單晶硅基本資料(存儲(chǔ)版)
【正文】 率為100～300歐姆制造非晶硅太陽(yáng)電池的方法有多種，最常見(jiàn)的是輝光放電法，還有反應(yīng)濺射法、化學(xué)氣相沉積法、電子束蒸發(fā)法和熱分解硅烷法等。同時(shí)，非晶硅太陽(yáng)電池很薄，可以制成疊層式，或采用集成電路的方法制造，在一個(gè)平面上，用適當(dāng)?shù)难谀９に?，一次制作多個(gè)串聯(lián)電池，以獲得較高的電壓。因此，一些化學(xué)性活潑或熔點(diǎn)極高的材料，由于沒(méi)有合適的坩堝，而不能用此法制備單晶體，而要改用區(qū)熔法晶體生長(zhǎng)或其他方法。因此在前期必須做好設(shè)備設(shè)計(jì)如單晶爐和溫控包括爐內(nèi)的熱場(chǎng)、流場(chǎng)，以及缺陷預(yù)測(cè)加工太陽(yáng)能電池片，首先要在硅片上摻雜和擴(kuò)散，一般摻雜物為微量的硼、磷、銻等。單晶硅太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率為15%左右，實(shí)驗(yàn)室成果也有20%以上的。在產(chǎn)業(yè)布局上，中國(guó)太陽(yáng)能電也由池產(chǎn)業(yè)已經(jīng)形成了一定的集聚態(tài)勢(shì)。：（1）小型電源10100W不等，用于邊遠(yuǎn)無(wú)電地區(qū)如高原、海島、牧區(qū)、邊防哨所等軍民生活用電，如照明、電視、收錄機(jī)等；（2）35KW家庭屋頂并網(wǎng)發(fā)電系統(tǒng)；（3）光伏水泵：解決無(wú)電地區(qū)的深水井飲用、灌溉。太陽(yáng)能交流發(fā)電系統(tǒng)是由太陽(yáng)電池板、充電控制器、逆變器和蓄電池共同組成；太陽(yáng)能直流發(fā)電系統(tǒng)則不包括逆變器。在中國(guó)特色的光伏運(yùn)動(dòng)推動(dòng)下，單晶硅/多晶硅太陽(yáng)電池將以第一代電池身份跨入Martin （即光電轉(zhuǎn)換效率amp。針對(duì)當(dāng)前光伏低谷的產(chǎn)業(yè)形勢(shì)，課題組提出了“提效率、重檢測(cè)、降成本、促應(yīng)用” 十二字方針，以此作為本組日常工作指南，努力走一條與企業(yè)需要相結(jié)合的研發(fā)道路。$100/m），單晶硅/多晶硅太陽(yáng)電池在光伏能源中的主導(dǎo)地位將長(zhǎng)期不變。（2）在該條件下，太陽(yáng)能電池組件所輸出的最大功率稱為峰值功率，在很多情況下，組件的峰值功率通常用太陽(yáng)能模擬儀測(cè)定。：將太陽(yáng)能發(fā)電與建筑材料相結(jié)合，使得未來(lái)的大型建筑實(shí)現(xiàn)電力自給，是未來(lái)一大發(fā)展方向。太陽(yáng)能電池主要包括晶體硅電池和薄膜電池兩種，它們各自的特點(diǎn)決定了它們?cè)诓煌瑧?yīng)用中擁有不可替代的地位。商業(yè)化晶體硅太陽(yáng)能電池的效率13%14%提高到16%17%。最后用框架和材料進(jìn)行封裝。單晶硅太陽(yáng)能電池將單晶硅棒切成片。區(qū)熔單晶爐主要包括：雙層水冷爐室、長(zhǎng)方形鋼化玻璃觀察窗、上軸（夾多晶棒）、下軸（安放籽晶）、導(dǎo)軌、機(jī)械傳送裝置、基座、高頻發(fā)生器和高頻加熱線圈、系統(tǒng)控制柜真空系統(tǒng)及氣體供給控制系統(tǒng)等組成。此法制成的單晶完整性好，直徑和長(zhǎng)度都可以很大，生長(zhǎng)速率也高。非晶硅太陽(yáng)電池的結(jié)構(gòu)有各種不同，其中有一種較好的結(jié)構(gòu)叫PiN電池，它是在襯底上先沉積一層摻磷的N型非晶硅，再沉積一層未摻雜的i層，然后再沉積一層摻硼的P型非晶硅，最后用電子束蒸發(fā)一層減反射膜，并蒸鍍銀電極。隨著技術(shù)得提高，目前多晶硅的轉(zhuǎn)換效率也可以達(dá)到14%左右。因此，80年代以來(lái)，歐美一些國(guó)家投入了多晶硅太陽(yáng)電池的研制。這樣就在硅片上形成P/FONTN結(jié)。單晶硅,多晶硅及非晶硅太陽(yáng)能電池的區(qū)別單晶硅太陽(yáng)電池：?jiǎn)尉Ч杼?yáng)電池是當(dāng)前開(kāi)發(fā)得最快的一種太陽(yáng)電池，它的構(gòu)成和生產(chǎn)工藝已定型，產(chǎn)品已廣泛用于宇宙空間和地面設(shè)施。