講座之一pd芯片知識培訓(xùn)(存儲版)
【正文】 檢驗(yàn)規(guī)定 減薄厚度 100%檢驗(yàn) 。 2正向電壓 100%檢測 InGaAs/InP PIN PD芯片減薄工藝的檢驗(yàn)規(guī)范 檢驗(yàn)內(nèi)容 待減薄片厚度 ， 減薄片厚度 檢驗(yàn)方法 2． 1用千分表將待減薄片依次測量其厚度 ， 將厚度差為 177。 。 暗電流 100%檢測 。 20μm。 根據(jù)擴(kuò)散后的擊穿電壓 ， 換算出外延片有源層的載流子濃度 。 測試合金前定點(diǎn)管芯 ID： Φ55μm ID≤。 刻蝕 Cr/Au、 片 100%檢查 。 175℃ 時間： 16 hr ? 偏置： 10V ?氣氛： N2 : （ 非破壞性 ） ? 金絲直徑： ф18181。A VF： IF=1mA 響應(yīng)度 Re： λ= VR=5V PD芯片測試要求 反向擊穿電壓 VBR測試 反向擊穿電壓 VBR是 PD芯片的極限參數(shù) 。 5. P面電極 材料： Cr/ Au 總厚度： ～ ?m Cr作為勢壘層處于 pInGaAs和 Au之間 ， 可阻擋Au向半導(dǎo)體內(nèi)遷移 。 實(shí)驗(yàn)中我們發(fā)現(xiàn)折射率越高 ， 膜越容易龜裂， 因此我們將容易生產(chǎn)龜裂的第一層 SiN膜折射率設(shè)計(jì)為 ～ ,不易裂且起鈍化作用 .由于 SiN與 InP的熱膨脹系數(shù)不一致 ， 界面產(chǎn)生的應(yīng)力較大 ， 尤其是PECVD SiN摸呈現(xiàn)壓縮應(yīng)力 ， 在高真空閉管擴(kuò)散中 ，膜稍厚就會因應(yīng)力造成龜裂而失去掩膜作用 。 膜的材料類型 ， 制作工藝以及制作質(zhì)量強(qiáng)烈地影響著暗電流參數(shù)的穩(wěn)定性。 4． InP頂層層厚： ～ ?m。 要求襯底位錯密度越低越好 。 光敏面電極要大于二次版電極環(huán)尺寸 ， 延伸電極是為了避免鍵合應(yīng)力直接施加在光敏面上而設(shè)計(jì)的 。 在窄帶隙 （ Eg?） 吸收層上生長一層寬帶隙 InP頂層 （ Eg?） ， InP?InGaAs異質(zhì)結(jié)勢壘將有效地控制少數(shù)載流子擴(kuò)散電流的產(chǎn)生 。 B、 整個 I區(qū)較有電場 ， 光生載流子獲得較擴(kuò)散速度快得多的漂移速度奔向電極形成外部電流 ， 因響應(yīng)度提高了 。 但無電場引導(dǎo)和加速 。PIN PD 芯片知識 培訓(xùn)內(nèi)容 ? PD芯片基本理論 ? PD 芯片設(shè)計(jì)說明 ? PD芯片工藝流程 ? PD芯片參數(shù)及測試 ? PD芯片檢驗(yàn) ?結(jié)束語 什么是 PD芯片 ？ PD—— Photo Devices 光電探測器 Photo Dioder 光電二極管 為什么要做 PD芯片 ？ 光纖通信均采用光譜很窄的單色光源 ， 要求所采用的檢測器具有波長選擇性 ， 因此系統(tǒng)的檢測器都采用光子器件 。 這時光生載流子雖仍在 PN中產(chǎn)生 。 A、 I區(qū)較 P區(qū)厚 ， 入射光能在較寬的范圍內(nèi)激發(fā)出載流子 ， 因而提高了器件的響應(yīng) 率 。 2． 2 在襯底與吸收層之間生長的非摻雜 InP緩沖層 ,以阻擋外延生長過程中襯底硫反擴(kuò)散對有源層造成的污染 ,并實(shí)現(xiàn)襯底與吸收層之間的晶體過度 ,減少晶體缺陷 。 二次版圖 20 20 ?320 560 560 ?300 ?55二次版圖 ?55二次版圖 圖 4． 三次版圖 三次版圖為 P面電極圖形 ， 電極材料為 CrAu， 它由光敏面電極及延伸電極組成 。 硫有明顯抑制位錯的作用 ， 在相同的摻雜濃度下 ，位錯密度可低 ～ 1個數(shù)量級 。 考慮到器件是在低電場下工作的 PIN器件 ， 并兼顧目前的工藝水平 ， 我們設(shè)計(jì) InGaAs層的載流子濃度為 1?1015CM3， 所產(chǎn)生的隧道效應(yīng)電流應(yīng)該是很小的 。 通過摸底試驗(yàn) ，我們認(rèn)為鈍化膜是造成器件在穩(wěn)態(tài)工作壽命 （ 高溫 —反偏 ） 試驗(yàn)中 失效的主要因素 。 PECVD SiN膜的折射率一般在 1． 8～ 。 A:系數(shù) ,與 InP的表面濃度有關(guān)； D：擴(kuò)散系數(shù)；
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