工程材料學(xué)之晶體材料的結(jié)構(gòu)(存儲(chǔ)版)
【正文】 見的晶體結(jié)構(gòu)體心立方中原子排列不同晶向， 胞總體積之比。?c,Cr， 子 ,體心中有一個(gè)原子 a=b=c， α=β=γ＝ 90176。如 A面， B面具有相同的晶面指數(shù)（ 001）， 指數(shù)符號(hào)正好相反的晶面亦相互平行 ； 若待標(biāo)定晶面通過原點(diǎn)，可將坐標(biāo)系適當(dāng)平移，再求截距，如 B面 → 平移至 A面位置； AB晶面族 原子排列情況相同，但空 間 位向不同的一 組 晶 面的集合， 稱為晶面族 。C（ 1， 1， 1）表現(xiàn)出不同的性能。因?yàn)椴牧显诓煌蛏蠒?huì)因?yàn)椴牧显诓煌蛏蠒?huì)?a=?=?=90?a?=?=?=90?a=bb?c,=?=????Bravais點(diǎn)陣第一節(jié) ② 晶胞內(nèi)的棱、角相等的數(shù)目最多，且具有盡可能多的直角。第一節(jié) 立方晶系晶向與晶面216。原子在三維空間的 有序排列 特征稱為 晶體結(jié)構(gòu)。如： ?=?=?=90?a?a=b a??角頂原子： 8個(gè)單胞共有；????因?yàn)榫w中的原子排列具有對(duì)稱性，相互平行的直線上的原子排列完全一樣 。O（ 0， 0， 0）舉例舉例 : 求求 AB, 舉例：可見任意交換指數(shù)的位置和改變符號(hào)后的所有結(jié)果都是該族的范圍。通常： 配位數(shù)越高 →→ 晶體晶體越緊密。純金屬常見的晶體結(jié)構(gòu)三、密堆六方原子位置 12個(gè) 頂 角、上下底心 各一個(gè)原子， 體內(nèi) 3各原子。 多晶體中的各單晶體稱為晶粒 ，兩晶粒之間的界面稱為晶界 如 ?－ Fe（ BCC） 在 111方向上的強(qiáng)度遠(yuǎn)大于在 100方向上的強(qiáng)度多晶體是各向同性： 多晶體材料中，盡管每個(gè)晶粒內(nèi)部象單晶體那樣呈現(xiàn)各向異性，每個(gè)晶粒在空間取向是隨機(jī)分布，大量晶粒的綜合作用，整個(gè)材料宏觀上不出現(xiàn)各向異性。在晶格結(jié)點(diǎn)位置應(yīng)有原子的地方空缺，這種缺陷稱為 “ 空位 ”。位錯(cuò)的產(chǎn)生： 在正常原子排列的晶體中，某一部分多了一層或少了一層原子面實(shí)際晶體材料中都存在位錯(cuò)，而且位錯(cuò)對(duì)材料性能影響很大，如： boundaryNano面缺陷的形式 ：晶界面 亞晶界面 相界面晶格像的實(shí)例晶格像的實(shí)例 Si中中 (111)面的晶格像面的晶格像Stacking其具體形式就是晶體中的 位錯(cuò) （ Dislocation）位錯(cuò)的形式 ： 刃型位錯(cuò) 螺型位錯(cuò) 混合型位錯(cuò)刃型位錯(cuò) 螺型位錯(cuò)在晶格非結(jié)點(diǎn)位置，往往是晶格的間隙，出現(xiàn)了多余的原子。 缺陷會(huì)引起材料性能的巨大變化，如：理想完整晶體的強(qiáng)度通常是實(shí)際晶體的數(shù)十倍，甚至數(shù)百倍。明暗不同 —— 由于取向不同， 方位不同 ，耐腐蝕能力亦不同，引起明暗襯度不同。
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