【正文】 成本風(fēng)險(xiǎn)成本的風(fēng)險(xiǎn)在于過(guò)程中的物質(zhì)不能完全回收或者說(shuō)充分利用，多種磷酸生產(chǎn)方法包括了濕法，熱法和結(jié)晶法。該項(xiàng)目的建設(shè)，得到社會(huì)各界的高度關(guān)注，省財(cái)政廳、省科技廳將該項(xiàng)目列入省重大科技項(xiàng)目，省財(cái)政就該項(xiàng)目的研究和開(kāi)發(fā)撥付專(zhuān)項(xiàng)扶持資金 500 萬(wàn)元。 其它信息湖北興發(fā)集團(tuán)日前與外資企業(yè)華星控股有限公司達(dá)成協(xié)議，將共同出資在點(diǎn)軍區(qū)建立電子級(jí)磷酸及相關(guān)化工產(chǎn)品生產(chǎn)基地。國(guó)外由于黃磷價(jià)格上升，轉(zhuǎn)而采購(gòu)磷酸作為原料進(jìn)行再加工，澄星的產(chǎn)品正好作為國(guó)際廠(chǎng)商的中間原料。澄星股份經(jīng)過(guò)資產(chǎn)、業(yè)務(wù)整合，確立了精細(xì)磷化工產(chǎn)品的主營(yíng)方向，已經(jīng)通過(guò) ISO900ISO14001 體系認(rèn)證，是國(guó)內(nèi)精細(xì)磷化工生產(chǎn)企業(yè)中綜合規(guī)模最大、品種最多的企業(yè)。從價(jià)格上看,增長(zhǎng)幅度還是很大的,除了原材料因素外也與產(chǎn)品質(zhì)量提高有直接關(guān)系。高純電子級(jí)磷酸核心技術(shù)的攻關(guān)成功為成洪磷公司的再次發(fā)展奠定了雄厚的技術(shù)基礎(chǔ)，引起國(guó)內(nèi)外業(yè)界的廣泛關(guān)注，多家外商表達(dá)了投資合作意向，經(jīng)過(guò)幾個(gè)月談判考察，公司與新加坡奧托斯集團(tuán)、蘇州電子材料公司、成都世森科技投資公司達(dá)成投資合作協(xié)議，組建了中外合資眉山勝科電子化學(xué)有限公司，電子化學(xué)品基地建在洪雅縣將軍工業(yè)集中區(qū)。 英國(guó) GOWER 化學(xué)有限公司GOWER化學(xué)有限公司的產(chǎn)品涉及括高純化學(xué)品，其中電子級(jí)產(chǎn)品包含氫氟酸、硫酸、85%的磷酸。1991 年，Kanto 與臺(tái)灣的 合資成立了 MerckKanto ,即默克關(guān)東。其中是否會(huì)涉及和我們產(chǎn)品相關(guān)的電子級(jí)化學(xué)品。該公司第一期年產(chǎn)量 6300 噸；為了供應(yīng)華映 2022年在中科二期后里基地投資新建廠(chǎng)區(qū)的需求（預(yù)計(jì)其材料使用量將是目前的 2倍或更多），理盛精密已經(jīng)于 2022 上半年再投資約新臺(tái)幣 3 億元增建二廠(chǎng)，預(yù)計(jì) 2022 年七月份完工，產(chǎn)量將提高到 20220 噸。據(jù)臺(tái)灣工研院統(tǒng)計(jì)的 2022 年產(chǎn)能，日本化學(xué)工業(yè)公司的產(chǎn)能是 9100 噸。9．國(guó)外電子級(jí)磷酸生產(chǎn)商 日本磷化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社（Rinkagaku Kogyo）公司成立于 1926 年 11 月。2022年 韓 國(guó) 磷 酸 出 口 價(jià) 格 表1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12馬 來(lái) 西 亞中 國(guó)日 本新 加 坡31 / 412022 年美國(guó)出口磷酸 71727 噸，其中電子級(jí)磷酸 1766。從中國(guó)進(jìn)口磷酸 4177 噸，占進(jìn)口總量的 26%，平均價(jià)格為 美元/kg。這樣的話(huà)，2022 年全球的電子級(jí)磷酸年消耗量至少 萬(wàn)噸。 