20xx半導(dǎo)體期末考試試卷-zhujun(存儲(chǔ)版)
【正文】 所示，其受主濃度NA=1017/cm3，已知：WAg=，WPt=，NV=1019/cm3，Eg=，硅電子親和能χ＝，試求：（10分）（1）室溫下費(fèi)米能級(jí)EF的位置和功函數(shù)WS。（2分）IIVVSchottky 勢(shì)壘接觸的IV特性 歐姆接觸的IV特性 （2分） （2分） 試畫出n型半導(dǎo)體構(gòu)成的理想的MIS結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體表面為積累、耗盡、反型時(shí)能帶圖和對(duì)應(yīng)的的電荷分布圖？(33分＝9分)解：對(duì)n型半導(dǎo)體的理想MIS結(jié)構(gòu)的在不同的柵極電壓下，當(dāng)電壓從正向偏置到負(fù)電壓是，在半導(dǎo)體表面會(huì)出現(xiàn)積累、耗盡、反型現(xiàn)象，其對(duì)應(yīng)的能帶和電荷分布圖如下：Ec Ev Ei EF (a )堆積 x Ec Ev Ei EF (b) 耗盡 x x (c)反型 Ec EF Ei Ev 試畫出中等摻雜的Si的電阻率隨溫度變化的曲線，并分析解釋各段對(duì)應(yīng)的原因和特點(diǎn)（8分）解： ρ CA D BT （2分）電阻率隨溫度的變化分三個(gè)階段：A
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