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畢業(yè)論文基于ads的低噪聲放大器設(shè)計-免費閱讀

2024-12-18 18:43 上一頁面

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【正文】 致謝語 24 致謝語 在本篇論文的完稿之際,心情就莫名的激動,油然而生的是滿滿的感激之情。 增益值 21S 為 ,雖然基本符合預(yù)期的性能指標(biāo)要求 , 但是增益值還是不夠高,以后在設(shè)計上還有待改進這方面的性能。圖中的兩條曲線分別是一次互調(diào) 量 mix(vout,{1,0})和三階互調(diào)量 mix(vout,{2,1})。這時可以看到 1dB的壓縮點與方法一的結(jié)果是一樣的。而 1dB 壓縮點是衡量線性度的標(biāo)準(zhǔn)之一,使用 ADS 可以得出所設(shè)計的電路 1dB壓縮點的值,仿真結(jié)果如下。仿真結(jié)果如下圖 312所示。在接收機的前端,就是低噪聲放大器所處的位置,而低噪聲放大器的噪聲系數(shù)的要求是足夠小。當(dāng)然,放大器的輸出端也是要滿足比較好的匹配,這樣才不會影響到放大器的一些性能如增益和噪聲系數(shù)第 3 章 低噪聲放大器的基本原理以及性能參數(shù) 16 等。 圖 33 TSMC um CMOS RF 工藝 圖 34 元件庫 DC 直流仿真 現(xiàn)在,對所設(shè)計的電路圖進行直流仿真 DC,如下圖 35所示加入了 DC仿真控件進行仿真,點擊進行相應(yīng)的仿真操作即按 Simulate,這時我們 選擇菜單 SimulateAnnotate DC 各個節(jié)點的電壓 與 電流 都 將會標(biāo)注在 我們所設(shè)計的 原理圖上 。不僅如此,采用差分結(jié)構(gòu)能夠是改善電路的線性度,整體的提升 輸出信號的動態(tài)范圍。電路中,針對無線系統(tǒng)是高頻窄帶的情況,電感可以作為放大器的輸出負(fù)載,放大器是可以通過電容調(diào)諧來提高最后的輸出增益。所以,低噪聲放大器的輸入阻抗也要求必須要和此濾波器所要求的負(fù)載阻抗達到相應(yīng)的匹配。 2) 偏置電平所帶來的影響會被克服,這時放大器的性能會比較穩(wěn)定。這里也可以這么說,共源共柵結(jié)構(gòu)下的輸出到輸入的反饋影響是比較小的,輸入端和輸出端可以實現(xiàn)很好的隔離度,也就是意味著第一級的MOSFET 柵漏間中的寄生電容產(chǎn)生的影響降到最低。因此,我們很自然的將采用兩級結(jié)構(gòu)來設(shè)計低噪聲放大器,也就是在上面已經(jīng)提到過的電感源極負(fù)反饋的基礎(chǔ)上后,再在后面加上第二級的目的是抑制第一級所產(chǎn)生的柵漏寄生電容 gdC 并且可以提高電路的增益。以下是我們將采用的是共源共柵結(jié)構(gòu)來對低噪聲放大器進行設(shè)計分析,進一步改進我們的設(shè)計。 返回剛才討論的公式( 22),如果 sg LL? 與 gsC 諧振在工作頻率 0W 下,即gsgs CLLW )(10 ?? ,則可以得到 sTsCgin LwLZ gsm ?? (23) 這時,只要讓 sTs LwR ? 等式成立,就可以得到輸入阻抗匹配。 