材料物理性能學(xué)之材料的電性能-免費(fèi)閱讀
【正文】 電位差計(jì)法 ? 比較雙臂電橋和電位差計(jì)法，當(dāng)樣品電阻隨溫度發(fā)生變化時(shí)，用電位差計(jì)法比雙電橋法精度高，這是因?yàn)殡p電橋法在高溫和低溫電阻時(shí)，較長的陰線和接觸電阻很難消除。 ? 合金或金屬多數(shù)屬于低溫超導(dǎo)范疇。超導(dǎo)態(tài)體系的總能量要低于正常態(tài)體系的總能量。 ‘ 管 ’這個(gè)概念是從電子管借過來用的，現(xiàn)在的半導(dǎo)體元件管狀的不多見，尤其集成電路中。 ? 1/ Ag和 Cu的鹵族和硫族化合物，這些物質(zhì)里金屬原子鍵合位置相對隨意； 2/ 具有 β 氧化鋁結(jié)構(gòu)的高遷移率的單價(jià)陽離子氧化物； 3/ 具有 CaF結(jié)構(gòu)的高濃度缺陷氧化物如： CaO ? 晶格結(jié)構(gòu)的影響是提供有利還是不利的離子移動(dòng)“ 通路 ” 。從另外一個(gè)角度看，可以認(rèn)為離子導(dǎo)電是離子在電場作用下的擴(kuò)散現(xiàn)象。 （高溫下顯著） ? 與晶格聯(lián)系較弱的雜質(zhì)離子導(dǎo)電。 xuA BdxuABd當(dāng)電流的頻率在 1kHz以下時(shí)，趨膚效應(yīng)不明顯， 而達(dá)到 100kHz時(shí)，電流明顯地集中于表面附近。 ? 分析固溶體電阻率時(shí)的核心：是有序的晶格點(diǎn)陣還是無序的點(diǎn)陣對電子的散射。 冷加工和缺陷對于電阻率的影響 ? 冷加工一般使得金屬的電阻率增加，原因是冷加工后的金屬晶體內(nèi)缺陷和晶格畸變將會大大增加。（磁性雜質(zhì)的貢獻(xiàn)） REVIEWS OF MODERN PHYSICS, VOLUME 75, 2023 線性區(qū)： ρep正比于 T (T2/3ΘD) 低溫區(qū)： ρep正比于 T5(TΘD) ρee正比于 T2(T→0 K) 電阻率與溫度的關(guān)系： 一般情況下， ρT=ρ0(1+αT) 高溫飽和區(qū)：電子的平均自由程達(dá)到飽和 線性區(qū)： ρep正比于 T (T2/3ΘD) 低溫區(qū)： ρep正比于 T5(TΘD) ρee正比于 T2(T→0 K) ? 鐵磁性金屬在發(fā)生鐵磁性轉(zhuǎn)變時(shí)，電阻率將會出現(xiàn)反常。 ? 電導(dǎo)率由歐姆定律給出： J=σE， V=I R ? 材料的電阻： R=ρL/S ? 工程中也用相對電導(dǎo)率 IACS%來表征導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性能。 ? 將國際標(biāo)準(zhǔn)軟純銅（ 20186。 ? RT的線性關(guān)系在居里點(diǎn)以上適用，而在居里點(diǎn)以下不適用。導(dǎo)致材料降低到 0 K時(shí)會存在有剩余電阻。有序時(shí)散射弱，電阻率降低；無序則散射強(qiáng)，電阻率增加。 ?頻率越高，趨膚效應(yīng)越顯著。 （低溫下顯著） 離子電導(dǎo)理論 ? 離子導(dǎo)電性可以認(rèn)為是離子類載流子在電場的作用下發(fā)生的長距離的遷移。由 NernstEinstein方程描述。離子在晶格間隙大的體系中容易移動(dòng)。ZrO2等。 晶體管 晶體管的發(fā)明 ? 肖克萊、巴丁、布拉頓（美國）貝爾實(shí)驗(yàn)室， 1948年 6月正式申請專利。 ? 考慮一塊純凈的金屬單晶體，在 0K下，它的電阻為零嗎？它是超導(dǎo)體嗎？（在現(xiàn)有理論下） 目前人們已經(jīng)能夠制備出超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度 Tc100K的超導(dǎo)材料若干種 超導(dǎo)體完全抗磁性實(shí)驗(yàn)，磁體在超導(dǎo)相變后懸浮 nat
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