單晶硅是電子計(jì)算機(jī)、自動(dòng)控制系統(tǒng)等現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)中不可缺少的基本材料。單晶硅和多晶硅的區(qū)別單晶硅和多晶硅的區(qū)別是，當(dāng)熔融的單質(zhì)硅凝固時(shí),硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長(zhǎng)成晶面取向相同的晶粒，則形成單晶硅。這一過(guò)程稱之為尾部生長(zhǎng)。（3）縮頸生長(zhǎng)：當(dāng)硅熔體的溫度穩(wěn)定之后，將籽晶慢慢浸入硅熔體中。硅是地殼中賦存最高的固態(tài)元素，其含量為地殼的四分之一，但在自然界不存在單體硅，多呈氧化物或硅酸鹽狀態(tài)。主要的硅基材料包括SOI（絕緣體上硅）、GeSi和應(yīng)力硅。據(jù)不完全統(tǒng)計(jì)，全球已建、在建和計(jì)劃建的300mm硅器件生產(chǎn)線約有40余條，主要分布在美國(guó)和我國(guó)臺(tái)灣等，僅我國(guó)臺(tái)灣就有20多條生產(chǎn)線，其次是日、韓、新及歐洲。中國(guó)消耗的大部分集成電路及其硅片仍然依賴進(jìn)口。外延片主要用于集成電路領(lǐng)域。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的成本也就越低。單晶硅具有準(zhǔn)金屬的物理性質(zhì)，有較弱的導(dǎo)電性，其電導(dǎo)率隨溫度的升高而增加，有顯著的半導(dǎo)電性。單晶硅作為一種極具潛能，亟待開(kāi)發(fā)利用的高科技資源，正引起越來(lái)越多的關(guān)注和重視。單晶硅是制造半導(dǎo)體硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶體管、二極管、開(kāi)關(guān)器件等。具有基本完整的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)的晶體。等。在光伏技術(shù)和微小型半導(dǎo)體逆變器技術(shù)飛速發(fā)展的今天，利用硅單晶所生產(chǎn)的太陽(yáng)能電池可以直接把太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化為光能，實(shí)現(xiàn)了邁向綠色能源革命的開(kāi)始。用于制造半導(dǎo)體器件、太陽(yáng)能電池等。直拉法、區(qū)熔法生長(zhǎng)單晶硅棒材，外延法生長(zhǎng)單晶硅薄膜。一個(gè)廣泛的大規(guī)模的利用太陽(yáng)能的時(shí)代正在來(lái)臨，太陽(yáng)能級(jí)單晶硅產(chǎn)品也將因此受世人矚目。單晶硅主要用于制作半導(dǎo)體元件。直拉法、區(qū)熔法伸長(zhǎng)單晶硅棒材，外延法伸長(zhǎng)單晶硅薄膜。存儲(chǔ)器電路通常使用CZ拋光片，因成本較低。未來(lái)幾年中，世界單晶硅材料發(fā)展將呈現(xiàn)以下發(fā)展趨勢(shì)：微型化隨著半導(dǎo)體材料技術(shù)的發(fā)展，對(duì)硅片的規(guī)格和質(zhì)量也提出更高的要求，適合微細(xì)加工的大直徑硅片在市場(chǎng)中的需求比例將日益加大。國(guó)際化，集團(tuán)化研發(fā)及建廠成本的日漸增高，加上現(xiàn)有行銷與品牌的優(yōu)勢(shì)，使得硅材料產(chǎn)業(yè)形成“大者恒大”的局面，少數(shù)集約化的大型集團(tuán)公司壟斷材料市場(chǎng)。制造技術(shù)升級(jí)半導(dǎo)體,芯片集成電路,設(shè)計(jì)版圖,芯片制造,工藝世界普遍采用先進(jìn)的切、磨、拋和潔凈封裝工藝，使制片技術(shù)取得明顯進(jìn)展。晶體力學(xué)性能優(yōu)越，易于實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，仍將成為半導(dǎo)體的主體材料。（4）放肩生長(zhǎng)：長(zhǎng)完細(xì)頸之后，須降低溫度與拉速
環(huán)評(píng)公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1