【正文】 （通常，采用將負載電阻短路的方法來判別電壓反饋和電流反饋。　　CMOS傳輸門除了作為傳輸模擬信號的開關(guān)之外，也可作為各種邏輯電路的基本單元電路。此時TN的柵壓為+5V ，vI在5V到+3V的范圍內(nèi)，TN導通。TP和TN是結(jié)構(gòu)對稱的器件，它們的漏極和源極是可互換的?！　×硪环矫?，當兩輸入端A和B中之一為高電平時 ，則MpA和MpB的通路被斷開，并且MNA或MNB導通，將使輸出端為低電平。這種作用與TTL門電路的輸入級中T1類似。T1和T2構(gòu)成推拉式輸出級?！　”容^CMOS與非門和或非門可知，與非門的工作管是彼此串聯(lián)的，其輸出電壓隨管子個數(shù)的增加而增加；或非門則相反，工作管彼此并聯(lián)，對輸出電壓不致有明顯的影響?！　∠聢D是2輸入端CMOS與非門電路，其中包括兩個串聯(lián)的N溝道增強型MOS管和兩個并聯(lián)的P溝道增強型MOS管。還應(yīng)注意到，器件在放大區(qū)（飽和區(qū)）呈現(xiàn)恒流特性，兩器件之一可當作高阻值的負載。此時工作管TN在vGSN＝0的情況下運用，其輸出特性iD－vDS幾乎與橫軸重合 ，負載曲線是負載管TP在vsGP＝VDD時的輸出特性iD－vDS。假設(shè)在兩種情況下N溝道管 TN為工作管P溝道管TP為負載管。噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)NF來表示，它的單位為分貝（dB）　　在飽和區(qū)，ID幾乎不隨VDS改變，RON的數(shù)值很大 ，一般在幾十千歐到幾百千歐之間　　有些MOS管中，其溝道長度較短，不斷增加VDS會使漏區(qū)的耗盡層一直擴展到源區(qū)，使溝道長度為零，即產(chǎn)生漏源間的穿通，穿通后，源區(qū)中的多數(shù)載流子，將直接受耗盡層電場的吸引，到達漏區(qū)，產(chǎn)生大的ID4. 柵源擊穿電壓BVGS　　通過工藝上的改進，可以使MOS管的VT值降到2～3V。CMOS電路的工作速度可與TTL相比較，而它的功耗和抗干擾能力則遠優(yōu)于TTL。 基本RS觸發(fā)器的特性：、復位和保持（記憶）的功能； ，屬于電平觸發(fā)方式； （R+S=1），由于兩個與非門的延遲時間無法確定；當R=S=0時，將導致下一狀態(tài)的不確定。(b)所示。S=0,R=1使觸發(fā)器置1，或稱置位。實現(xiàn)與運算的叫與門，實現(xiàn)或運算的叫或門，實現(xiàn)非運算的叫非門，也叫做反相器，等等（用邏輯1表示高電平；用邏輯0表示低電平） 與門：邏輯表達式　　　F＝A B即只有當輸入端A和B均為1時,輸出端Y才為1,:74LS08,74LS09等. 或門： 邏輯表達式　　　F＝A+ B即當輸入端A和B有一個為1時,輸出端Y即為1,所以輸入端A和B均為0時,:74LS32等.．非門 邏輯表達式 F=A:74LS04,74LS05,74LS06,74LS14等.．與非門 邏輯表達式 F=AB即只有當所有輸入端A和B均為1時,輸出端Y才為0,:74LS00,74LS03,74S31,74LS132等.．或非門： 邏輯表達式 F=A+B即只要輸入端A和B中有一個為1時,:74LS02等.．同或門: 邏輯表達式F=A B+A B=1A F B：邏輯表達式F=A B+A B=1 A F B ：邏輯表邏輯表達式F=AB+CD≥1AB＆ C F D ： 電路結(jié)構(gòu) 把兩個與非門GG2的輸入、輸出端交叉連接，即可構(gòu)成基本RS觸發(fā)器，.(a)所示。被稱之為雙極型器件。先選量程：R﹡100或R﹡1K檔位 b。所以在維修更換三極管時，尤其是這些小功率三極管，不可拿來就按原樣直接安上，一定要先測一下. 半導體三極管的分類：a。c。 這里推薦三種方法：第一種方法：對于有測三極管hFE插孔的指針表，先測出b極后，將三極管隨意插到插孔中去（當然b極是可以插準確的），測一下hFE值，b。交流信號從發(fā)射極輸入，集電極輸出，那基極就叫公共極。飽和和截止狀態(tài)一般合用在數(shù)字電路中。 半導體三極管的主要參數(shù) a。