【正文】 學(xué)習(xí)本不是一個(gè)人的事，需要大家共同探討研究，希望誰(shuí)有了好的學(xué)習(xí)方法不妨拿出來(lái)分享，也便于大家共同進(jìn)步。一方面聽講可以知道內(nèi)容的重點(diǎn)，這樣下課自己看書的時(shí)候就比較有針對(duì)性，效率很高，知識(shí)點(diǎn)齊全，考試自然輕松；另一方面老師在課上會(huì)講到課本上沒有但又十分重要的知識(shí)和思路，而這些事自己看書根本不能得到的。大一的時(shí)候就老師學(xué)長(zhǎng)們就和我們交流過(guò)關(guān)于模電這門課的學(xué)習(xí)難度，而且他們幾乎都認(rèn)為模電的學(xué)習(xí)較有難度，所以剛開始時(shí)就沒敢怠慢這門課程。模 擬和數(shù)字都是有發(fā)展方向的。同樣，只會(huì)數(shù)電，怎樣設(shè)計(jì)出好的板子來(lái)，實(shí)在難以想象。4)、我的看法不可割裂知識(shí)間的聯(lián)系時(shí) 下流行的說(shuō)法是“現(xiàn)在搞數(shù)電的比模電賺錢，搞軟件的比硬件的?！薄Ｄｋ娮鳛槿值闹R(shí)和技能與要求。說(shuō)簡(jiǎn)單點(diǎn)，是個(gè)基本功問(wèn)題。一般 來(lái)說(shuō)，數(shù)字電路設(shè)計(jì)做好數(shù)字邏輯就差不多了，剩下和問(wèn)題就交給模擬去辦了。尺有所短寸有所長(zhǎng)，在交流探討中能發(fā)現(xiàn)自己的不足，從而可以選擇薄弱板塊進(jìn)行深入思考。PN結(jié)主要是因電子、元素性質(zhì)決定的，所以認(rèn)識(shí)它并不難，關(guān)鍵是要掌握PN結(jié)的應(yīng)用的各個(gè)電流方向與成因，了解了這些后，對(duì)后面半導(dǎo)體、晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管的各極電流就可以輕松理解。學(xué)習(xí)這門課，有一本好的輔導(dǎo)資料，是非常重要的，利用好圖書館資源，也是你大學(xué)學(xué)習(xí)的一個(gè)重要環(huán)節(jié)。在學(xué)習(xí)電子電路的工作原理時(shí)要緊緊抓住基本概念和基本分析方法；在分析和計(jì)算時(shí)又常常需要從實(shí)際情況出發(fā)，抓住主要矛盾，忽略次要矛盾。模電：偏重于pn結(jié)內(nèi)部參量的計(jì)算，放大電路結(jié)構(gòu)及相應(yīng)特點(diǎn)、應(yīng)用；而且也要求設(shè)計(jì)滿足一定放大功能的電路。其次，課后要認(rèn)真做作業(yè)，常常翻書復(fù)習(xí)，這兩門課的特點(diǎn)可能會(huì)讓一些同學(xué)產(chǎn)生錯(cuò)覺：上課聽得懂，課后習(xí)題看著會(huì)作就行了。還好當(dāng)時(shí)老師講得挺詳細(xì)，而且課后常翻翻相關(guān)的資料，所以學(xué)起來(lái)還算輕松，考試成績(jī)也還令人滿意，總結(jié)一下，學(xué)習(xí)有以下心得：首先，上課一定要認(rèn)真聽講，認(rèn)真做筆記。而且該信號(hào)是按“比例（有符號(hào)+或，如：同相比例或反相比例）”進(jìn)行的。溫度較高的器件往往把電流導(dǎo)向其它MOSFET，允許并行電路配置。MOS 場(chǎng)效應(yīng)管有增強(qiáng)型 EMOS 和耗盡型 DMOS 兩大類，每一類有 N 溝道和 P 溝道兩種導(dǎo)電類型。何也？按理說(shuō)，場(chǎng)管不是教材的重點(diǎn)，但目前實(shí)際中應(yīng)用最廣，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)雙極型晶體管（BJT）。綜合考慮以上三點(diǎn),通常在1k到10k之間選取。提高總線的抗電磁干擾能力。當(dāng)需要直流工作時(shí)，盡量采用半波整流。而電容器實(shí)際上起到一個(gè)限制電流和動(dòng)態(tài)分配電容器和負(fù)載兩端電壓的角色。當(dāng)220V的交流電壓加在電容器的兩端，則流過(guò)電容的最大電流約為70mA。當(dāng)然，我們并不想要噪聲，我們只是利用噪聲得到我們所需的信號(hào)，信號(hào)產(chǎn)生電路就分為三部分：放大電路，反饋網(wǎng)絡(luò)，選頻網(wǎng)絡(luò)。