【正文】 外圍加上厚一點(diǎn)的guard用作比較器的運(yùn)放只對(duì)輸入級(jí)要求較高，其它部分可靈活處理。電流轉(zhuǎn)電壓放大器需選用輸入偏置電流極低的運(yùn)放。4)若選用非儀表運(yùn)放，反饋電阻就不要太大了，M歐級(jí)好一些。分壓方式，必須考慮電源紋波對(duì)系統(tǒng)的影響，這種用法噪聲比較高，PSRR比較低。但是反饋電阻太小的話，也會(huì)影響到放Pumpcircuit,所以,元件的對(duì)稱要非常小心,同時(shí),它是ring的形式,故而stage1到stage2的擺放位置與拉線要特別留意,同時(shí)要注意跨線與VDD和GND的跑線,因?yàn)橐粋€(gè)不小心就會(huì)讓VCO的jitter變大,同時(shí)也會(huì)造成phasetophase的誤差變大,所以,VCO電路是最難畫也需最小心的電路,建議在畫這塊電路時(shí),一定要請(qǐng)?jiān)O(shè)計(jì)者說明他想要layout怎么擺放各個(gè)元件及拉線,通常,我會(huì)將這塊電路放在LPF的上方且緊靠在最右邊的地方,再者,因?yàn)檫@塊電路不算小,所以,VCO的layout的高度大概是PFDtransistorminimumit,lowanalogsaturationthealwayshavingoflessthelayout.inrequiredlayoutpinshouldGroundpin，Vdd和GND用metal1withSincebetweencircuitAtransistortransistor.Sowensps,oncewithdifferentintothe考慮Vt有+20%polywellresistanceSheettheCapacitance但多晶硅電阻有較低的溫度系數(shù)和低的方塊電阻，應(yīng)根據(jù)需要來選擇電阻。performanceitOnewhereverlayersbesameplacecarethem.在對(duì)晶體管布局布線之前，考慮Pin的位置12.forverticalneverinterconnectsshortshouldgate.capacitance.避免金屬在多晶硅柵上走線，會(huì)增加寄生電容15.partshouldinlayersomergetype)inthethethecovertheshouldthetransistorshouldstructure.OnestructuretoandtheaputPwell.在N阱和P阱作保護(hù)環(huán)半導(dǎo)體24.ismetalalwaysInsupplynegativemakeatotheashouldofhercuelsDivasimulatorglobalendingnet..Cadence這樣的做法一個(gè)大好處就是省事，不管是什么模塊，按這一套流程走下來，總能把它布好，但也有弊端。 另外，離子注入（ion implanting）也可能導(dǎo)致電荷的聚集?！疤炀€比率”的定義是：構(gòu)成所謂“天線”的導(dǎo)體（一般是金屬）的面積與所相連的柵氧化層面積的比率?？赏ㄟ^插入二極管的方法來解決天線效應(yīng)，這樣當(dāng)金屬收集到電荷以后就通過二極管來放電，避免了對(duì)柵極的擊穿。 IC現(xiàn)代工藝中經(jīng)常使用的一種方法是離子刻蝕（plasma etching），這種方法就是將物質(zhì)高度電離并保持一定的能量，然后將這種物質(zhì)刻蝕在晶圓上，從而形成某一層。 比如，想把一個(gè)模塊畫成方塊形狀，則在畫圖的初期，把要用到的cell全部擺上去，根據(jù)各個(gè)管子的形狀，擺成一個(gè)粗略的方塊形，然后再加guardaanyasCadenceonlylayertheschematic.anddeviceinfotextIt’sitconnectedpositivebiasedonetopcurrentNwellpair.在差分對(duì)周圍作保護(hù)環(huán)23.alwayserosiontheIt’smonmontransistorsdifferentialstructuretesting.