醫(yī)用x射線診斷設(shè)備質(zhì)量控制培訓(xùn)教材-免費(fèi)閱讀
【正文】 %內(nèi)一致，狀態(tài)檢測(cè)時(shí)最大偏差在 177。 AEC靈敏度 選擇一個(gè)特定器官曝光程序（如胸部）， 設(shè) 置電壓為70kV,用 1mm銅濾過(guò)板放置在遮線器出線口，照射野應(yīng)覆蓋影像探測(cè)器， 在 AEC下曝光， 記錄 mA、 s、 mAs（按 AEC方式不同而定），或者記錄 DDI值。從監(jiān)視器上觀察可分辨出的線對(duì)組數(shù)目。 如果發(fā)現(xiàn)偽影，檢查偽影隨影像移動(dòng)或擺動(dòng)情況，若偽影隨影像移動(dòng)或擺動(dòng)表示來(lái)自探測(cè)器，不移動(dòng)仍停留在原位置表示來(lái)自監(jiān)視器。 打開(kāi)遮線器取走鉛板，在探測(cè)器表面中央部位放置一塊 面積 4cm 4cm， 4mm厚的鉛板。 評(píng)價(jià)： CV≤% 5 2=111 ( ) 1 0 0 %( 5 1 ) iiC V V VV? ? ?? ?V測(cè)距誤差 選用二個(gè)固定長(zhǎng)度的薄 金屬板（如 10cm長(zhǎng)， 2cm寬 , 厚1mm的銅板） ，相互交叉垂直放置在探測(cè)器表面中央，調(diào)節(jié) SID為最大值，設(shè)置 50kV， 10mAs曝光，獲取一幅軟拷貝影像。 調(diào)整照射野完全覆蓋探測(cè)器，用 線器出線口，設(shè)置 70kV，分別選取探測(cè)器入射空氣比釋動(dòng)能 1μ Gy、 5μ Gy、 10μ Gy 、 20μ Gy和 30μ Gy進(jìn)行曝光獲取每一幅影像。 探測(cè)器劑量指示（ DDI） 根據(jù)生產(chǎn)廠提供 DDI公式進(jìn)行驗(yàn)證，記錄的 DDI平均值應(yīng)與公式提供在 10μ Gy入射空氣比釋動(dòng)能計(jì)算出 DDI值177。 評(píng)價(jià)：適當(dāng)調(diào)整窗寬和窗位，目視檢查影像均勻，不應(yīng)看到偽影。 2ms或 177。數(shù)字 X射線攝影（ DR）通用性能指標(biāo)部分、介入放射學(xué)設(shè)備、移動(dòng)式 X射線攝影設(shè)備和便攜式 X射線設(shè)備可參照使用。 缺點(diǎn)： 高劑量時(shí) DQE不如非晶硒型； 因有熒光轉(zhuǎn)換層故存在輕微散射效應(yīng)； 銳利度相對(duì)略低于非晶硒型。 ? 成像原理： X線粒子射入加有高電壓的非晶硒感光層，其中原本定向移動(dòng)的電荷發(fā)生電導(dǎo)率的改變，伴隨著空穴電子對(duì)分布不均勻的形成，感光層內(nèi)就有了不均勻聚集的電荷通過(guò)薄膜晶體管陣列轉(zhuǎn)換為可測(cè)的電信號(hào)，再進(jìn)行 A/D轉(zhuǎn)換，成為可直接由計(jì)算機(jī)進(jìn)行處理的數(shù)字信號(hào) 非晶硒探測(cè)器 參數(shù) ? 探測(cè)器有效探測(cè)面積： 35X43cm ? 采集矩陣： 2560x3072 ? 像素大?。?139 139μm ? 采集像素 A/D轉(zhuǎn)換位數(shù)： 14bit ? 空間分辨率： 非晶硒探測(cè)器特性： 優(yōu)點(diǎn)： ? 直接光電轉(zhuǎn)換 ? 直接讀出 ? 量子檢測(cè)率（ DQE）較高 ? 曝光寬容度大 ? 后處理功能強(qiáng)大 缺點(diǎn)： FPD對(duì)環(huán)境溫度，濕度要求較高，需要較高的偏直電壓，刷新速度慢，仍不能滿足動(dòng)態(tài)攝影 ，所以不常用。 ? （二）放射科常規(guī) X線、 CT、 MR、 DSA統(tǒng)一管理，放射科主任負(fù)責(zé)影像質(zhì)量保證方案的全面實(shí)施，組織定期和不定期的核查。醫(yī)用 X射線診斷設(shè)備質(zhì)量控制 ——數(shù)字化 X射線攝影（ DR）系統(tǒng) 20230613 一、相關(guān)法規(guī) 二、成像原理 三、質(zhì)量控制 一、相關(guān)法規(guī) 《 放射診療管理規(guī)定 》 第五條 醫(yī)療機(jī)構(gòu)應(yīng)當(dāng)采取有效措施，保證放射防護(hù)、安全與放射診療質(zhì)量符合有關(guān)規(guī)定、標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范的要求。影像質(zhì)量保證工作小組成員中，影像設(shè)備維修人員或相關(guān)專業(yè)工程技術(shù)人員負(fù)責(zé)影像設(shè)備正常運(yùn)行，保證影像設(shè)備運(yùn)行穩(wěn)定，參數(shù)準(zhǔn)確，發(fā)生設(shè)備故障及時(shí)檢修。 二、 非晶硅探測(cè)器結(jié)構(gòu)及其成像原理 ： (間接成像 ) ? 分 碘化銫（ CsI） +非晶硅和硫氧化釓 GOS+非晶硅 ? 結(jié)構(gòu)由碘化銫閃爍體層、非晶硅光電二極管陣列、行驅(qū)動(dòng)電路以及圖像信號(hào)讀取電路四部分。 CCD探測(cè)器結(jié)構(gòu)及其成像原理 : (間接成像 ) ? CCD（ Charge Coupled Device）電荷耦合器是一種將光能轉(zhuǎn)換為電能的元件，隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，CCD已是一項(xiàng)成熟的技術(shù)，它是由數(shù)量眾多的光敏單元排列組成面陣，光敏單元可小至 50μm2以下，空間分辨率很高，幾何失真小，均勻性和一致性好。 ? 不適用生產(chǎn)過(guò)程的質(zhì)量控制檢測(cè)。 15% X射線攝影設(shè)備的幾何學(xué)特性 ? 包括： ? （ SID指示的偏離） ? ? （ DR檢測(cè)不做要求） 幾何學(xué)特性檢測(cè)工具 有用線束垂直度偏離（ SID指示的偏離） ? SID：焦點(diǎn)到影像接收器之間的距離 ? 把 SID檢測(cè)筒置于診視床上，使得光野中心、 SID檢測(cè)筒中心以及暗盒中心于一垂直線上鎖住全部地位鎖，暗盒托盤全部推進(jìn)去，光野四邊每邊距 SID檢測(cè)筒4cm。所獲得像素值或 DDI值在生產(chǎn)廠規(guī)定值范圍內(nèi)。 20%內(nèi)一致。 在 每一幅原始影像中央選取 ROI為
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