表 11 國內(nèi)外相關(guān)文獻 CMOS 低噪聲放大器性能指標(biāo) 第 1 章 低噪聲放大器的基本原理以及性能參數(shù) 6 參考文 獻 工作頻率( GHz) 電源電壓(V) 功耗( mW) 低噪聲系數(shù) NF( dB) 輸入匹配 輸出匹配 增益( dB) 1dB 壓縮點(dBm) 三階交調(diào)截點( dBm) [5] 32 26 20 [6] 29 32 [7] [8] 3 19 20 20 19 8 第 2 章 低噪聲放大器的基本原理以及性能參數(shù) 7 第 2 章 低噪聲放大器的方案設(shè)計 電感源極負(fù)反饋結(jié)構(gòu)的采用以及相應(yīng)的參數(shù)介紹 在 中有討論的 低噪聲放大器的四種匹配方式中,前三種匹配的結(jié)構(gòu)效果是都可以滿足良好的功率匹配的,但是這幾種結(jié)構(gòu)會在信號傳輸?shù)穆窂街袝兄墚a(chǎn)生噪聲的電阻的存在,從而使電路的噪聲系數(shù)變差,產(chǎn)生較高的噪聲 ]10[ 。 在第二章會對這種結(jié)構(gòu)進行詳細的介紹。 ( a) 并聯(lián)電阻式 ( b)共柵式 ( c)串并聯(lián)反饋式 ( d)電感源極負(fù)反饋式 圖 13 低噪聲放大器的 4種匹配方式 這里只對圖( a)圖( b)圖( c)做簡單的結(jié)論分析,圖( a) 里, MOS 管采用的是共源的結(jié)構(gòu),這樣輸入阻抗會很大,想要獲得匹配的話只需并聯(lián)所需要的電阻。有兩種方式與信號源匹配:一種是共軛匹配,目的是滿足最后得到最大的功率與最小的反射損耗。所以一般在接收前端,肯定是要做低噪聲設(shè)計。這里有三種電路設(shè)計控制增益的方法 :改變 LNA 的負(fù)反饋值 、工作點電流、諧振回路中的 Q值等等,以上所述的共同點均是經(jīng)過改變載波電平檢測電路來實現(xiàn)自動增益控制電壓。圖( 12)表示的是常規(guī)放大器的系統(tǒng)框圖,從這個框圖可以得出,經(jīng)過輸入匹配網(wǎng)絡(luò)還有射頻源阻抗匹配的是放大器的輸入阻抗,經(jīng)過輸出匹配網(wǎng)絡(luò)和負(fù)載相匹配的是輸出阻抗。這里需要注意的是,全部的所 有提及的指標(biāo)很多都是相互制約,相互影響的。 現(xiàn)在,無線通信技術(shù)正在高速的發(fā)展,我們對各個領(lǐng)域的無線通信應(yīng)用要求也 越來越高,我們希望的是功率輻射越小,覆蓋范圍越大、作用距離能夠更遠等等的需求已經(jīng)成為各無線通訊設(shè)備制造商或者各大運營商的青睞。 本篇論文將先介紹 CMOS 低噪聲放大器的原理以及相對應(yīng)的性能指標(biāo),然后分析低噪聲放大器所采用的基本電路結(jié)構(gòu),并對相應(yīng)的結(jié)構(gòu)進行對比,之后用 ADS軟件進行電路圖的仿真,再對仿真結(jié)果進行分析及優(yōu)化調(diào)諧。伴隨著技術(shù)水平的提高,一些特性如噪聲特性和頻率特性也逐步得到了很大的改善和提高。本文是基于 TSMC CMOS 工藝并 運用電感源極負(fù)反饋與共源共柵結(jié)構(gòu)的結(jié)合作為設(shè)計低噪聲放大器的基本框架,并采用 ADS 軟件對電路圖進行仿真,對初步仿真結(jié)果進行進一步分析 ,處理的難點在于這些參數(shù)是密不可分的,因此要對它們進行折衷的考慮分 析、優(yōu)化調(diào)諧操作等等。仿真結(jié)果 為 :在 處,輸入輸出回波放射系數(shù) 11S 與 22S 都小于 30dB, 增益值 21S 為 ,功耗為 38mA,噪聲系數(shù)為 ,1dB 壓縮點為 dBm,三階互調(diào)點為 。也正是因為這些 CMOS 的優(yōu)勢,用它來實現(xiàn)射頻通信 SOC 是非常有吸引力的。 第 1 章 低噪聲放大器的基本原理以及性能參數(shù) 2 第 1 章 低噪聲放大器的基本原理以及性能參數(shù) 基本概念 放大器按總的分類,可以分為低噪聲放大器、中功率放大器、高增益放大器、大功率放大器。