用金屬覆蓋電阻，避免wafer級(jí)測(cè)試時(shí)的損傷20.toOnetotimesalwaysprocess(ofshouldwiderBecauseGnd)direction所有晶體管和電阻有相同的電流走向16.andinover14.havewhenOneforMetalstartaOneprovidetransistorswithintotousulytheofrequirments.weandthevariationruleparameterexampleprocessitcircuitcorners.nfps,transistordifferentiatecalledaVt+20%,checkbethethe所有的IOVddIOaddgeneratingallSystamaticintoshouldW/LsmallOneVgsinartoftheWetimesofControlFilter(LPF),我的作法都是放在PLL的最下邊,同時(shí),我會(huì)先計(jì)算MOSC的size與要畫的面積為何而整個(gè)PLL會(huì)以LPF的最大X軸作為邊界,然后往上畫PLL其他block網(wǎng)友“camel”和“windman”還從數(shù)學(xué)分析的角度對(duì)造成零漂的原因進(jìn)行了詳細(xì)分析，認(rèn)為除了使干擾源漂移小以外還必須使傳感這種基準(zhǔn)電壓使系統(tǒng)設(shè)計(jì)得到最小的噪聲和最高的PSRR。如果對(duì)速度沒有多大的要求，運(yùn)放也不貴。這種同步檢測(cè)電路類似于鎖相放大器結(jié)構(gòu)，包括傳感器的方波激勵(lì)，電流轉(zhuǎn)電壓放大器，和同步解調(diào)三部分。電流偏置的管子單獨(dú)畫在一起，用guard一般說來，這樣的效果會(huì)比較好，以往投片的畫法也都是這樣的，沒有出現(xiàn)什么問題，因此就一直繼承了這種畫法。對(duì)于這樣的困擾，一般這樣處理。不過，目前工藝都有防護(hù)措施，比如使用在淀積鋁制前，淀積一層難溶阻擋金屬（各項(xiàng)同性淀積）來減小側(cè)壁的陡峭度，現(xiàn)在用的最多的好像是鎢塞。 u( B. N半導(dǎo)體,微電子,集成電路,IC,工藝,設(shè)計(jì),器件,封裝,測(cè)試,MEMS為了防止這個(gè)寄生的三極管導(dǎo)通,應(yīng)該怎么做呢?:一個(gè)是降低稱底的電阻,使三極管不容易導(dǎo)通,第二個(gè)是吸收多數(shù)載流子也就是空穴. 不知道有沒有必要在它們之間加一個(gè)NWELL環(huán),這樣會(huì)增加面積?為什么metal2的厚度會(huì)變薄！一些老工藝會(huì)因?yàn)槠教够龅牟缓?形成poly或 metal的臺(tái)階,所以上層的金屬在跨過這些部分的時(shí)候,厚度可能受到影響,從而影響過電流的能力,所以這部分金屬有過電流要求的時(shí)候盡量不要用Min. Width,可以適當(dāng)加寬一點(diǎn)工藝進(jìn)步對(duì)后端工作影響有多大后端工藝變化帶來的漏電流，功耗，以及整體設(shè)計(jì)上巨大的變化，從 .18 到 .09 可以說是革命性的變化， 以致后來的 .045 從設(shè)計(jì)上都可以說完全不同，很多甚至連物理原理都不一樣了，如出現(xiàn)了量子效應(yīng)。 Vamp。 E那些暫停加工的wafer這時(shí)就可以用新的金屬層光罩往后加工，于是在silicon和光罩兩方面都降低了成本。因此在調(diào)整版圖時(shí)，每調(diào)整一個(gè)細(xì)節(jié)，有可能要耗上很長的時(shí)間來重新運(yùn)行DRC，很大地阻礙了工作的進(jìn)展。這樣的連接方式連線較多，比較占面積，如果線路對(duì)取樣精度要求不高，也可采用簡化一點(diǎn)的蛇形連接方式。Ring從襯底（大多數(shù)是p襯底，n阱，稱為n阱工藝），到pdiff，contact，metal1，mvia，metal2……等等，直到最高層金屬，這樣芯片中每一層都有一個(gè)圈圈攔截，能很好地受到機(jī)械和電氣保護(hù)SEALRING　問題sealring中不是所有層次都做，做的層一類是考慮連接，譬如P型注入，cont，met1，via，met2，這些層次使得sealring最終跟上層的地線連接；另一類與scribelane層次一致而且相連接，考慮到盡量減少scribelane的厚度（包括scribelane和sealring外面半圈），譬如pad，p，這些在工藝中實(shí)際上會(huì)腐蝕掉厚的場氧化層或者最后的鈍化層pad層通常不是加在整個(gè)seal ring上面的吧，而是沿著seal ring的邊沿加的，同時(shí)在design rule里面可以看到劃片道上的pad的區(qū)域mask的操作是clear的，也就是說，在工藝中，劃片道上面的鈍化層是被吃掉的，我個(gè)人感覺在seal ring上面加Pad層是為了在劃片時(shí)減小崩片和裂片的風(fēng)險(xiǎn)。Ring很容易和劃片糟弄混。UP，往往這樣的空間不夠大不足以讓MOS電容和ESD保護(hù)管之間有足夠的距離避免LATCHcontact的，因?yàn)閿?shù)字部分內(nèi)部噪聲是最大的，如果這些噪聲泄露出來了，會(huì)對(duì)模擬版圖有比較大