第422場(chǎng)效應(yīng)管及基本放大電路-免費(fèi)閱讀
【正文】 [例 ]目的：計(jì)算含增強(qiáng)型負(fù)載電路的工作點(diǎn)。 解：假設(shè)場(chǎng)效應(yīng)管工作于放大區(qū)，則有 ?????????? kRRRIRR RV SDGS 222122)( VVKI TNGSnD ?? VGS 2即 =( 2) VGS VGS解得 = =VTN（舍去） ????? kRR 2 0 )5(521＋ 又 所以 ?? kR 0 41取 R1=100kΩ， R2=100kΩ。場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)為 VTN=1V，Kn=。則 G極電位： VG=VGS=R2/（ R1+R2） VDD =VDDIDRD 可解出 Q點(diǎn)的 UGS 、 ID 、 UDS 電壓關(guān)系（放大區(qū) ?） ID=Kn（ VGSVTN） 2 Kn為 N溝道元件的電導(dǎo)參數(shù) (已知 )； VT— 開(kāi)啟電壓。 本章講述場(chǎng)效應(yīng)管的類(lèi)型、工作原理、特性及其三組態(tài)電路等基本知識(shí) 。 ? ?2TNGSnD VVKI ?? VTN— 開(kāi)啟電壓。 ， 解： VRR RV DDGS212?? 302020?= 5=2VVTN=1V 假設(shè)場(chǎng)效應(yīng)管處于放大狀態(tài)，則： 2)( VVKI TNGSnD ?? 2= (21) = RIVV DDDDDS ?? = 20=3V 因?yàn)? ???? VVVVTNGSs a tDSDS )(21=1V 所以假設(shè)成立，即場(chǎng)效應(yīng)管確實(shí)處于放大狀態(tài)，上述分析是正確的。設(shè) MOSFET的參數(shù)為 VTN=2V，Kn=。 驗(yàn)證是否工作在放大區(qū)： 將 N溝道增強(qiáng)型 MOSFET像圖 樣連接的電路應(yīng)用較為廣泛。 解：由于場(chǎng)效應(yīng)管工作于放大區(qū)，所以 2)( VVKI TNGSnD ?? RIVV SDDDGSDS V ??? 由上兩式可得 2)( VVRKV TNGSSnDDGS V ???2)
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