微納加工工藝設(shè)計(jì)流程(存儲(chǔ)版)
【正文】 時(shí)間平均高度65℃95℃65℃95℃SU8 305020℃52%10〞500rpm2min25min1min7min18μw∕cm178。先將基片（通常是硅片襯底）置于甩膠機(jī)的轉(zhuǎn)盤上，基片在真空的作用下被吸在盤上。解決的方法為在硅片上預(yù)先涂上一層物質(zhì)，使光膠的附著力增強(qiáng)。之后進(jìn)行紫外曝光，曝光機(jī)在曝光的區(qū)域內(nèi)光強(qiáng)的誤差一般會(huì)小于5%，這使得整個(gè)基片上的光刻膠可以均勻的進(jìn)行曝光。二、 按甩膠，前烘，曝光，后烘，顯影，吹干步驟完成由掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上。將攪勻的液態(tài)PDMS倒在模具上，等到無氣泡時(shí)，放到80oC的恒溫箱內(nèi)30分鐘，PDMS完全固化后，將其從模具上剝離，即可得到有圖形的PDMS。用氧離子轟擊玻璃和PDMS的表面，可以提高其表面活性，之后通過一定的壓力即可使二者永久鍵合。閱讀過后，希望您提出保貴的意見或建議。3． 取出冷卻后按不同區(qū)域用刀片切好。圖8 北大微流與納米技術(shù)中心空氣等離子體處理器。通過控制單體和交聯(lián)劑的比例可以調(diào)節(jié)PDMS的硬度。根據(jù)不同的需要，顯影后有時(shí)要進(jìn)行定影和后烘烤，以保證圖形的平整度和堅(jiān)固性。經(jīng)過光刻，可將掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到硅片上。超凈間內(nèi)微塵的數(shù)量一般為千級(jí)()，局部為百級(jí)，可以很好的保證甩膠的質(zhì)量。90sec30〞3500rpmSU8 305023℃20%10〞500rpm2min15min1min5min∕cm178。90sec30〞3000rpmSU8 302525℃不詳(不到20%)10〞500rpm2min5min1min3min19μw∕cm178。85sec30〞2500rpmSU8 301022℃52%10〞500rpm1min4min1min2min∕cm178。60sec30〞2000rpmSU8 300524℃20%10〞500rpm1min3min1min2min∕cm178。通常原理可用圖3表示：圖3 正光膠的有關(guān)化學(xué)反應(yīng)。正光膠基于重氮鹽和二疊氮化物的兩個(gè)反應(yīng)。SU8在前烘中有很好的自平整能力。m，所得到的圖形邊緣仍近乎垂直，深寬比可達(dá)50：1。此即為KPR（柯達(dá)光刻膠）和其他負(fù)膠的基本原理。還有其他一些方法可以得到掩模版，如準(zhǔn)分子激光刻蝕和光學(xué)縮小等方法，這樣得到的模版精度較高，但對(duì)設(shè)備的要求都比較高。m，視激光照排機(jī)的精度而定。掩模的圖形及尺度由計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì)完成，常用的設(shè)計(jì)軟件有Ledit（）和AutoCAD等。使用激光照排機(jī)的優(yōu)點(diǎn)在于設(shè)備易得，一般的出版社就有可以滿足要求的機(jī)器；并且制作過程很簡(jiǎn)單，只需要一步打印。光刻膠有兩種基本的類型：一種是負(fù)型光刻膠，它們?cè)谄毓鈺r(shí)發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)形成較曝光前更難溶的聚合物；另一種是正型光刻膠，它們?cè)谄毓鈺r(shí)聚合物發(fā)生鏈斷裂分解而變得更容易溶解。另一種具有代表性的光敏聚合物為SU8。該膠可溶于GBL（gammabutyrolactone）溶液中。SU8的光反應(yīng)機(jī)理：光刻膠中的光引發(fā)劑吸收光子發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)，生成一種強(qiáng)酸，其作用是在中烘過程中作為酸性催化劑促進(jìn)發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)。顯影液提供的堿性條件則可引發(fā)耦合反應(yīng)。m
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