電工學(xué)(下冊(cè))電子技術(shù)基礎(chǔ)-第4章-習(xí)題解答(存儲(chǔ)版)
【正文】 = UGSQ=3V IDQ=(3－2)2 ∴IDQ= → UDSQ=12－5=(V)UGSQ－Uth =1V ∴處于可變電阻區(qū)(d) UDSQ=12－3=(V)UGSQ－Uth =1V ∴處于恒流區(qū) ，忽略不計(jì)，電容對(duì)交流視為短路。共漏，可增加Rd，并改為共源放大，將管子改為耗盡型，改電源極性。 解：(a) N溝道 耗盡型FET UP=－3V；(b) P溝道 增強(qiáng)型FET UT=－4V；(c) P溝道 耗盡型FET UP=2V。解：(1) N溝道；(2) (3) 畫出下列FET的轉(zhuǎn)移特性曲線。解：(a) UGSQ=0(V) IDQ=IDSS=8(mA) UDSQ=VDD－IDQRd = 12－81=4(V) (b) UGSQ=0(V) IDQ=IDSS=－8(mA) UDSQ=VDD－IDQRd = －9+8=－(V) ，已知VT在UGS = 5V時(shí)的ID = ，在UGS = 3V時(shí)的ID = 。 解：(2) Ri=Rg3+Rg2//Rg1=2+(MΩ) Ro=Rd=10kΩ(3)
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