選修3第三章第四節(jié)離子晶體3(存儲(chǔ)版)
【正文】 C． NaCl和 HCl D． CCl4和 KCl ，是一種晶體的晶胞，該離子晶體的化學(xué)式為（ ） A． ABC B． ABC3 C． AB2C3 D． AB3C3 11．實(shí)現(xiàn)下列變化時(shí)，需克服相同類型作用力的是（ ） A．水晶和干冰的熔化 B．食鹽和冰醋酸的熔化 C．液溴和液汞的汽化 D．純堿和燒堿的熔化 年，日本科學(xué)家發(fā)現(xiàn)了便于應(yīng)用、可把阻抗降為零的由硼和鎂兩種元素組成的超導(dǎo)材料。 △ H1 C． Na(s) Na(g)。鈉的金屬性比 M 。 ⑶此晶體化學(xué)式為 ____________。 cm3，阿伏加德羅常數(shù)為 NA，則晶體中兩個(gè)距離最近的 X 中心間的距離為 cm。 19.(1)略 (提示： ?Na 與 Cl交替排列 ) (2)12 (3)4， 216818 ??? ； 4， 14112 ?? (4)ANM?222 3? 提示：根據(jù) Vm?? ，其中 m 即為 4 個(gè) ?Na ， ?Cl 的質(zhì)量：ANMm 4? ， V 為所示晶體的體積，可設(shè)其邊長為 a，則 3aV? ．可求出 a，進(jìn)而求出題設(shè)所問．即兩個(gè)距離最近的鈉離子中心間的距離為 a2 . 。 （ 4）設(shè)該晶體的摩爾質(zhì)量為 M g ⑴ FexO 中 x值 (精確至 )為 ___________。 [拓展提高 ] 晶體，晶體中，每個(gè)鈉離子周圍有 個(gè)氯離子，每個(gè)氯離子周圍有 個(gè)鈉離子，鈉離子半徑比氯離子半徑 。 A． Na+(g)+Cl－ (g) NaCl(s)。在此晶體中，過氧離子和超氧離子的物質(zhì)的量之比為 ? ? A. 2︰ 1 B. 1︰ 1 C. 1︰ 2 D. 1︰ 3 2．食鹽晶體如右圖所示。 解法四 雞兔同籠發(fā) 從 可知，假如有 100 個(gè)氧離子，就有 97 個(gè)鎳離子，假設(shè)這 97 個(gè)鎳離子都是 +2 價(jià)，那么正價(jià)總和為 194 價(jià)，負(fù)價(jià)總和為 200 價(jià)。 （ 2）天然和絕大部分人工制備的晶體都存在各種缺陷，例如在某氧化鎳晶體中就存在如圖所示的缺陷：一個(gè) Ni2+空缺，另有兩個(gè) Ni2+被兩個(gè) Ni3+所取代。又從堿金屬的氯化物進(jìn)行比較：堿金屬陽離子半徑是 r（ Na+） r(K+)r(Rb+)r(Cs+)，說明熔點(diǎn)隨堿金屬陽離子半徑的增大而減小。而在同一主族中，金屬原子半徑越小的，其熔沸點(diǎn)越高。如： MgO 熔點(diǎn)高于 NaCl ② 分子晶體：在組成結(jié)構(gòu)均相似的分子晶體中，式量大的分子間作用力就大熔點(diǎn)也高。 第四節(jié) 離子晶體 [學(xué)習(xí)目標(biāo) ] [知識(shí)梳理 ] 1．構(gòu)成離子晶體的粒子是 ，粒子之間的相互作用是 ，這些粒子在晶體中 (能或不能 )自由移動(dòng)，所以離子晶體 (能或不能 )導(dǎo)電． 2. 離子晶體 中的配位數(shù)是指 ___________________________________________________. 離子晶體 結(jié)構(gòu)的重要因素 .此外 , 離子晶體 的結(jié)構(gòu)還取決于 ____________________________. 4. 離子晶體 的晶格能的定義是 的晶格能是最能反映 _____________________的數(shù)據(jù) . 5. 晶格能越大 ,形成的 離子晶體 _________________________,而且熔點(diǎn) _______________,硬度，晶格能的大小與離子所帶的電荷和離子半徑的關(guān)系一般 是：離子電荷高，晶格能 ，離子半徑大，晶格能 。 離子所帶電荷大的熔點(diǎn)較高。如 Ⅲ A的 Al， ⅡA的 Mg， IA的 Na，熔、沸點(diǎn)就依次降低。從鈉的鹵化物進(jìn)行比較：鹵素離子半徑是 r（ F） r(Cl)r(Br)r(I)，說明熔點(diǎn)隨鹵素陰離子半徑 的增大而減小。 NiO（氧化鎳）晶體的結(jié)構(gòu)與 NaCl 相同， Ni2+與最臨近 O2的核間距離為 a 108cm,計(jì)算 NiO
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