這里就不贅述了，不過(guò)我想講句就是：當(dāng)考慮輸出經(jīng)過(guò)反饋回路對(duì)輸入造成影響的時(shí)候，要把輸入當(dāng)成是零，然后再用疊加原理看反饋回路的作用進(jìn)而判斷反饋類型。具體的，我也不多說(shuō)了。比起三極管，場(chǎng)效應(yīng)管要求你記住它的直流特性（是把電流Id寫成關(guān)于Vgs的二次方程），然后交流時(shí)，要注意互導(dǎo)的概念，具體的，書上都有寫。為什么我們得先算出靜態(tài)工作點(diǎn)呢？這就要弄清直流和交流之間的關(guān)系了：在模電里，我們研究的對(duì)象都是放大電路，而其中的放大量都是交流信號(hào)，并且是比較微弱的交流信號(hào)。其中要運(yùn)用到電路理論的分析方法，所不同的是，新增加了不少?gòu)?fù)雜的電氣元器件。第一篇：模電學(xué)習(xí)心得集個(gè)人建議：認(rèn)真分析幾個(gè)典型電路，主要掌握晶體管的等效模型，以及在電路中怎么等效。說(shuō)到元器件，首先接觸到的便是二、三極管。大家知道，三極管要工作是要一定的偏置條件的，而交流信號(hào)又小又有負(fù)值，所以我們不能直接放大交流信號(hào)，在此我們用的方法就是：給管子一個(gè)直流偏置，讓它在放大區(qū)工作，然后在直流上疊加一個(gè)交流信號(hào)（也就是讓電壓波動(dòng)，不過(guò)不是像單一的正弦波一樣圍繞0波動(dòng)，而是圍繞你加的那個(gè)直流電壓波動(dòng)），然后由于三極管的性質(zhì)，就能產(chǎn)生放大的交流信號(hào)了。接著是說(shuō)三極管的高頻、低頻模型了我們以開始說(shuō)的交流分析都是在中頻下的，在中頻下，耦合電容可以看為短路，極間電容可以看為開路——而在低頻下，耦合電容不能當(dāng)作短路；高頻下，極間電容不能當(dāng)成開路。但這部分內(nèi)容的基礎(chǔ)還是三極管的分析，只是管子變多了，電路結(jié)構(gòu)變巧妙了！接著學(xué)完集成放大電路的結(jié)構(gòu)后，內(nèi)容就相對(duì)簡(jiǎn)單了，因?yàn)榇藭r(shí)我們不再是用一根根的三極管來(lái)組成電路，而是用已經(jīng)做好了的集成放大器來(lái)組成電路。然后，對(duì)于反饋網(wǎng)絡(luò)和放大網(wǎng)絡(luò)，都可以當(dāng)成二端口網(wǎng)絡(luò)來(lái)看，因此分析時(shí)就可以將其抽象化，不必考慮其結(jié)構(gòu)，而對(duì)不同的反饋類型又有不同的網(wǎng)絡(luò)連接結(jié)構(gòu)。當(dāng)然，反饋網(wǎng)絡(luò)和放大網(wǎng)絡(luò)還得滿足一定的參數(shù)條件，具體見書上?。ㄋ模┦Ｏ逻€是補(bǔ)充一下直流電源的內(nèi)容吧：直流電源的構(gòu)成分成三個(gè)部分：整流、濾波、穩(wěn)壓。雖然流過(guò)電容的電流有70mA，但在電容器上并不產(chǎn)生功耗，因?yàn)槿绻娙菔且粋€(gè)理想電容，則流過(guò)電容的電流為虛部電流，它所作的功為無(wú)功功率。采用電容降壓時(shí)應(yīng)注意以下幾點(diǎn)：根據(jù)負(fù)載的電流大小和交流電的工作頻率選取適當(dāng)?shù)碾娙荩皇且罁?jù)負(fù)載的電壓和功率。不建議采用橋式整流。管腳懸空就比較容易接受外界的電磁干擾。對(duì)下拉電阻也有類似道理。場(chǎng)效應(yīng)管，包括最常見的MOSFET，在電源、照明、開關(guān)、充電等等領(lǐng)域隨處可見。學(xué)習(xí)時(shí)，可將 MOSFET 和 BJT 比較，就很容易掌握，功率 MOSFET 是一種高輸入阻抗、電壓控制型器件，BJT 則是一種低阻抗、電流控制型器件。而且，MOSFET 的漏極和源極之間形成的寄生二極管可以充當(dāng)箝位二極管，在電感性負(fù)載開關(guān)中特別有用。不一定全是“放大”，某些場(chǎng)合也可能是衰減（如：比例系數(shù)或傳遞函數(shù) K=Vo/Vi=1/10）。大學(xué)上課的形式和高中很不一樣，一兩百人在一個(gè)大教師聽一個(gè)老師講課，而且老師上課的風(fēng)格不一定符合自己，這個(gè)時(shí)候有的同學(xué)可能覺得聽課很沒意思，而且自己看書也能看懂，于是就不去認(rèn)真聽講，而在課上開小差或是做其他事情。其實(shí)不然，上課聽懂只能說(shuō)明老師講的好，并不代表你學(xué)的好，更不能保證你會(huì)考的好，用的好。學(xué)