出口2022 年美國(guó)磷酸出口統(tǒng)計(jì)表 單位：噸國(guó)別 出口數(shù)量加拿大 65689墨西哥 3445哥斯達(dá)黎加 827愛(ài)爾蘭 211比利時(shí) 179新加坡 154馬來(lái)西亞 117日本 85中國(guó) 66臺(tái)灣 65以色列 63阿魯巴 58新西蘭 27韓國(guó) 26伯利茲 21澳大利亞 182022年 美 國(guó) 進(jìn) 口 磷 酸 結(jié) 構(gòu) 圖中 國(guó)12%加 拿 大3%以 色 列32%日 本8%韓 國(guó)44%其 它1%中 國(guó)加 拿 大以 色 列日 本韓 國(guó)其 它27 / 41意大利 15印度 15英國(guó) 8其它 638合計(jì) 717272022 年美國(guó)出口磷酸 71727 噸，其中電子級(jí)磷酸 1766 噸(底紋)。下圖是日本國(guó) 2022～2022 年主要出口國(guó)增長(zhǎng)情況,圖中可以看出，日本出口到臺(tái)灣的電子級(jí)磷酸在下降，說(shuō)明臺(tái)灣的 IC 行業(yè)在萎縮；而出口到美國(guó)、韓國(guó)、中國(guó)的磷酸在增加，特別是韓國(guó)，2022 年取代臺(tái)灣成了日本磷酸最大的消費(fèi)地區(qū)，說(shuō)明這些國(guó)家的 IC 和 TFT 行業(yè)在增長(zhǎng)。20 / 416． 2022 年臺(tái)灣進(jìn)出口數(shù)據(jù) 進(jìn)口主要進(jìn)口交易國(guó)和交易量 單位：噸國(guó)別 比利時(shí) 美國(guó) 中國(guó) 韓國(guó) 日本 馬來(lái)西亞 其它數(shù)量 22571 2022 年臺(tái)灣共進(jìn)口磷酸 40189 噸，其中中國(guó)大陸貢獻(xiàn)了 22571 噸，但從價(jià)格上判斷不是電子級(jí)磷酸，最多也就是澄星集團(tuán)所謂的“準(zhǔn)電子級(jí)” 磷酸。隨著國(guó)內(nèi) TFTLCD 和 IC 的發(fā)展，中國(guó)對(duì)電子級(jí)磷酸的需要越來(lái)越大，平均以 30%的年需求量遞增，按此計(jì)算，預(yù)計(jì) 2022 年，中國(guó)電子級(jí)磷酸需求量將達(dá)到 4500 噸左右，不包括進(jìn)口蝕刻液中所含磷酸。預(yù)計(jì) 2022 年大陸電子級(jí)磷酸年消耗量可以達(dá)到 5000 噸。IC的新生產(chǎn)線(xiàn)也都在投資建設(shè)中。圖：成洪磷電子級(jí)磷酸標(biāo)準(zhǔn)趨勢(shì)圖15 / 410100200300400500600AL Sb Bi B Ca Co Au Fe Li Mn Ag Sn Tippb TFT用 標(biāo) 準(zhǔn)IC用 標(biāo) 準(zhǔn)在 TFTLCD 制成中因線(xiàn)寬遠(yuǎn)較半導(dǎo)體制成大， （估計(jì)大 1μm）所以他們使用的磷酸標(biāo)準(zhǔn)存在著差異。據(jù)悉，國(guó)內(nèi)只有他一家取得了電子級(jí)磷酸生產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)上的突破，也就是說(shuō)只有成洪磷成功的生產(chǎn)出 grade 1 和 grade 2，兩個(gè)電子級(jí)磷酸的產(chǎn)品，其具體指標(biāo)如表所示：級(jí)別 顆粒/μm 含量/ 1 各種金屬雜質(zhì)含量 適用半導(dǎo)體 IC/μmMOS ≥5 27 ≤*10 4 ≥5BVI ≥2 3 ≤(1n)*10 8 ≥3BVII ≥2 2 ≤(1n)*10 8 2SEMIC1 ≥1 25 ≤*10 7 ≥C7,BVⅢ ≥ 25 ≤*10 8 C8, BVⅣ ≥ 5 ≤*10 9 C12, BVⅤ ≥ TBD ≤*10 10 13 / 41成洪磷電子級(jí)磷酸標(biāo)準(zhǔn)成洪磷電子級(jí)磷酸標(biāo)準(zhǔn) Items Unit用于液晶顯示器（TFTLCD）的鋁刻蝕劑 用于半導(dǎo)體（IC）芯片清洗和腐蝕H3P04 WT% Color ppm ≤10 ≤10NO3 ppm ≤5 ≤SO4 ppm ≤10 ≤5CL ppm ≤1 ≤AL ppb ≤100 ≤50K ppb ≤100 ≤50Sb ppb ≤500 ≤400As ppb ≤50 ≤10Bi ppb ≤20 ≤10Ba ppb ≤50 ≤20B ppb ≤50 ≤30Cd ppb ≤50 ≤10Ca ppb ≤400 ≤150Cr ppb ≤50 ≤30Co ppb ≤50 ≤30Cu ppb ≤20 ≤20Au ppb ≤50 ≤10Ga ppb ≤10 ≤10Fe ppb ≤400 ≤150Pb ppb ≤50 ≤30Li ppb ≤20 ≤10Mg ppb ≤50 ≤20Mn ppb ≤50 ≤20Ni ppb ≤50 ≤20Ag ppb ≤30 ≤10Na ppb ≤100 ≤50Sn ppb ≤30 ≤20Sr ppb ≤20 ≤10Ti ppb ≤100 ≤50Zn ppb ≤100 ≤50還原性物質(zhì)ppm ≤10 ≤10微粒（最多）Pcs/ml ≤100 ≤50如上表數(shù)據(jù)所示，成洪磷所用的 TFT 和 IC 用磷酸標(biāo)準(zhǔn)是不同的，但是為了更加準(zhǔn)確的判斷他們之間的不同以及差異程度，我們?cè)谶@里用統(tǒng)計(jì)的方法對(duì)其14 / 41進(jìn)行假設(shè)，希望得到一個(gè)相對(duì)合理的結(jié)論。事實(shí)上，用于這兩個(gè)行業(yè)的電子級(jí)磷酸還是有些不同的。此外，磷酸還可以根據(jù)品質(zhì)的不同分為：工業(yè)級(jí)、食品級(jí)、醫(yī)藥級(jí)和電子級(jí)。從而使鋁溶解于磷酸中，其反應(yīng)式如下：2Al+6H3PO4=2Al（H 2PO4） 3+3H2 生成的酸式磷酸鋁[Al（H 2PO4） 3]易溶于水。集成電路的技術(shù)發(fā)展迅速,目前主流加工技術(shù)是 8 英寸硅片， 微米線(xiàn)寬。一個(gè)很重要的方面就是要控制濕蝕刻的反應(yīng)速率。8 / 41 電子級(jí)磷酸在 TFTLCD 制作過(guò)程中的應(yīng)用1）TFTLCD 制程array 段，等同于半導(dǎo)體制程，均是利用sputter／CVD成膜技術(shù)，來(lái)形成導(dǎo)體層、介電層、擴(kuò)散障礙層、保護(hù)層等，再利用上光阻，曝光，顯影在光阻上形成所需的pattern，接著利用蝕刻的方法將未受光阻保護(hù)的區(qū)域去除，最后再將光阻去除。近年來(lái)，隨著中國(guó)綜合實(shí)力的增強(qiáng)，特別是上廣電和京東方相繼建成兩條TFTLCD的五代線(xiàn)，中國(guó)大陸有可能會(huì)逐步成為全球最大的LCD產(chǎn)業(yè)基地。TFT LCD 由于它的體積小、重量輕、無(wú)輻射等優(yōu)點(diǎn)，在很多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。中國(guó)在電子級(jí)試劑的發(fā)展方向上,～ 工藝技術(shù)的超凈電子級(jí)試劑的研究開(kāi)發(fā),～ 工藝技術(shù)加工所需超凈電子級(jí)試劑的前期研究。但是其制造成本較濕法磷酸要高將近一半，這主要是由于熱法磷酸工藝是先從磷礦石中制黃磷，再制磷酸。 濕法磷酸通過(guò)對(duì)含磷酸鹽礦石的酸化處理（處理酸通常為硫酸） ，制得濕法磷酸；經(jīng)過(guò)凈化達(dá)到電子級(jí)磷酸的標(biāo)準(zhǔn)。1．電子級(jí)磷酸概述 電子級(jí)磷酸定義電子級(jí)磷酸又可稱(chēng)為超高純磷酸，它是超凈高純?cè)噭┲械囊环N。磷酸（含量為８５％時(shí)），為無(wú)色透明糖漿狀液體，無(wú)水份的磷酸為無(wú)色不穩(wěn)定的斜方晶體，易吸潮，能與水及乙醇任意混合。其中五氧化二磷是在電爐中使用焦碳對(duì)磷礦石的還原法，還原出磷，然后再經(jīng)過(guò)燃燒生成；電子級(jí)的五氧化二磷可由升華來(lái)提純，制得超純 P2O5，然后用超純水配制。 到2022 年, 特征6 / 41 。TFTLCD根據(jù)薄膜晶體管材料的不同，又分為非晶硅 TFT（aSi TFT） 、多晶硅（pSi TFT）和單晶硅MOSFET （cSi MOSFET） ，后者形成的LCD被用于LCOS（Liquid Crystal on Silcon）技術(shù)。