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圖設(shè)計規(guī)則ppt課件(存儲版)

2025-02-16 16:59上一頁面

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【正文】 場氧 場氧 場氧 poly 光 P+/N+擴(kuò)散區(qū) MASK N+ 光刻膠 S/D SiO2 Copyright by Mo Bing P- type Si 華僑 大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 Pwell SiO2 場氧 場氧 場氧 poly 光 P+/N+擴(kuò)散區(qū) MASK N+ 光刻膠 S/D SiO2 Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 P+/N+擴(kuò)散區(qū) P- type Si Pwell SiO2 場氧 場氧 場氧 S/D poly 版圖層次定義 N+ implant 光刻膠 N+ 接觸 Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 版圖層次定義 Contact 接觸形成的工藝的目的是在所有的硅的有源區(qū)和 Poly形成金屬接觸,這層金屬接觸可以使硅和隨后淀積 的金屬導(dǎo)電材料更加緊密的結(jié)合。 Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 本章重點內(nèi)容 CMOS工藝中每層版圖在工藝制造中 的 作用 CMOS工藝制造反相器的流程,以及 與之對應(yīng)的版 圖 。 而 P+和 N+擴(kuò)散區(qū)的作用在于實現(xiàn)離子的注入,從而 控制硅的摻雜類型。 Poly2一起制造 PIP電容(多晶硅1 -絕緣層- Poly2)。需要注意的是:施主雜質(zhì)不僅會沿垂直硅片的 方向擴(kuò)散(縱向擴(kuò)散);還會在硅片中間向四周擴(kuò) 散(橫向擴(kuò)散)。 NWell Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 版圖層次定義 N阱和 P襯底構(gòu)成寄生二極管,在 CMOS電路中襯 底通常接最低電平,確 保二極管處于反偏。華僑大學(xué)信息學(xué)院電子工程系廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 IC工藝和版圖設(shè)計 第二章 版圖設(shè)計規(guī)則 主講:莫冰 Email: Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 參考文獻(xiàn) 1 . Alan Hastings著 . 張為 譯 . 模擬電路版 圖的藝術(shù) .第二版 . 電子工業(yè)出版社 . CH23 2 . Baker著 . 陳中建 譯 . CMOS電路 設(shè)計布局與仿真 . 第一版 . 機(jī)械工業(yè)出版社 . CH24 3 . Michael Quirk 著 . 韓鄭生 譯 . 半導(dǎo)體制 造技術(shù) . 第一版 . 電子工業(yè)出版社 . CH CH9 4 . CSMC DPTM Mixed Signal Technology Technology Topological Design Rule Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 本章主要內(nèi)容 版圖層次定義 版圖設(shè)計規(guī)則 簡單反相器版圖 Layout Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 版圖層次定義 Layout TO TB PT BC PS ND PD 1. 有源區(qū) 3. 場注入 4. 正常 Vth溝道注入 5. 低 Vth NMOS溝道注入 6. 低 VthPMOS溝道注入 7. 耗盡型 NMOS溝道注入 8. 耗盡型 PMOS溝道注入 Active NWell LVN LVP VDN VDP Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 版圖層次定義 Layout NPN 基區(qū)注入 /漏 /漏 Pbase Poly1 N+ P+ ROM High Res Poly2 Contact BA GT SN SP RO IM PC W1 Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 版圖層次定義 Layout 17. 金屬 1 M2接觸孔 19. 金屬 2 20. M2和 M3接觸孔 21. 金屬 3 22. 焊盤 PAD Metal1 VIA1 Metal2 VIA2 Metal3 PAD A1 W1 A2 W3 A3 CP Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 版圖層次定義 Nwell 有源區(qū) 多晶硅 1 多晶硅 2 多晶硅 2阻擋層 ?N ?N阱阱 ? 有源區(qū)(薄氧區(qū)) ?多晶硅 1( Poly1) . ? 多晶硅 2( Poly2) ? 多晶硅 2摻雜阻擋層 版圖層次定義 如果制造集成電路的硅片摻雜了磷等施主雜質(zhì),則 該類型的硅片稱為 n型硅; 如果摻雜了硼等受主雜質(zhì),則該類型的硅片稱為 p 型硅。 現(xiàn)代工藝中也有同時使用 N阱和 P阱的工藝, 稱為雙阱工藝。 SiO2 P襯底 不透光區(qū) 透光區(qū) 掩膜版 NWell Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 版圖層次定義 擴(kuò)散到一定時間后, N阱的深度達(dá)到工藝期 望 值。 FOX FOX FOX FOX LOCOS LOCOS Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 版圖層次定義 Nwell 有源區(qū) 多晶硅 1 多晶硅 2 多晶硅 2阻擋層 ?N阱 ? 有源區(qū)(薄 氧區(qū)) ?多晶硅 1( Poly1) . ? 多晶硅 2( Poly2) ? 多晶硅 2摻雜阻擋層 Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 版圖層次定義 Poly Poly1作用: MOSFET的柵。 ,需要超過有源區(qū)一定距離,保 證源漏不會發(fā) 生短路 . Copyright by Mo B
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