工程材料學(xué)之晶體材料的結(jié)構(gòu)(參考版)
2024-12-31 14:54本頁(yè)面
【正文】 stackinggrainFaultSmall位錯(cuò)特點(diǎn)面缺陷面缺陷： 在三維空間的兩個(gè)方向上的尺寸很大 (晶粒數(shù)量級(jí) )，另外一個(gè)方向上的尺寸很小 (原子尺寸大小 )的晶體缺陷。σb≈1300Mpa1) 位錯(cuò)線附近的晶格有相應(yīng)的畸變 ，有高于理想晶體的能量；2) 位錯(cuò)線附近 異類(lèi)原子濃度高于平均水平 ；3) 位錯(cuò)在晶體中可以發(fā)生移動(dòng) ，是材料塑性變形基本原因之一；4) 位錯(cuò)與異類(lèi)原子的作用 ，位錯(cuò)之間的相互作用，對(duì)材料的力學(xué)性能有明顯的影響。σb≈5600Mpa線缺陷線缺陷： 在三維空間的一個(gè)方向上的尺寸很大 (晶粒數(shù)量級(jí) )，另外兩個(gè)方向上的尺寸很小 (原子尺寸大小 )的晶體缺陷。在一種類(lèi)型的原子組成的晶格中， 不同種類(lèi) 的原子占據(jù)原有的原子位置。3) 異類(lèi)原子 它們 可能是同類(lèi)原子 ， 也可能是異類(lèi)原子 。 晶體缺陷的類(lèi)型：?點(diǎn)缺陷?線缺陷?面缺陷點(diǎn)缺陷點(diǎn)缺陷： 在三維空間各方向上尺寸都很小，是原子尺寸大小的晶體缺陷。 實(shí)際晶體中的原子排列不是理想的，不具有完全的平移對(duì)稱(chēng)性，而是存在一些偏離了理想原子排列的區(qū)域， 這些區(qū)域即構(gòu)成缺陷。 二、晶體中的缺陷晶體缺陷： 正常晶體中原子排列受到破壞 —— 缺陷。密排方向的強(qiáng)度最大。組織 是通過(guò)人眼或顯微鏡觀察到的形貌、結(jié)構(gòu)。各不規(guī)則，明暗不同的幾何圖形 —— 晶粒?晶界不一定是平整的晶粒與晶界 :多晶體的組織與性能 ：組織： 右圖所示為純 Fe的顯微結(jié)構(gòu)，它是經(jīng)拋光、腐蝕后的顯微鏡放大照片。一般實(shí)際材料均為多晶體。如單晶硅，水晶石，金剛石 。 第四節(jié) 材料的實(shí)際晶體結(jié)構(gòu)一、多晶體結(jié)構(gòu)單晶體 :一塊晶體材料 由一個(gè) 晶粒組成。純金屬常見(jiàn)的晶體結(jié)構(gòu)體心立方中原子排列不同晶向， 第三節(jié) 越緊密。配位數(shù)越高的原子數(shù)目。胞總體積之比。兩原子中的距離一半。c/a=常見(jiàn)金屬 ： Mg， ???c,a=b常見(jiàn)金屬 ： Ag， Au， Ni， CuCr， 子 ,體心中有一個(gè)原子 a=b=c， α=β=γ＝ 90176。 同學(xué)們自己排列 表示方法： 用 大 括號(hào) {hkl}表示 。如 A面， B面具有相同的晶面指數(shù)（ 001）， 指數(shù)符號(hào)正好相反的晶面亦相互平行 ； 若待標(biāo)定晶面通過(guò)原點(diǎn)，可將坐標(biāo)系適當(dāng)平移，再求截距，如 B面 → 平移至 A面位置； AB晶面族 原子排列情況相同，但空 間 位向不同的一 組 晶 面的集合， 稱(chēng)為晶面族 。3. 計(jì) 算其倒數(shù) b1 b2 b3 ；4. 化成 最小 、 整數(shù) 比 h： k： l ；
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