以采用加大對(duì)地y電容、在變壓器外面包銅皮、改變pcb layout、輸出線前面接一個(gè)雙線并繞的小磁環(huán),最少繞10圈、 普遍是mos管高速開通關(guān)斷引起,可以用增大mos驅(qū)動(dòng)電阻,rcd緩沖電路采用1n4007慢管, 普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起,可以在整流管上串磁珠100mhz200mhz之間大部分出于pfc mosfet及pfc 二極管,現(xiàn)在mosfet及pfc二極管串磁珠有效果,水平方向基本可以解決問(wèn)題,但垂直方向就很無(wú)奈了開關(guān)電源的輻射一
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