在這3種故障中，前一種故障表現(xiàn)出電源電壓升高；后2種故障表現(xiàn)為電源電壓變低到零伏或輸出不穩(wěn)定。變?nèi)荻O管在無繩電話機中主要用在手機或座機的高頻調(diào)制電路上，實現(xiàn)低頻信號調(diào)制到高頻信號上，并發(fā)射出去。硅二極管在兩極加上電壓,. B。電感線圈是將絕緣的導線在絕緣的骨架上繞一定的圈數(shù)制成。如果表針向右偏轉(zhuǎn)后所指示的阻值很?。ń咏搪罚?，說明電容器嚴重漏電或已擊穿。電容器的計算： C1 c2 ~~～ c1 c2 串連： 并聯(lián)： 1/C=1/C1+1/C2 C=C1+C2 多個電容的串聯(lián)和并聯(lián)計算公式: C串:1/C=1/C1+1/C2+1/C3+.....+1/CN C并C=C1+C2+C3+……+CN 電容器的好壞測量a。c。1pf=103nf=106uf=109mf=1012f。 電阻器在電路中用“R”加數(shù)字表示，如：R15表示編號為15的電阻器。 電阻器的在電路中的參數(shù)標注方法有3種，即直標法、色標法和數(shù)標法。 四色環(huán)電阻器（普通電阻) 標稱值第一位有效數(shù)字 標稱值第二位有效數(shù)字 標稱值有效數(shù)字后0的個數(shù)(10的倍冪) 允許誤差 顏 色第一位有效值第二位有效值倍 率允 許 偏 差黑00棕11177。第五環(huán)是色環(huán)電阻器的誤差范圍.(見圖二)五色環(huán)電阻器（精密電阻） 標稱值第一位有效數(shù)字 標稱值第二位有效數(shù)字 標稱值第三位有效數(shù)字 標稱值有效數(shù)字后0的個數(shù)(10的倍冪) 允許誤差顏色第一位有效值第二位有效值第三位有效值倍 率允許偏差黑000棕1111%紅2222%橙333黃444綠555%藍666紫777%灰888白99920%～+50%金177。 電容的作用:隔直流,旁路,耦合,濾波,補償,充放電,儲能等 電容器的特性: 電容器容量的大小就是表示能貯存電能的大小，電容對交流信號的阻礙作用稱為容抗，它與交流信號的頻率和電容量有關(guān)。 數(shù)字表示法:一般用三為數(shù)字表示容量的大小,前兩位表示有效數(shù)字,*102=1000PF。脫離線路時檢測　 采用萬用表Ｒ１ｋ擋，在檢測前，先將電解電容的兩根引腳相碰，表針向右偏轉(zhuǎn)一個角度，然后表針緩慢地向左回轉(zhuǎn)，最后表針停下。如果表針向右偏后無回轉(zhuǎn)，但所指示的阻值不很小，說明電容器開路的可能很大，應(yīng)脫開電路后進一步檢測。直流可通過線圈，直流電阻就是導線本身的電阻，壓降很?。划斀涣餍盘柾ㄟ^線圈時，線圈兩端將會產(chǎn)生自感電動勢，自感電動勢的方向與外加電壓的方向相反，阻礙交流的通過，所以電感的特性是通直流阻交流，頻率越高，線圈阻抗越大。鍺二極管在兩極加上電壓,. 半導體二極管主要特性是單向?qū)щ娦?，也就是在正向電壓的作用下，導通電阻很??；而在反向電壓作用下導通電阻極大或無窮大。在工作狀態(tài)，變?nèi)荻O管調(diào)制電壓一般加到負極上，使變?nèi)荻O管的內(nèi)部結(jié)電容容量隨調(diào)制電壓的變化而變化。 c、 常用穩(wěn)壓二極管的型號及穩(wěn)壓值如下表：型 號 1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4744 1N4750 1N4751 1N4761穩(wěn)壓值 15V 27V 30V 75V 半導體二極管的伏安特性：二極管的基本特性是單向?qū)щ娦裕ㄗⅲ海?；－）? 半導體二極管的伏安特性曲線：（通過二極管的電流Ｉ與其兩端電壓Ｕ的關(guān)系曲線為二極管的伏安特性曲線。 電流放大系數(shù)：對于三極管的電流分配規(guī)律Ie=Ib+Ic,由于基極電流Ib的變化，使集電極電流Ic發(fā)生更大的變化，即基極電流Ib的微小變化控制了集電極電流較大，這就是三極管的電流放大原理。 a。 用萬用表判斷半導體三極管的極性和類型(用指針式萬用表). a。然后再將管子倒過來再測一遍，測得hFE值比較大的一次，各管腳插入的位置是