電子科學(xué)與技術(shù)優(yōu)秀畢業(yè)論文-免費(fèi)閱讀
【正文】 13 6 參考文獻(xiàn) [1]吳百詩主編 . 大學(xué)物理學(xué) [M]. 北京：高等教育出版社， 1995 [2]江山，王志主編 . 大學(xué)物理學(xué) [M]. 北京：高等教育出版社， 1994 [3]史包爾斯基著 . 原子物理學(xué) [M]. 第一、二卷 [4]蘭斯別爾格著 . 光學(xué) [M].（ 下冊(cè) ） . [5]齊丕智等編著 .光敏器件及其應(yīng)用 [M].北京 ： 科學(xué)出版社， 1987 [6]葉瑰昀主編 .自動(dòng)控制元件 [M].哈爾濱 ： 哈爾濱工程大學(xué)出版社 ,2020 [7]何希才主編 .傳感器及其應(yīng)用 [M]北京： 國(guó)防工業(yè)出版社， 2020 [8]許國(guó)材著 .大學(xué)物理 [M]． 北京： 高等教育出版社， 1993 [9]郝東山 ，黃燕霞 . 多光子 非線性 Compton散射的能量轉(zhuǎn)換 [J]. 光子學(xué)報(bào)， 2020， 32（ 4）： 441443 [10]郝東山 . 錐形超強(qiáng)激光場(chǎng)中光子康普頓散射的能量轉(zhuǎn)換 [J]. 光電子 ? 激光， 2020， 14（ 2）： 194196 [11]郝東山，黃曉東 . 錐形激光等離子體中 Compton 散射對(duì)電 子的加速 [J]. 核聚 變與等離子體物理， 2020， 25（ 1）： 5558 [12]郝東山 . 未被俘獲電子對(duì)多光子非線性 Compton 散射能量轉(zhuǎn)換效率的影響 [J]. 強(qiáng)激光與粒子束， 2020， 15（ 9）： 855858 [13]郝東山，文樺 . 波分復(fù)用各向異性光子晶體濾波器 [J]. 量子電子學(xué)報(bào)， 2020， 21（ 5）： 868872 [14]郝東山，郝曉飛 . 激光等離子體中多光子非線性 Compton 散射的光子加速 [J]. 量子光學(xué)學(xué)報(bào)， 2020， 9（ 3）： 105108 [15] Hao Dongshan， L220。由于 c c cdJ nev?? ，因此可將 cJ 表示為 0 0 0 0 0 0 0 0()c c c cJ n e E n e E n e E n e E n e E? ? ? ? ? ? ? ?? ? ? ? ? （ 13） 其中 00 n n??? 為耦合光作用下的電子濃度， 0n 和 0n? 為散射前的電子濃度及其增量； e 為電子的電量； 00c? ? ???? 為單位耦合場(chǎng)強(qiáng)作用下電子的平均漂移速度，0? 和 0?? 為散射前的電子平均漂移速度及其增量。由于 0( )/sd dt??? 很難被儀器檢測(cè)到，因此只考慮 0cs? ? ???這種情況。 光照變化引起半導(dǎo)體材料電導(dǎo)變 化的現(xiàn)象稱光電導(dǎo)效應(yīng) 。 2020年， 郝東山教授 又 提出了多光子 非線性 Compton 散射 的概念， 建立了電子與 多光子 集團(tuán)非線性 Compton 散射 模型。 與入射光波長(zhǎng)之比僅為 5m ax 0/ 10?? ?? ? ?， 此時(shí)反沖電子的能量為 500 ( 1 / 1 / ) 3 1 0eE h h h c e V? ? ? ? ?? ? ? ? ? ?， 比室溫下金屬中自由電子的平均熱運(yùn)動(dòng)能量 （ 數(shù)量級(jí)為 210eV? )還要小 1000 倍，只占入射光子能量的十萬分之一，從而表明，顯著的康普頓波長(zhǎng)移動(dòng)和較大的反沖電子速度在入射光處于可見光區(qū)域時(shí)是觀察不到的，僅在波長(zhǎng)很短的 X 射線 (包括波長(zhǎng)更短些的下射線 )區(qū)域內(nèi)才能觀察到。后者是入射光子與整 個(gè)原子的碰撞，由于原子的巨大質(zhì)量， 以致因彈性碰撞 而使散射光子的能量保持不變 .因而波長(zhǎng)與入射光的波長(zhǎng)相同。 例如入射光子波長(zhǎng) 0 10 ? ? ? ? 197。~1197。 僅當(dāng)電子被束縛在固體或原子中 ，具有一定的束縛能 時(shí)， 電子才能完全吸收光子 而產(chǎn)生光電效應(yīng)。 對(duì)于金屬內(nèi)部的自由電子 (原子最外層電子 ), 1A 可略去不計(jì)，于是 ， 式 （ 1） 可改寫為 : 6 2200h m c A mc? ? ? ? 2200 xh m c m c A E A? ? ? ? ? ? 2 2 20 (1 1 )m c v c A? ? ? （ 2） 其中 2mc 和 20mc 為散射電子的能量和靜止電子的能量； 220xE mc m c??； v 為散射電子的速度。 按照 量子論的觀點(diǎn)， 光照射物質(zhì)時(shí)，光子將會(huì)與原子實(shí)、 緊 束縛電子、 弱 束縛電子 即 自由電子發(fā)生相互作用 。 本文將在 以 入射光子 頻率 的大小討論光電效應(yīng)與康普頓效應(yīng) 的基礎(chǔ)上，嘗試在考慮 多光子 康普頓效應(yīng)的情況下對(duì)光敏電阻的工作原理 作 進(jìn)一步的分析。 半導(dǎo)體光傳感器種類很多，可以通過光導(dǎo)效應(yīng)、光電效應(yīng)、光電流等實(shí)現(xiàn)光的檢出，如光敏電阻、光電二極管、光電三極管、光電池等。 關(guān)鍵詞： 光電效應(yīng)； 康普頓效應(yīng) ；非線性 Compton 散射模型 ； 光敏電阻 2 Abstract This article from the semiconductor theory, using of electronic and multiphoton nonlinear Compton scattering model, try to consider the circumstances of photosensitive resistance of the working principle for further analysis. Analysis shows that the strong light of the doping semiconductors, semiconductor and if the incident occurred in the electronic multiphoton nonlinear Compton scattering, while the current density semiconductor and electrical conductivity depends not only on the carrier concentratio
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