段輝高-2-半導(dǎo)體中的材料、硅片制作流程-免費(fèi)閱讀
【正文】 B： 摻雜方式 46 晶 圓制備 （ 2） 晶體生長 ⑥ 摻雜 將雜質(zhì)元素先制成硅的合金（如硅銻合金，硅硼合金），再按所需的計(jì)量摻入合金。 液體掩蓋直拉法使用一層氧化硼（ B2O3） 漂浮在熔融物上面來抑制砷的揮發(fā) 。 晶 圓制備 （ 2） 晶體生長 34 ① 直拉法 （ CZ法 ） 單晶爐 晶 圓制備 （ 2） 晶體生長 35 ① 直拉法 Czochralski法 （ CZ法） CZ法 工藝流程 準(zhǔn)備 腐蝕清洗多晶 → 籽晶準(zhǔn)備 → 裝爐 → 真空操作 開爐 升溫 → 水冷 → 通氣 生長 引晶 → 縮晶 → 放肩 → 等徑生長 → 收尾 停爐 降溫 → 停氣 → 停止抽真空 → 開爐 晶 圓制備 （ 2） 晶體生長 36 ① 直拉法 （ CZ法 ） CZ法 工藝流程 —— 生長部分的步驟 ? 引晶 將籽晶與熔體很好的接觸。 ? 石墨 烯與碳納米管等半導(dǎo)體材料。目前在 100 GHz左右的 3mm波段多數(shù)都用磷化銦器件。但是鍺 的禁帶 寬度為 0 67 V 熱穩(wěn)定性差最高工作溫度只有 85℃ 。 共價(jià)鍵中的兩個(gè)電子被緊緊束縛在共價(jià)鍵中，稱為束縛電子，常溫下束縛電子很難脫離共價(jià)鍵成為自由電子，因此本征半導(dǎo)體中的自由電子很少，所以本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱。硅中價(jià)層電子的數(shù)目使它正好位于優(yōu)質(zhì)導(dǎo)體（ 1個(gè)價(jià)電子）和絕緣體（ 8個(gè)價(jià)電子）的中間。 在一般的半導(dǎo)體制造中，鋁是最普遍的導(dǎo)體材料，可以用來充當(dāng)器件之間的互連線，而鎢可作為 金屬層之間的互連材料。第二章 半導(dǎo)體材料特性 1 提綱 2 原子結(jié)構(gòu) 化學(xué)鍵 材料分類 硅 可選擇的 半導(dǎo)體材料 新型半導(dǎo)體電子與光電材料 原子結(jié)構(gòu) 原子由 三種不同的粒子 構(gòu)成：中性 中子和帶正電的質(zhì)子組成原子核，以及圍繞原子核旋轉(zhuǎn)的帶負(fù)電核的電子，質(zhì)子數(shù)與電子數(shù)相等呈現(xiàn)中性。 銅是優(yōu)質(zhì)金屬導(dǎo)體的一個(gè)例子，逐漸被引入到硅片制造中取代鋁充當(dāng)微芯片上不同器件之間的互連材料。 11 硅的晶體結(jié)構(gòu) 109186。 15 摻雜硅 在 本征半導(dǎo)體中摻入某些微量的雜質(zhì)，就會(huì)使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著變化 。 ? 硅 具有很多優(yōu)點(diǎn)，地球上儲(chǔ)量豐富，易于提純，熱穩(wěn)定性好，在表面可生長 質(zhì)量 很高的二氧化硅層，工作溫度可達(dá) 160℃ 。 20 ——SiC、 GaN ? 碳化硅 原子束縛能力非常強(qiáng)，禁帶寬度很寬，機(jī)械硬度也很高，在 20世紀(jì)80年代 人們逐步掌握了碳化硅晶體的生長技術(shù)后， 90年代用于藍(lán)光發(fā)光材料，同時(shí)以 碳化 硅材料為基礎(chǔ)的電力電子器件和微波功率器件也相繼問世 。 22 幾種常見半導(dǎo)體材料的主要特性 參數(shù) 23 更多半導(dǎo)體 有機(jī)半導(dǎo)體 非晶半導(dǎo)體 24 第三章 硅片（晶圓）制造流程 25 26 晶 圓 制備的四個(gè)步驟 A： 礦石到高純氣體的轉(zhuǎn)變
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