功率器件封裝工藝流程-免費(fèi)閱讀
【正文】 :45:3702:45:37March 23, 2023 ? 1意志堅(jiān)強(qiáng)的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 2023年 3月 上午 2時(shí) 45分 :45March 23, 2023 ? 1少年十五二十時(shí)，步行奪得胡馬騎。 上午 2時(shí) 45分 37秒 上午 2時(shí) 45分 02:45: ? 沒有失敗，只有暫時(shí)停止成功！。 02:45:3702:45:3702:453/23/2023 2:45:37 AM ? 1以我獨(dú)沈久，愧君相見頻。 采用熱強(qiáng)酸腐蝕比較法，定期檢查密封性。 管腳錫層光亮平整、不氧化。 定期清洗劈刀，保證端面清潔完整。 33 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 熱阻測試篩選設(shè)備的優(yōu)點(diǎn) 優(yōu)點(diǎn) 2：篩選率高 如粘片有空洞，脈沖測試在很短功率脈沖內(nèi)，由于熱量來不及傳導(dǎo)，有空洞的地方就會(huì)形成一個(gè)熱點(diǎn)（即溫度比粘結(jié)面其他地區(qū)高出很多的小區(qū)域）（如右圖示 ）。 引線框架 表面平整、清潔、光亮無氧化，無斑點(diǎn)。 RT3與封裝形式及是否加散熱片有關(guān)。 塑封 切筋 打印 電鍍 測試 老化 19 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 功率器件后封裝工藝流程 成品管 測試分選 QC 抽檢 成品包裝 QA 檢驗(yàn) 入成品庫 客戶使用 返工 粉碎 不合格品 合格 不合格 合格 不合格 合格 返工 不合格 返工 抽檢 合格 切筋 電鍍 測試 老化 檢驗(yàn) 包裝 測試流程 20 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 功率器件后封裝工藝流程 —— 測試設(shè)備 KT9614與 DTS1000 分選機(jī) 21 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 功率器件后封裝工藝流程 —— 包裝 整潔的包裝車間 新型的包裝方式 — 編帶 我公司今年新引進(jìn)的編帶機(jī) 22 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 產(chǎn)品一致性和可靠性 產(chǎn)品的一致性 產(chǎn)品可靠性 23 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 產(chǎn)品參數(shù)一致性的保證 高精度的測試系統(tǒng) 最高測試電壓為 1000V，最大電流 20A，漏電流最高精度達(dá)到 pA級，電壓測試精度達(dá)到 2mV 可測試的半導(dǎo)體器件有雙極晶體管， MOS管，二極管等多種器件。 芯片與框架的熱匹配性良好，芯片和框架之間的應(yīng)力達(dá)到最小，熱阻小，散熱性好。 氮?dú)錃怏w保護(hù)，避免高溫下材料氧化。 對于雙極晶體管，可測試 hFE、 Vcesat、 Vbesat、Rhfe、 Iceo、 Iebo、 Bveb、 Icbo、 Bvceo、 Vfbe、 Vfbc、Vfec、 Bton、 Bvces、 Bvcer、 Icer、 Icex、 Icbr、Icbs、 BVcbo、 Iceo等參數(shù) 24 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 提高產(chǎn)品可靠性 －封裝工藝的嚴(yán)格控制 一、降低熱阻 二、控制“虛焊” 三、增強(qiáng)塑封氣密性 25 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 功率器件的重要參數(shù)－熱阻 降低器件發(fā)熱量的三個(gè)途徑 一、通過優(yōu)化電路，避免開關(guān)器件進(jìn)入放大區(qū)，減小器件上的功率消耗 。 背面金、銀層 焊料層 銅底座 （ 框架） 芯片 R T1 R T 2 R T 3 28 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 熱阻的工藝控制
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