因此,這樣就對我們的系統(tǒng)接收靈敏度提出了更加高的要求,下面給出的是系統(tǒng)接收靈敏度的公式 (11): S=174+NF+10lg(BW)+S/N (11) 公式中,其中 NF 表示的是噪聲系數(shù), BW 表示的是系統(tǒng)帶寬, S/N 表示的是輸入信號噪聲比。對于集成電路來講,性能指標(biāo)不僅僅是取決于本身的電路結(jié)構(gòu),還取決于所采用的工藝技術(shù),還有重要的注意事項是在設(shè)計中如何的采用折衷理念及原則,以下將詳細的分析這些性能的指標(biāo)參數(shù)。如下所表示二端口網(wǎng)絡(luò)的輸入、輸出放射系數(shù) in? 和 out? : LLin SSSS ?? ???? 22211211 1 ( 12) SSout SSSS ?? ????11211222 1 ( 13) 其中: 00ZZ ZZsss ???? ( 14) 00ZZ ZZLLL ???? ( 15) 其中, 0Z 表示的是特征阻抗, S? 表示的是電源的反射系數(shù), L? 表示的是負(fù)載的反射系數(shù)。 第 1 章 低噪聲放大器的基本原理以及性能參數(shù) 4 圖 12 常規(guī)放大器系統(tǒng)框圖 工作頻率 MOS 管的特征頻率 Tf 能夠影響到放大器允許的工作頻率,要想使管子的特征頻率降低就需要減小偏置電流。而由一些列的公式推導(dǎo) ]3[ ,可以得出,想要得到最小的噪聲系數(shù),源阻抗是一定要滿足的特定條件,換種說法也可以說成輸入的阻抗一定要進行特定的匹配;另外,通常為了實現(xiàn)最大的功率傳輸,輸入輸出阻抗都要有 50?的阻抗匹配的。第二種是噪聲 匹配,目的是可以得到最小的噪聲系數(shù)。而因為電阻的熱噪 聲缺陷,增加了 LNA 的噪聲,同時會在 signal 到達 MOS 管前就會衰減很多。 線性度 這里主要由 1dB 壓縮點和三階交調(diào)截點 3IIP 可以用來衡量線性度。那么這個時候就要考慮,如果能夠在信號的傳輸路徑上避免這種帶噪聲電阻,這樣就能使電路的噪聲大幅度的 降低,這時我們采用的方法是在管的源極和柵極分別接有電感,以實現(xiàn)匹配。在這樣的匹配結(jié)構(gòu)下電感 sL 提供匹配電阻,使輸入阻抗等于源電阻,電感 gL 可以讓輸入回路在工作頻率上發(fā)生諧振 ]12[ 。 在我們現(xiàn)實的設(shè)計過程當(dāng)中, Casode 共源共柵結(jié)構(gòu)是被采用最多的結(jié)構(gòu)。如上圖( 22)所示,其中的第二級的 MOSFET 即就是所謂的共柵結(jié)構(gòu)。 總之,共源共柵 結(jié)構(gòu)( Cascode)的優(yōu)點如電路簡單,不僅在提供增益的時候,而且還能夠抑制第一級的柵漏寄生電容產(chǎn)生的影響,讓輸入輸出端能夠很好的進行隔離,因此輸入和輸出的阻抗可以比較容易的與信號和負(fù)載的阻抗?jié)M足阻抗匹配。 3) 因為采用差動的輸出,輸出信號的電壓擺幅會明顯的增大一倍 。 低噪聲放大器( LNA)的設(shè)計是要在多個性能指標(biāo)中進行折衷優(yōu)化的,而不僅僅只是針對某個特定指標(biāo),這些多個指標(biāo)中就包括噪聲系數(shù) 、增益、輸入輸出匹配、功耗以及線性度等。下圖 31 所示是低噪聲放大器的設(shè)計電路圖。 仿真結(jié)果電路圖 運用 ADS2020 仿真后,電路的原理圖如下圖 32 所示。之后我們可以 選擇菜單 SimulateClear DC Ann
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