半橋拓?fù)浼皯?yīng)用規(guī)范(存儲(chǔ)版)
【正文】 2 逆變器的等效電路 在半逆變器架構(gòu)中，包括了隔直電容Cs,原邊漏感Ll1,原邊主感Lm,匝比Np:Ns,次邊漏感Ll2,屏的寄生電容Cpara和高壓電容Cout，如下圖所表示。 通過對(duì)每一個(gè)階段工作狀態(tài)的分析，兩個(gè)MOSFET均可以實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)，提高效率。Q2224。GND第二階段: Q2=On,當(dāng)Q2自身二極管被打開時(shí)，在二極管的Source和Drain之間電壓大約為VDS＝－，這時(shí)Q2晶體管被打開，因此，Q2開關(guān)晶體管有零電壓切換功能。Tr224。 減小散熱器面積在成本上，因?yàn)槟孀冏儔浩髀└泻艽螅瑑?chǔ)存的能量較大，而一般的MOSFET 體二極管反向截至的速度都比較慢，為了避免交叉導(dǎo)通。Figure1 半橋逆變器架構(gòu)示意圖1. 半橋逆變器設(shè)計(jì)分析 因液晶屏本身沒有發(fā)光功能，這就需要在液晶屏后加一個(gè)照明系統(tǒng)，該背光照明系統(tǒng)由發(fā)光部件、能使光線均勻照射在液晶表示面的導(dǎo)光板和驅(qū)動(dòng)發(fā)光部件的電源構(gòu)成。通過半橋逆變器開關(guān)分析得出結(jié)論，半橋逆變器可以有條件的實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)，從而提高效率。但要驅(qū)動(dòng)這種冷陰極管需要能輸出1000~1500V交流電壓的特殊電源。這樣半橋架構(gòu)同樣可以實(shí)現(xiàn)MOSFET的軟開關(guān)狀態(tài)，不僅可以獲得不錯(cuò)效率，也可以順利的通過EMC規(guī)范要求。這樣將導(dǎo)致半橋的軟開關(guān)只能在一個(gè)很窄的范圍能實(shí)現(xiàn)，由于變壓器漏感在量產(chǎn)時(shí)候會(huì)有20%以上的偏差，以及pfc輸入電壓和液晶屏幕的微小差別，都可能導(dǎo)致在量產(chǎn)時(shí)候，逆變器的兩顆MOSFET沒有工作在軟開關(guān)狀態(tài)，過大的開關(guān)損耗導(dǎo)致其損壞。 D(Q2)=On。C1224。C1224。3. 變壓器的設(shè)計(jì)與分析3． 1諧振電路的分析與仿真LCDTV逆變器是通過變壓器的漏感、諧振電容與CCFL燈管的阻抗共同構(gòu)成一個(gè)LCR二階電路對(duì)方波進(jìn)行濾波來產(chǎn)生一個(gè)近似的正弦波的。這樣就得到了下圖的等效電路。 針對(duì)變壓器的漏感”Llk,高壓電容Cp和CCFL阻抗R產(chǎn)生的諧振點(diǎn)我們進(jìn)行分析，變壓器的輸出電
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