高電壓絕緣技術(shù)課后題答案-免費(fèi)閱讀
【正文】 若采用的凡士林較臟，損耗較大（ r? =， 3tan 2 10? ??? ），問(wèn)由此引起多大的測(cè)量誤差？ 解：在分界面上有（ 1 為凡士林、 2 為聚乙烯），兩個(gè)電容為串聯(lián)關(guān)系： 1112221212111aACdACdACddCC????????? 則有： 121212dddd??????= 介損的測(cè)量誤差： 2 2 .2 9 7 5 2 .3 0 .0 0 2 5? ? ?? ? ? ? ? ? ? 測(cè)量 tan? 時(shí)： 12221 2 1 1 1 2 2 2221 2 1 1 2 2ta nta n ta nP P P QP P P C U C UQ Q Q C U C U?? ? ? ???? ? ?? ? ? ?? ? ? ? 其中： 2112121212 2 CUUCCCUUCCCC???????? 則有： 4ta n 2 .4 6 1 0PQ? ?? ? ? 則產(chǎn)生的誤差為： 4 4 4t a n 10 2 10 10? ? ? ?? ? ? ? ? ? ? 6高壓?jiǎn)涡倦娎|（見(jiàn)圖 657）長(zhǎng) 20m，其 tan ? ? ， r? =。 解：（ 1）由介損計(jì)算公式，在工頻電壓作用下： 2 1 2 21 ta n 2 5 0 2 0 0 0 1 0 ( 1 0 0 0 0 0 ) 0 .0 1 6 2 .8 3 WP CU? ? ? ?? ? ? ? ? ? ? ? ? （ 2）在直流電壓作用下： 222 6100000 5W2 0 0 0 1 0UP R? ? ?? 與交流下?lián)p失的比值為： Ratio=5/= （ 3） 21121ta n1 / ( )UP RUQ CRC? ??? ? ? 則有 81 1211 1 . 5 9 1 0ta n 2 5 0 2 0 0 0 1 0 0 . 0 1R C? ? ? ?? ? ? ?? ? ? ? ? 它與直流絕緣電阻的比值： Ratio2= 861 .5 9 1 0 0 .0 7 9 52 0 0 0 1 0? ?? 6圖 656 為局部放電試驗(yàn)原理接線 圖，其中 Cx 代表是試品為1000pF， Ck 代表耦合電容為 100pF， RmCm 代表檢測(cè)阻抗。 （ 2）如電纜絕緣層的溫度為 10176。在 20176。C 時(shí)充的氣壓為 ，試求該設(shè)備中 SF6 的氣體密度？及 該設(shè)備中 SF6 氣體的液化溫度為多少？ 解：根據(jù) SF6 的物理性質(zhì)，當(dāng)氣壓為 ，溫度為 20176。 nm? ?? 可見(jiàn)光的波長(zhǎng)范圍在 400750nm，不在可見(jiàn)光的范圍。 2. 離地高度 10m 處懸掛單根直徑 3cm 導(dǎo)線，導(dǎo)線上施加有效值 工頻交流電壓，請(qǐng)計(jì)算導(dǎo)線表面最大場(chǎng)強(qiáng)。若將該導(dǎo)線更換為水平布置的雙分裂導(dǎo)線，兩導(dǎo)線 總截面積保持與單根導(dǎo)線一致，線間距離 30cm，請(qǐng)重新計(jì)算導(dǎo)線表面最大場(chǎng)強(qiáng)。 解： 19 42 232 2 1 2 . 5 1 . 6 1 03( ) 1 2 . 5 , , 9 . 6 6 1 8 1 0 ( )2 3 3 1 . 3 8 1 0iii ww O e V w K T T KK??? ? ?? ? ? ? ? ??? 氣體的絕對(duì)溫度需要達(dá)到 96618K。C 時(shí)其密度為 ，則由 pV nRT? 當(dāng)氣壓增至 時(shí)， SF6物質(zhì)的量 n 也增至原來(lái)的 倍，故此時(shí)密度為： 7 . 5 6 . 1 6 4 4 6 . 2 3m n m o lVV? ?? ? ? ? ? 其中 mol 為 SF6的摩爾質(zhì)量； 由圖 56，當(dāng)氣壓 ，其液化溫度約為 20176。C 時(shí)充氣氣壓為，求該稍不均勻場(chǎng)氣體間隙的擊穿電壓？它與 500kV 系統(tǒng)要求的沖擊絕緣水平（ BIL） 1550kV 相比有多大裕度？ 解：由圖 519，設(shè)內(nèi)外半 徑分別為 r、 R： =? 極間場(chǎng)強(qiáng) / ( l n( / ) ) 8 /xE U x R r U x??； 沿 x 軸方向電子有效電離系數(shù)為： 2 7 . 7 0 . 4 ( 8 8 5 ) 2 7 . 7 9 8 0 5 . 8 2 7 . 0 3 / 9 8 0 5 . 80 . 4x xE E U x? ? ? ? ? ? ? ? ? 擊穿時(shí)，電子崩長(zhǎng)度為臨界電子崩長(zhǎng)度 xc，則有： c critUxrE??（ 1） 其中： 885 354 kV/c mcri tE ? ? ? 由（ 1）式大于 0，故 35 4 31 50 .6 kVU ? ? ? 由式（ 56）有： 2 7 . 0 3 l n 9 8 0 5 . 8 1 3crx c cr rxd x U xr?? ?? ? ?? （ 2） 根據(jù)（ 1）、（ 2）可得擊穿電壓： ? 故裕度為： 3 3 2 7 . 5 1 5 5 0 1 0 0 % 1 1 4 . 7 %1550 ? ?? 第六章 6測(cè)量固體電介質(zhì)體積電阻率 V? 和表面電阻率 s? 的試樣如圖 655所示。C 及 30176。若加到某一高電壓時(shí)， Ck 中發(fā)生視在放電量為 5pC 的局部放電，請(qǐng)問(wèn)此時(shí)會(huì)誤解為 Cx中發(fā)生了多大的局部放電量？ 解：設(shè)放電之后 Ck 兩端的殘余電壓為 U’ ，則有： 39?，F(xiàn)其中有 1m 因發(fā)生局部損壞， tan? 增至 ， r? 基本不變。聚乙烯的電氣特性為： r? =， 4tan 2 10? ??? 。 答：由電容容值計(jì)算公式，放入介質(zhì)后： 0 3 . 1 8 0 . 1 0 . 3 1 8 μ FAC d??? ? ? ? 介質(zhì)損耗： 2 6 225ta n 0 . 12 5 0 0 . 3 1 8 1 0 5 0 0 0PCU? ?? ?? ? ?? ? ? ? ? 6一臺(tái)電容器電容 C=2020pF， tan? =，而直流下的絕緣電阻為 2020MΩ，求： （ 1）工頻（有效值） 100kV 下的功率損失； （ 2）直流 100kV 下的損失，它與交流下?lián)p失的比值； （ 3）交流下介質(zhì)損失的并聯(lián)等值回路中的等值電阻，它與直流絕緣電阻的比值。C 時(shí)電纜的體積絕緣電阻。 4 17 7 5. 67 l n 10 0 5. 67 4 12 8. 21 kV /c mWnxx ??? ? ? ? ? ? ? ? 耐受場(chǎng)強(qiáng)下降比例為： 1 5 4 . 3 2 1 2 8 . 2 1 1 6 . 9 2 %1 5 4 . 3 2ra tio ??? 5 500kV 氣體絕緣電纜為分相封閉式同軸圓柱電極結(jié)構(gòu)，其中導(dǎo)電芯的外徑為 89m
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