磁控濺射鍍膜原理與工藝-免費(fèi)閱讀
【正文】 4. 歲月是無(wú)情的，假如你丟給它的是一片空白，它還給你的也是一片空白。雖然以上工作氣壓與沉積率的關(guān)系規(guī)律只是在純銅靶材和陶瓷基片上得到的，但對(duì)其他不同靶材與基片的鍍膜工藝研究也具有一定的參考價(jià)值。在某一個(gè)最佳工作氣壓下，有一個(gè)對(duì)應(yīng)的最大沉積速率。（7）流量計(jì)Ⅰ置于閥控檔（看是否有讀數(shù)，一般為30。（1）打開(kāi)總電源，啟動(dòng)總控電，升降機(jī)上升，真空腔打開(kāi)后，放入需要的基片，確定基片位置（A、B、C、D），確定靶位置（4，其中4為清洗靶）。在高壓作用下Ar原子電離成為Ar+離子和電子，產(chǎn)生等離子輝光放電，電子在加速飛向基片的過(guò)程中，受到垂直于電場(chǎng)的磁場(chǎng)影響，使電子產(chǎn)生偏轉(zhuǎn)，被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi)，電子以擺線的方式沿著靶表面前進(jìn)，在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中不斷與Ar原子發(fā)生碰撞，電離出大量的Ar+離子，與沒(méi)有磁控管的結(jié)構(gòu)的濺射相比，離化率迅速增加10～100倍，因此該區(qū)域內(nèi)等離子體密度很高。平板玻璃鍍膜機(jī)中沒(méi)有可以調(diào)節(jié)的陰極。對(duì)于單端鍍膜機(jī)，鍍膜區(qū)的傳動(dòng)速度可以在每分鐘0 ~ 600英寸（大約為0 ~ ）之間選擇。這些可變參數(shù)包括：功率、速度、氣體的種類和壓強(qiáng)。因?yàn)樗俣葘?duì)于產(chǎn)品是至關(guān)重要的，所以標(biāo)準(zhǔn)而且適當(dāng)?shù)恼{(diào)整方法是提高功率。如果所有的靶材塊在加工期間具有相似的結(jié)構(gòu)，調(diào)節(jié)電源，根據(jù)需要提高或降低功率可以對(duì)它進(jìn)行補(bǔ)償。當(dāng)增加基片與陰極之間的距離，碰撞的幾率也會(huì)增加，這樣濺射粒子到達(dá)基片時(shí)所具有的能力就會(huì)減少。如果進(jìn)行的是反應(yīng)濺射，由于它會(huì)不斷消耗，所以為了維持均勻的沉積速率，必須按照適當(dāng)?shù)乃俣妊a(bǔ)充新的反應(yīng)氣體。然后，由工藝氣體系統(tǒng)（包括壓強(qiáng)和流量控制調(diào)節(jié)器）充入工藝氣體，將氣體壓強(qiáng)降低到大約2103torr。改變氣體中的電流可以產(chǎn)生更多或更少的離子，這些離子碰撞靶體就可以控制濺射速率。在這種級(jí)聯(lián)過(guò)程中某些表面附近的靶原子獲得向外運(yùn)動(dòng)的足夠動(dòng)量，離開(kāi)靶被濺射出來(lái)。1磁控濺射原理濺射屬于PDV（物理氣相沉積）三種基本方法：真空蒸發(fā)、濺射 、離子鍍（空心陰極離子鍍、熱陰極離子鍍、電弧離子鍍、活性反應(yīng)離子鍍、射頻離子鍍、直流放電離子鍍）中的一種。常用二極濺射設(shè)備如右圖。這里主要講一下由濺射鍍膜技術(shù)發(fā)展來(lái)的磁控濺射鍍膜的原理及相應(yīng)工藝的研究。濺射原子在基片表面沉積成膜。由于該電子的能量很低，傳遞給基片的能量很小，致使基片溫升較低。磁控濺射在技術(shù)上可以分為直流（DC）磁控濺射、中頻（MF）磁控濺射、射頻（RF）磁控濺射。在VONARDENNE鍍膜產(chǎn)品中所采用的范圍內(nèi)，功率的提高與濺射速率的提高是一種線性的關(guān)系。如果氣壓過(guò)低，等離子體就會(huì)熄滅同時(shí)濺射停止。根據(jù)鍍膜材料、功率、陰極的數(shù)量以及膜層的種類的不同，通常的運(yùn)行范圍是每分鐘90 ~ 400（ ~ 米）英寸之間。每個(gè)單獨(dú)的靶都具有其自身的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和顆粒方向。不過(guò)，這種情況只有通過(guò)更換靶材才能得到解決。如果磁場(chǎng)強(qiáng)度過(guò)高，可能在開(kāi)始的時(shí)候沉積速率會(huì)非常高，但是由于刻蝕區(qū)的關(guān)系，這個(gè)速率會(huì)迅速下降到一個(gè)非常低的水平。在電流控制模式下，固定并監(jiān)控輸出電流，這時(shí)可以調(diào)節(jié)電壓。它們之間，任何兩種的比率
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