【摘要】第三章集成電路制造工藝第三章第三章§硅平面工藝§氧化絕緣層工藝§擴(kuò)散摻雜工藝§光刻工藝§掩模制版技術(shù)§外延生長工藝§金屬層制備工藝§
2025-04-30 13:59
【摘要】2022年5月28日星期六集成電路原理及應(yīng)用能源工程學(xué)院1第8章語音和圖像集成電路收音機(jī)集成電路語音集成電路功放集成電路電視機(jī)及圖像處理集成電路家庭影院集成電路2022年5月28日星期六集成電路原理及應(yīng)用能源工程學(xué)院2收音機(jī)集成電路收音
2025-04-30 12:02
【摘要】集成電路工藝原理復(fù)旦大學(xué)微電子研究院於偉峰SemiconductorVLSIProcessPrinciple半導(dǎo)體集成電路工藝原理2第四章擴(kuò)散(Diffusion)§引言§擴(kuò)散機(jī)理§擴(kuò)散方程及其解§影響雜質(zhì)分布的其他因素§
2025-01-18 20:36
【摘要】集成電路分析與設(shè)計第一章集成電路基本制造工藝本章概要?雙極工藝流程?CMOS工藝流程?CMOS先進(jìn)工藝?BiCMOS工藝流程?無源器件雙極工藝流程典型NPN管剖面圖雙極工藝流程襯底選擇（1）襯底選擇對于典型的PN結(jié)隔離雙極集成電路，襯底一
2025-01-07 01:53
【摘要】集成電路后端設(shè)計簡介第一部分簡單導(dǎo)言集成電路的發(fā)展?集成電路（IC：IntegratedCircuit）是指通過一系列特定的加工工藝，將晶體管、二極管等有源器件和電阻、電容、電感等無源器件，按照一定的電路互連，“集成”在一塊半導(dǎo)體晶片上，并封裝在一個外殼內(nèi)，執(zhí)行特定電路或系統(tǒng)功能的一種器件。?1965年，In
2025-01-07 01:54
【摘要】集成電路工藝概述課程介紹普通高校專業(yè)學(xué)科目錄（1998版）?01哲學(xué)?02經(jīng)濟(jì)學(xué)?03法學(xué)?04教育學(xué)?05文學(xué)?06歷史學(xué)?07理學(xué)?08工學(xué)?09農(nóng)學(xué)?10醫(yī)學(xué)?11管理學(xué)?0806電氣信息類?080601電氣工程及其自動化?080
2025-01-06 18:36
【摘要】第一章CMOS集成電路工藝基礎(chǔ)1、半導(dǎo)體材料：N型半導(dǎo)體：N-NN+P型半導(dǎo)體：P-PP+2、CMOS集成電路工藝氧化工藝攙雜工藝淀積工藝鈍化工藝光刻和腐蝕工藝
2025-05-11 01:31
【摘要】1第八章雙極型集成電路2內(nèi)容提要?集成電路制造工藝?電學(xué)隔離?pn結(jié)隔離集成電路工藝流程?IC中的元件結(jié)構(gòu)與寄生效應(yīng)?TTL門電路的工作原理和基本參數(shù)?TTL門電路的改進(jìn)?雙極型數(shù)字電路的版圖設(shè)計3?集成電路設(shè)計與制造的主要流程框架設(shè)計
2025-01-14 10:46
【摘要】山東浪潮華光光電子股份有限公司集成電路產(chǎn)業(yè)狀況介紹浪潮華光任忠祥202208052山東浪潮華光光電子股份有限公司
2024-08-10 14:45
【摘要】集成電路版圖基礎(chǔ)——電容版圖設(shè)計光電工程學(xué)院王智鵬一、電容概述?電容器，能夠存儲電荷的器件。?單位：法拉（F）兩塊導(dǎo)電材料中間存在絕緣介質(zhì)就會形成電容?電容充電二、MOS集成電路中的電容器MOS集成電路中的電容器幾乎都是平板電容器。平板電容器的電容表示式：C=εoε
2025-04-30 18:27
【摘要】第九章版圖設(shè)計實(shí)例主要內(nèi)容1.CMOS門電路2.CMOSRAM單元及陣列3.CMOSD觸發(fā)器4.CMOS放大器5.雙極集成電路1.CMOS門電路(1)反相器電路圖
【摘要】?2022/8/20東?南?大?學(xué)射?頻?與?光?電?集?成?電?路?研?究?所集成電路設(shè)計基礎(chǔ)王志功東南大學(xué)無線電系2022年東?南?大?學(xué)射?頻?與?光?電?集?成?電?路?研?究?所?2022/8/202第六章M
【摘要】求和運(yùn)算電路積分和微分運(yùn)算電路對數(shù)和指數(shù)運(yùn)算電路模擬乘法器及其應(yīng)用有源濾波器[引言]：運(yùn)算電路是集成運(yùn)算放大器的基本應(yīng)用電路，它是集成運(yùn)放的線性應(yīng)用。討論的是模擬信號的加法、減法積分和微分、對數(shù)和反對數(shù)（指數(shù)）、以及乘法和除法運(yùn)算。為了分析方便，把運(yùn)放均視為理想器件：
2025-05-04 18:03
【摘要】集成電路工藝原理第七章金屬互聯(lián)本章概要?引言?金屬鋁?金屬銅?阻擋層金屬?硅化物?金屬淀積系統(tǒng)引言概述金屬化是芯片制造過程中在絕緣介質(zhì)薄膜上淀積金屬薄膜，通過光刻形成互連金屬線和集成電路的孔填充塞的過程。金屬線被夾在兩個絕緣介質(zhì)層中間形成電整體。高性
2025-04-30 18:17
【摘要】19-6MOS工藝我們主要要了解各次光刻版的作用，為學(xué)習(xí)版圖設(shè)計打下基礎(chǔ)。(1)外延生長?外延生長為在單晶襯底(基片)上生長一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單品層的方法。生長外延層有多種方法，但采用最多的是氣相外延工藝，常使用高頻感應(yīng)爐加熱，襯底置于包有碳化硅、玻璃態(tài)石墨或熱分解石墨的高純石墨加熱體
2025-04-28 22:22
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