從整個(gè)LCD業(yè)者的競(jìng)爭(zhēng)業(yè)態(tài)而言，韓國(guó)三星仍然處于目前在全球LCD市場(chǎng)中的領(lǐng)導(dǎo)地位。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展和有源矩陣概念的提出，TFTLCD 技術(shù)開(kāi)始逐步形成，并于 90 年代初期在日本開(kāi)始產(chǎn)業(yè)化。濕蝕刻的優(yōu)點(diǎn)是制程單純，產(chǎn)能速度（Throughput）快，并且具有優(yōu)秀的蝕刻選擇比。適當(dāng)?shù)臄嚢瑁纾簢姙⑺圃斓臍馀?，擺動(dòng)及超音波震蕩等，亦可適度的減輕底切現(xiàn)象的發(fā)生。 氮化硅層（Si 3N4）蝕刻一般多使用85%的磷酸(H 3PO4)在160~170 ℃之間做氮化硅層的蝕刻，化學(xué)反應(yīng)式如下：Si3N4 + 4H3PO4 + 10H2O ? Si3O2(OH)8 + 4NH4H2PO4 鋁導(dǎo)線(xiàn)蝕刻鋁常在半導(dǎo)體制程中作為導(dǎo)電層材料，濕式鋁層蝕刻可使用多種無(wú)機(jī)酸堿來(lái)進(jìn)行，而以硝酸、磷酸及醋酸之混合溶液其蝕刻速率最為穩(wěn)定，目前被廣泛運(yùn)用在半導(dǎo)體制程中。 IC 行業(yè)使用的磷酸標(biāo)準(zhǔn)IC 與所用試劑的標(biāo)準(zhǔn)關(guān)系見(jiàn)下表磷酸級(jí)別 顆粒 /μm 含量/ 1 各種金屬雜質(zhì)含量 適用半導(dǎo)體IC/μmMOS ≥5 27 ≤*104 ≥5BVI ≥2 3 ≤(1n)*108 ≥3BVII ≥2 2 ≤(1n)*108 2SEMIC1 ≥1 25 ≤*107 ≥C7,BVⅢ ≥ 25 ≤*108 C8, BVⅣ ≥ 5 ≤*109 C12, BVⅤ ≥ TBD ≤*1010 SEMI(國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會(huì))的磷酸標(biāo)準(zhǔn)指標(biāo) 單位 SEMI79.—81. 79.—81. 79.—(H3PO4) %85.—87. 85.—87. 85.—87.　 　 Grade1 Grade2 Grade3Color, maximum APHA 　 　 　Chloride(Cl) Ppm 1 1 1Nitrate(NO3) Ppm 5 5 5Sulfate(SO4) Ppm 12 12Aluminum(Al) Ppb 500 300 50Antimony(Sb) Ppb 10000 3500 1000Arsenic(As) Ppb 50 50 5011 / 41Barium(Ba) Ppb 50Cadmium(Cd) Ppb 450 50Calcium(Ca) Ppb 1500 1100 150Chromium(Cr) Ppb 200 200 50Cobalt(Co) Ppb 50 50 50Copper(Cu) Ppb 50 50 50Gold(Au) Ppb 300 150 50Iron(Fe) Ppb 2022 700 100Lead(Pb) Ppb 300 300 50Lithium(Li) Ppb 100 100 10Magnesium(Mg) Ppb 200 200 50Manganese(Mn) Ppb 100 100 50Nickel(Ni) Ppb 200 200 50Potassium(K) Ppb 1500 450 150Silver(Ag) Ppb 　 　 　Sodium(Na) Ppb 2500 500 250Strontium(Sr) Ppb 100 100 10Zinc(Zn) Ppb 2022 400 50Titanium (Ti) Ppb 300 300 50一般來(lái)說(shuō) Grade2 磷酸滿(mǎn)足于 TFTLCD 用，Grade3 磷酸滿(mǎn)足于 IC 行業(yè)使用。隨著液晶電視需求的不斷發(fā)展和越來(lái)越多的半導(dǎo)體芯片制造企業(yè)向中國(guó)的轉(zhuǎn)移，用于超薄高清晰度液晶電視及芯片制造工藝中的電子級(jí)磷酸的需求也將大幅度增長(zhǎng)。300mm 硅片表面清洗的要求指標(biāo) 單位 1997 年180nm1999 年130nm2022 年100nm2022 年Ca