【摘要】第四章第四章集成電路設(shè)計(jì)第四章集成電路是由元、器件組成。元、器件分為兩大類:無(wú)源元件電阻、電容、電感、互連線、傳輸線等有源器件各類晶體管集成電路中的無(wú)源源件占的面積一般都比有源器件大。所以設(shè)計(jì)時(shí)盡可能少用無(wú)源元件,尤其是電容
2025-05-04 18:03
【摘要】TestingTrainingBrochure集成電路專業(yè)測(cè)試技術(shù)培訓(xùn)課程介紹 TableofContentIntroduction
2025-03-26 05:14
【摘要】集成電路發(fā)展史姚連軍120012009323管理學(xué)院09財(cái)務(wù)管理蘇世勇120012009222管理學(xué)院09市場(chǎng)營(yíng)銷傅彩芬110012009023法政學(xué)院09公共管理類陳凱120012009015管理學(xué)院09工商管理集成電路對(duì)一般人來(lái)說(shuō)也許會(huì)有陌生感,但其實(shí)我們和它打交道的機(jī)會(huì)很多。計(jì)算機(jī)、電視機(jī)、手機(jī)、網(wǎng)站、取款機(jī)等等,數(shù)不勝數(shù)。除此之外在航空航天、星
2025-06-25 19:01
【摘要】集成電路濕法刻蝕的應(yīng)用摘要濕刻就是濕法刻蝕,它是一種刻蝕方法,主要在較為平整的膜面上刻出絨面,從而增加光程,減少光的反射,刻蝕可用稀釋的鹽酸等。濕法刻蝕是將刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進(jìn)行腐蝕的技術(shù)。它是一種純化學(xué)刻蝕,具有優(yōu)良的選擇性,刻蝕完當(dāng)前薄膜就會(huì)停止,而不會(huì)損壞下面一層其他材料的薄膜。著重研究各種化學(xué)品的流量對(duì)電池片刻蝕深度的影響。首先查看各種資料,掌握本課題相關(guān)的知識(shí):通過(guò)對(duì)氫
2025-06-23 06:50
【摘要】常用集成電路引腳圖74LS00?????????????74LS02?????????74LS0474LS10????
2025-06-18 08:51
【摘要】2022/2/4共88頁(yè)1Hspice/Spectre介紹羅豪2022/2/4共88頁(yè)2模擬集成電路的設(shè)計(jì)流程(DRCLVS)全定制2022/2/4共88頁(yè)3各種仿真器簡(jiǎn)介?SPICE:由UCBerkeley開發(fā)。用于非線性
2025-01-08 15:09
【摘要】CMOS集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)-MOS器件MOS器件多晶硅GSD氧化層LeffLdrawnN+N+P型襯底LDWNMOS管的簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)制作在P型襯底上(P-Substrate,也稱bulk或body,為了區(qū)別于源極S,襯底以B來(lái)表示),兩個(gè)重?fù)诫sN區(qū)形成源區(qū)和漏區(qū),
2025-01-12 16:50
【摘要】1集成電路封裝技術(shù)清華大學(xué)微電子所賈松良Tel:62781852Fax:62771130Email:2022年6月12日2目錄一、中國(guó)將成為世界半導(dǎo)體封裝業(yè)的重要基地二、IC封裝的作用和類型三、IC封裝的發(fā)展趨勢(shì)四、IC封裝的基本工藝五、幾種新穎
2024-08-10 17:54
【摘要】集成電路CAD總學(xué)分:2上課學(xué)分:(24學(xué)時(shí))實(shí)驗(yàn)學(xué)分:(16學(xué)時(shí))什么是集成電路CAD??ComputerAidedDesign?ComputerAidedDrafting?TodayweuseComputerAidedDraftingtoolstodraweachlayerofour
2024-08-10 14:45
【摘要】國(guó)外集成電路命名方法器件型號(hào)舉例說(shuō)明?(縮寫字符:AMD譯名:先進(jìn)微器件公司(美))AM29L509PCBAMD首標(biāo)器件編號(hào)封裝形式溫度范圍分類?"L":低功耗;D:銅焊雙列直插C:商用溫度,沒(méi)有標(biāo)志的?"S":肖特基;(多層陶瓷);(0-7
2024-08-31 15:56
【摘要】集成電路制造工藝原理課程總體介紹:1.課程性質(zhì)及開課時(shí)間:本課程為電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)(微電子技術(shù)方向和光電子技術(shù)方向)的專業(yè)選修課。本課程是半導(dǎo)體集成電路、晶體管原理與設(shè)計(jì)和光集成電路等課程的前修課程。本課程開課時(shí)間暫定在第五學(xué)期。2.參考教材:《半導(dǎo)體器件工藝原理》國(guó)防工業(yè)出版社
2025-06-25 03:24
【摘要】 CMOS集成電路制造工藝從電路設(shè)計(jì)到芯片完成離不開集成電路的制備工藝,本章主要介紹硅襯底上的CMOS集成電路制造的工藝過(guò)程。有些CMOS集成電路涉及到高壓MOS器件(例如平板顯示驅(qū)動(dòng)芯片、智能功率CMOS集成電路等),因此高低壓電路的兼容性就顯得十分重要,在本章最后將重點(diǎn)說(shuō)明高低壓兼容的CMOS工藝流程?!』镜闹苽涔に囘^(guò)程CMOS集成電路的制備工藝是一個(gè)非常復(fù)雜而
2025-06-29 07:07
【摘要】集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)莫冰華僑大學(xué)電子工程系廈門市專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室第四章集成電路器件工藝雙極型集成電路的基本制造工藝MESFET和HEMT工藝MOS工藝和相關(guān)的VLSI工藝BiCMOS工藝第四章集成電路器件工藝IC材料、工藝、器件和電路材料工藝器件
2025-01-07 01:54
【摘要】2022/2/41第二章IC制造材料結(jié)構(gòu)與理論了解集成電路材料半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)PN結(jié)與結(jié)型二極管雙極型晶體管基本結(jié)構(gòu)與工作原理MOS晶體管基本結(jié)構(gòu)與工作原理2022/2/42表集成電路制造所應(yīng)用到的材料分類
【摘要】集成電路原理與設(shè)計(jì)重點(diǎn)內(nèi)容總結(jié)第一章緒論摩爾定律:(P4)集成度大約是每18個(gè)月翻一番或者集成度每三年4倍的增長(zhǎng)規(guī)律就是世界上公認(rèn)的摩爾定律。集成度提高原因:一是特征尺寸不斷縮小,大約每三年縮小倍;二是芯片面積不斷增大,;三是器件和電路結(jié)構(gòu)的不斷改進(jìn)。等比例縮小定
2025-06-25 19:07