【摘要】主要內(nèi)容：?微波無(wú)源元器件?微波有源元器件?微波集成電路簡(jiǎn)介第九章微波元器件與集成電路微波元器件無(wú)源元器件有源元器件基本電抗元件終端元件連接元件分支元件（功率分配元件）衰減器和移相器定向耦合器濾波器諧振器隔離器……
2025-04-29 13:26
【摘要】第四章集成電路制造工藝CMOS集成電路制造工藝?形成N阱?初始氧化?淀積氮化硅層?光刻1版，定義出N阱?反應(yīng)離子刻蝕氮化硅層?N阱離子注入，注磷?形成P阱?在N阱區(qū)生長(zhǎng)厚氧化層，其它區(qū)域被氮化硅層保護(hù)而不會(huì)被氧化?去掉光刻膠及氮化硅層?P阱離子注入，
2025-04-30 13:59
【摘要】Module3模擬集成電路版圖基礎(chǔ)Lab3-1CMOS無(wú)源器件結(jié)構(gòu)與版圖?知識(shí)單元：?1、電阻?2、電容?3、電阻和電容畫法實(shí)例一、電阻：1、方塊電阻?方塊電阻測(cè)量方法：–用poly來(lái)做一個(gè)電阻，先做一個(gè)正方形，長(zhǎng)，寬相等。通過在其兩端加電壓，測(cè)量電流的方法，可以得到它的阻值。?電阻連接
2025-05-13 00:45
【摘要】第二章電力電子變頻器及PWM控制原理山東大學(xué)三相SPWM專用集成電路?SPWM專用集成電路芯片用一片集成電路加上少量的外圍器件生成SPWM波形，大大簡(jiǎn)化了電路和設(shè)計(jì)成本。?SA4828?SM2021一、SA4828及其應(yīng)用SA4828是一種新型三相SPWM芯片。SA
2025-05-10 21:39
【摘要】桂林電子科技大學(xué)職業(yè)技術(shù)學(xué)院第二章封裝工藝流程前課回顧？？IC發(fā)展+電子整機(jī)發(fā)展+市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)=微電子技術(shù)產(chǎn)業(yè)?封裝工藝流程概述主要內(nèi)容?芯片切割?芯片貼裝?芯片互連?成型技術(shù)?去飛邊毛刺?上焊錫?切筋成型與打碼封裝工藝流程概述
2025-03-20 06:10
【摘要】生物工程與集成電路調(diào)研報(bào)告?21世紀(jì)生物工程的一大特點(diǎn)就是和集成電路技術(shù)緊密相聯(lián)如新興的生物芯片，它利用生物大分子（蛋白質(zhì)，DNA等）代替硅芯片的硅原子
2025-01-18 02:03
【摘要】國(guó)際微電子中心集成電路設(shè)計(jì)原理2022/5/30韓良1第一章集成電路制造工藝流程集成電路（IntegratedCircuit）制造工藝是集成電路實(shí)現(xiàn)的手段，也是集成電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)。國(guó)際微電子中心集成電路設(shè)計(jì)原理2022/5/30韓
2025-05-02 18:02
【摘要】桂林電子科技大學(xué)職業(yè)技術(shù)學(xué)院第三章厚/薄膜技術(shù)前課回顧、TAB技術(shù)與FCB技術(shù)的概念WB、TAB和FCB芯片互連技術(shù)對(duì)比分析?厚膜技術(shù)簡(jiǎn)介主要內(nèi)容?厚膜導(dǎo)體材料膜技術(shù)簡(jiǎn)介厚膜（ThickFilm）技術(shù)和薄膜技術(shù)（ThinFilm）是電子封裝中的重要工藝技
【摘要】桂林電子科技大學(xué)職業(yè)技術(shù)學(xué)院焊料合金?無(wú)鉛焊料主要內(nèi)容?有鉛焊料?焊料合金成分及作用電子產(chǎn)品焊接對(duì)焊料的要求1)熔化溫度相對(duì)較低，保證元件不受熱沖擊而損壞。2)熔融焊料須在被焊金屬表面有良好流動(dòng)性，有利于焊料均勻分布，并為潤(rùn)濕奠定基礎(chǔ)。3)凝固時(shí)間要短，有利于焊點(diǎn)成型，便于操作。4)焊接后，焊點(diǎn)
2025-01-22 01:41
【摘要】第三章：熱氧化技術(shù)?.二氧化硅及其在器件中的應(yīng)用–.1.SiO2的結(jié)構(gòu)和基本性質(zhì)–1）結(jié)構(gòu):結(jié)晶形二氧化硅（石英晶體）（2.65g/cm3）無(wú)定形（非晶）二氧化硅（石英玻璃）（2.20g/cm3
2024-12-08 11:23
【摘要】第6章集成電路器件及SPICE模型2無(wú)源器件結(jié)構(gòu)及模型二極管電流方程及SPICE模型雙極晶體管電流方程及SPICE模型結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管JFET模型MESFET模型MOS管電流方程及SPICE模型SPICE數(shù)?；旌戏抡娉绦虻脑O(shè)計(jì)流程及方法3無(wú)源器件結(jié)構(gòu)及模型集
2025-07-20 06:30
【摘要】在一些電子測(cè)量?jī)x器、裝置或產(chǎn)品中，經(jīng)常有測(cè)量電路中直流電流的需要，因此研發(fā)人員開發(fā)出各種各樣的電流檢測(cè)集成電路。它是一種I/V轉(zhuǎn)換器，將測(cè)量的電流轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的電壓，即V=kI，其中k為比例常數(shù)。另外，在一些電子產(chǎn)品中要限制輸出電流，以防止有故障時(shí)（負(fù)載發(fā)生局部短路或輸出端短路、電源輸出電壓升高等）產(chǎn)生過流而造成更大損失。檢測(cè)到有過流發(fā)生時(shí)，可以控制關(guān)斷電源或負(fù)載開關(guān)，或以限制的電流輸出。
2025-08-18 16:43
【摘要】中國(guó)最大的管理資料下載中心(收集\整理.部分版權(quán)歸原作者所有)第1頁(yè)共19頁(yè)集成電路常用單詞線路單元與支路單元Lineunitandtributaryunit鎖相Phase-lock定時(shí)基準(zhǔn)Timingreference帶電插拔Hotplug鈴流Ringingcur
2025-08-07 18:16
【摘要】復(fù)習(xí)1.高溫氧化工藝硅的熱氧化硅的熱氧化是指在高溫下，硅片表面同氧氣或水進(jìn)行反應(yīng)，生成SiO2。硅的熱氧化有：干氧、濕氧、水汽氧化三種。如果氧化前已存在厚度為t0的氧化層，則（3-11）微分方程的解為：（tOX：是總的氧化層厚度）??????tBAttO
2025-01-06 18:43
【摘要】集成電路制作合同 集成電路制作合同 立約人_________（以下簡(jiǎn)稱甲方）與_________（以下簡(jiǎn)稱乙方）。甲乙雙方為集成電路試制事宜，特立本合約，并同意條件如下： 第一條標(biāo)的物：委...
2024-12-17 00:19
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