半導(dǎo)體制造工藝第3章清洗工藝-免費閱讀
【正文】 二月 21二月 2104:50:1304:50:13February 01, 2023? 1意志堅強的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 二月 214:50 上午 二月 2104:50February 01, 2023? 1少年十五二十時，步行奪得胡馬騎。 4:50:13 上午 4:50 上午 04:50:13二月 21? 沒有失敗，只有暫時停止成功！。 04:50:1304:50:1304:502/1/2023 4:50:13 AM? 1以我獨沈久，愧君相見頻?！〕Ｓ们逑丛O(shè)備 —— 超聲波清洗設(shè)備① 純水超聲波拋動清洗 → ② 清洗劑超聲波拋動清洗 → ③ 純水噴淋漂洗 → ④ 清洗劑超聲波拋動清洗 → ⑤ 清洗劑超聲波拋動清洗 → ⑥ 純水噴淋漂洗 → ⑦ 純水超聲波拋動漂洗 → ⑧ 純水超聲波拋動漂洗 → ⑨ 純水超聲波拋動漂洗?！∏逑捶椒ǜ艣r圖 32 等離子清洗機的工作原理圖及清洗過程 清洗方法概況1)被清洗的工件送入真空艙并加以固定，啟動運行裝置，開始排氣，使真空艙的真空程度達(dá)到 10Pa左右的標(biāo)準(zhǔn)真空度。因此，業(yè)內(nèi)正逐步傾向于使用單晶圓濕式清洗處理技術(shù)，以降低重要的清洗過程中交叉污染的風(fēng)險，從而提高產(chǎn)品成品率以及降低成本?！∏逑捶椒ǜ艣r添加氯化物可抑制光照的影響，但少量的氯化物離子由于在Cu2+/Cu+反應(yīng)中的催化作用增加了 Cu的沉積，而大量的氯化物離子添加后形成可溶性的高亞銅氯化物合成體抑制了銅離子的沉積。4)第四步是在旋轉(zhuǎn)干燥器中進(jìn)行離心干燥，并用低沸點的有機溶劑進(jìn)一步置換干燥。 清洗方法概況表 33 硅片濕法清洗化學(xué)品表 33 硅片濕法清洗化學(xué)品 清洗方法概況 RCA清洗 工業(yè)中標(biāo)準(zhǔn)的濕法清洗工藝稱為 RCA清洗工藝，是由美國無線電公司（ RCA）的 W． Kern和 D． Puotinen于 1970年提出的，主要由過氧化氫和堿組成的 1號標(biāo)準(zhǔn)清洗液（ SC?1）以及由過氧化氫和酸組成的 2號標(biāo)準(zhǔn)清洗液（ SC?2）進(jìn)行一系列有序的清洗?！∥廴疚镫s質(zhì)的分類 金屬污染物 IC制造過程中采用金屬互連材料將各個獨立的器件連接起來，首先采用光刻、刻蝕的方法在絕緣層上制作接觸窗口，再利用蒸發(fā)、濺射或化學(xué)氣相沉積（ CVD）形成金屬互連膜，如 Al?Si， Cu等，通過蝕刻產(chǎn)生互連線，然后對沉積介質(zhì)層進(jìn)行化學(xué)機械拋光（CMP）。半導(dǎo)體制造工藝第 3章 清 洗 工 藝第 3章 清 洗 工 藝 引言 污染物雜質(zhì)的分類 清洗方法概況 常用清洗設(shè)備 —— 超聲波清洗設(shè)備 質(zhì)量控制 引言表 31 國際半導(dǎo)體技術(shù)指南 —— 清洗技術(shù) 引言表 31 國際半導(dǎo)體技術(shù)指南 —— 清洗技術(shù) 污染物雜質(zhì)的分類表 32 各種沾污的來源和相對的影響 污染物雜質(zhì)的分類 顆?！ ☆w粒主要是一些聚合物、光刻膠和蝕刻雜質(zhì)等。這個過程對 IC制程也是一個潛在的沾污過程，在形成金屬互連的同時，產(chǎn)生的各種金屬沾污會影響器件
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